Transístores MOS. Projecto de Circuitos VLSI FEUP/LEEC 2005/06. Inclui figuras de: Digital Integrated Circuits, J. Rabaey, A. Chandrakasan, B.

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1 Transístores MOS Projecto de Circuitos VLSI FEUP/LEEC 2005/06 Inclui figuras de: Digital Integrated Circuits, J. Rabaey, A. Chandrakasan, B. Nikolic

2 Transístor MOS Poli-silício Alumínio

3 Conceito de tensão de limiar Condução: V GS > V T S - V GS + G D n+ n+ n-channel p-substrate Depletion Region B NMOS: V B =0, PMOS: V B =V DD

4 A tensão de limiar Potencial de Fermi: F = T ln n i N A T = kt q =26mV, 300º K Zona do canal passa a tipo n (inversão forte) para: V DS =2 F V T =V T0 2 F V SB 2 F com o coeficiente de efeito de corpo efeito de corpo = 2q si N A C ox C ox = ox t ox si : permitividade eléctrica do silício

5 Efeito de corpo Tensão de limiar pode duplicar.

6 Característica de um transístor tradicional 6 x 10-4 VGS= 2.5 V 5 4 Linear (resistiva) Saturação VGS= 2.0 V I D (A) 3 2 V DS = V GS - V T VGS= 1.5 V Relação quadrática 1 VGS= 1.0 V V DS (V)

7 Zona linear de funcionamento S V GS G V DS D I D n + V(x) + n + L x p-substrate B MOS transistor and its bias conditions

8 Transístor em saturação V GS G V DS > V GS - V T S D n+ - V GS - V T + n+ I D = k ' n 2 W L V GS V T 2 Pinch-off V GS V DS V T

9 Relação tensão-corrente (canal longo) λ : parâmetro empírico factor de ganho de um transístor k n =k ' n W L

10 Modelo para análise manual (1ª versão)

11 Relação tensão-corrente para dispositivos DSM (DSM= deep submicron) 2.5 x Saturação prematura VGS= 2.5 V 1.5 VGS= 2.0 V I D (A) 1 VGS= 1.5 V Relação linear 0.5 VGS= 1.0 V V DS (V)

12 Saturação de velocidade υ n (m/s) υ sat = 10 5 Velocidade constante Mobilidade constante (declive = µ) ξ c = 1.5 ξ (V/µm) (campo eléctrico)

13 Comparação entre transístores longos e curtos I D Canal longo V GS = V DD Canal curto Simplificação empírica: V DSAT V GS - V T V DS V DSAT L sat n W I DSAT = n C ox L 2 V GS V T V DSAT V DSAT

14 I D versus V GS 6 x x quadrática linear I D (A) 3 I D (A) V GS (V) Canal longo 0.5 quadrática V GS (V) Canal curto

15 I D versus V DS I D (A) 6 x VGS= 2.5 V Linear Saturação VGS= 2.0 V V DS = V GS - V T VGS= 1.5 V I D (A) 2.5 x saturação de velocidade VGS= 2.5 V VGS= 2.0 V VGS= 1.5 V 1 VGS= 1.0 V 0.5 VGS= 1.0 V V DS (V) Canal longo V DS (V) Canal curto Atenção: As escalas verticais são diferentes.

16 Modelo unificado para análise manual (segunda versão) G S D B

17 Modelo simples versus SPICE 2.5 x 10-4 V DS =V DSAT Saturação de velocidade I D (A) 1 Linear 0.5 V DSAT =V GT V DS =V GT Saturação V DS (V)

18 Transístor PMOS I D (A) x 10-4 VGS = -1.0V VGS = -1.5V VGS = -2.0V Todas as variáveis são negativas -0.8 VGS = -2.5V V DS (V)

19 Parâmetros para análise manual

20 O transístor como interruptor V GS V T R on é não-linear, varia com t e depende do ponto de funcionamento S R o n D I D V GS = V D D R mid R eq = 1 t 2 t 2 t t1 1 Ron t dt R 0 V DD /2 V DD V DS R eq 1 2 R on t 1 R on t 2 Descarga de condensador de V DD a V DD /2

21 Comportamento dinâmico do transístor (capacidades parasitas a considerar) G C GS C GD S D C SB C GB C DB B C GS =C GCS +C GS0 C GD =C GCD +C GD0 C SB = C Sdiff C DB = C Ddiff C GB =C GCB

22 Capacidade da porta Porta de poli-silício Fonte n + x d x d W Dreno n + L d Vista de cima Porta-substrato sobreposição t ox Óxido de silício n + L n + Vista de corte C GS0 = C GD0 =C ox x d W = C o W

23 Capacidade da porta: regimes de operação G G G S C GC C GC C GC D S D S D Cut-off Resistive Saturation Regiões mais importantes para circuitos digitais: saturação e corte Notação: C gb = C GCB, C gs = C GCS, C gd = C GCD, L eff = L

24 Capacidade da porta WLC ox C GC WLC ox C GC 2WLC ox WLC ox 2 C GC B C GCS = C GCD WLC ox 2 C GCS C GCD 3 V GS 0 V DS /(V GS -V T ) 1 Capacidade em função de VGS (com VDS = 0) Capacidade em função do grau de saturação

25 Capacidade de difusão C h a n n e l- sto p P a re d e la te ra l W F o n te N D f u n d o x j p a re d e la te ra l L S S u b stra to C a n a l

26 Capacidade de junção 0 = T ln N A N D n i 2 V D : tensão aos terminais da junção pn

27 Linearização da capacidade de junção Substituir uma capacidade não-linear por uma capacidade equivalente, linear, que desloque a mesma quantidade de carga para a variação de tensão de interesse.

28 Capacidades de um processo CMOS 0.25 µm

29 O transístor sub-micrométrico Variação de tensão de limiar Condução "sub-limiar" Resistências parasitas

30 Variação da tensão de limiar V T V T limiar para canal longo limiar para V DS baixo Limiar como função do comprimento (para V DS baixo) L V DS Abaixamento de barreira induzida pelo dreno (DIBL) (para pequeno L)

31 Condução "sub-limiar" O declive inverso S I D ~I 0 e qv GS nkt, n=1 C D C ox S é V GS para I D2 /I D1 =10 Valores típicos para S: mv/década

32 Corrente sub-limiar I D vs V GS qv GS qv DS nkt I D =I 0 e 1 e kt

33 Corrente sub-limiar I D vs V DS qv GS qv DS nkt I D =I 0 e 1 e kt 1 V DS V GS de 0 to 0.3V

34 Regiões de operação: resumo Inversão forte V GS > V T Linear (resistiva) V DS < V DSAT Saturado (corrente constante) V DS V DSAT Inversão fraca (sub-limiar) V GS V T Exponencial em V GS e dependência linear comv DS

35 Resistências parasitas G Polysilicon gate L D Drain contact V GS,eff S D W R S R D Drain