Circuitos Eletrónicos Básicos
|
|
|
- Luiz Fernando Medina Sabrosa
- 10 Há anos
- Visualizações:
Transcrição
1 Circuitos Eletrónicos Básicos Licenciatura em Engenharia Eletrónica Transparências de apoio às aulas Cap. 3: Fontes de corrente 1º semestre 2013/2014 João Costa Freire Instituto Superior Técnico Setembro de Fonte de corrente simples em DC (1de3) Uma fonte de corrente ideal é um elemento de circuito que impõe no ramo em que está ligada uma corrente independente do circuito a que está ligada. Uma fonte de corrente real além da fonte ideal tem em paralelo uma impedância muito elevada para que a dependência da corrente com o circuito seja baixa. Nestas condições está o colector de um TJB (ou dreno dum MOS) com polarização estabilizada na zona activa (ou de saturação) Se v CE > V CEsat, i C constante R B = R B1 // R B2 << β R E V BB = V CC R B1 / (R B1 + R B2 ) >> v BE e Se v DS > V DSon, i D constante R S
2 1. Fonte de corrente simples em DC (2de3) Num CI: área R kω >> área TJB > área MOS mínimo nº Rs Espelho de corrente bipolar (v BE1 = v BE2 ) V CB1 = 0 T 1 montado como díodo T 1 =T 2 (espelho plano): se V CE2 > V CEsat Como i R = (V CC v BE ) / R R = i E1 + i B2 i C = β (V CC v BE ) / [(β+2) R R ] constante se: β >> 2 e V CC >> v BE Espelho de corrente MOS (v GS1 = v GS2 ) v GD1 = 0 (T 1 díodo) v GS1 = v DS1 e se v GS1 > v t MOS saturado i D1 = i R = K N (v GS1 v t ) 2 v GS1 = (i R / K N ) 1/2 + V t como i R = (V DD v GS1 ) / R R R R = (V DD (i D1 / K N ) 1/2 V t ) / i D1 Se T 1 =T 2 i D = i D1 cte se: V DD >> V t mas depende de K N 1. Fonte de corrente simples em DC (3de3) Desprezou-se a variação de i C,D com v CE,DS. E se v CE,DS1 v CE,DS2? Espelho de corrente bipolar com tensão de Early V A i C = [β (V CC v BE ) / (β + 2) R R ] [1 + (v CE2 v BE ) / V A ] Espelho de corrente MOS com λ 0 i D = i D1 [1 + λ (v DS2 v GS )] E se T 1 T 2? Espelho concavo (T 1 > T 2 ) ou convexo (T 1 < T 2 ) Espelho de corrente bipolar com T 1 T 2 Àrea juncão BE: A BE2 = ma BE1 i C = m i R [β / (β m)] m i R Se β >> m > 1: usual T 1 < T 2 (< consumo) Espelho de corrente MOS com T 1 T 2 i D K N = µ N C ox W / 2 L i D2 / i R = (W / L) 2 / (W / L) 1 = m
3 2. Fonte de corrente múltipla em DC A partir de uma única fonte de referência com vários transistores com BE (ou GS) em paralelo (espelhos) é possível alimentar diversos andares Corrente de referência I ref gerada em Q 1 e espelhada para Q 2 e Q 3 Q 4 e Q 5 são MOS canal p que espelham i D3 que injetando i D5 de cima para baixo Corrente de referência I ref gerada em Q 1 pnp e Q 2 npn Espelhar Q 1 i C injetado Espelhar Q 2 i C drenado 3. Fonte de corrente DC em AC: carga dinâmica ou ativa (1de3) As fontes de corrente DC apresentam em regime dinâmico uma alta resistência (resistência vista do coletor ou dreno r o ) possível carregar um amplificador com uma fonte de corrente (carga dinâmica) ganho de tensão elevado (A v R L ) com tensão DC baixa na carga (basta V CE > V CEsat ou V DS > V DSon ) Em regime dinâmico I ref = 0 e V DD = 0 V gs2 = V gs3 = 0 A v = V o / V i = g m1 (r o1 // r o2 ) ganho da ordem das centenas com MOS R out = (r o1 // r o2 ) < R out com carga resistiva A fonte de corrente além de impôr o PFR é uma carga dinâmica ou ativa pois carrega o circuito em regime dinâmico e usa dispositivos ativos (transistores)
4 3. Fonte de corrente DC em AC: carga dinâmica ou ativa (2de3) Análise gráfica do circuito de carga dinâmica: a linha de carga é a curva característica i D2 (v DS2 ) para v GS2 = v GS3 imposta por I REF (a preto na figura; reta em AB) v SD2 + v DS1 = V DD v I = v GS1 v I < V t1 Q 1 corte i D1 = 0 mas Q 2 ON com i D2 = 0 Q 2 tríodo v SD2 = 0 e v DS1 = V DD v I > V t1 i D1 v SD2 v DS1 com Q 1 saturação Q 2 tríodo até A (v I =V IA ) v I > V IA Q 1 e Q 2 saturação A v >> 1 até B (v I =V IB ) v I > V IB Q 1 tríodo e Q 2 saturação até v SD2 V DD e v DS1 = V DS1on 0 3. Fonte de corrente DC em AC: carga dinâmica ou ativa (3de3) EC pnp com carga dinâmica Exercício: Para V A1,2,3 = 50 V e β 1,2,3 = 100 estimar o ganho A v, a impedância de entrada R in e a de saída R out em média frequência. I REF = (3 0,55) / 23 k = 107 µa g m = 4,26 ms, r π = β / g m = 23,5 kω, r o = (V A +V CE1 )/I REF 483kΩ A v = - g m1 (r o1 //r o2 ) = 1030, R in = r π1 = 23,5 kω, R out = (r o1 //r o2 ) = 242 kω Zonas fundo azul não afetam funcionamento EC com carga r o2 g m3 v π3 tem v π3 aos terminais r = 1/g m3 zona central só Rs v π2 = 0
5 4. Fonte TJB com redução da influência de β Q 3 compensa i B1 : Atenção que i C3 << i C1,2 β 3 < β 1,2 Da análise nodal feita na figura para T 1 = T 2 : I 0 = i C2 = i C1 i E3 = 2 Io / β 1,2 i B3 = 2 I o / [β 1,2 (β 3 + 1)] 1,2 I REF = I o { / [β 1,2 (β 3 + 1)]} I REF I o se β 1,2 β 3 >> 2 aproximação mais válida do que na fonte simples (β 1,2 >> 2) Mas se I REF é obtida por R REF ligada a V CC I REF = (V CC v BE3 v BE1 ) / R REF constante V CC >> v BE3 + v BE1 mais exigente que fonte simples (V CC >> v BE3 ) 5. Fonte de Widlar: TJB para correntes reduzidas Se R 3 = 0 I o I REF = (V CC V BE1 ) / R 2 para I o logo R 2 área Com R 3 0 pode-se ter I o << I REF sem aumentar R 2 T 1 = T 2 e i C I s e v BE/VT v BE = V T ln (i C / I o ) v BE1 v BE2 = V T ln (I REF / I o ) = I o R 3. Para I o 10µA R 3 = 0: I REF I o R 2 x00 kω para V CC x V R 3 0: se I REF = 100 I o V T ln mv R 3 11,8 kω e R 2 x kω redução de área de pelo menos quase 10 vezes A resistência equivalente da fonte é também mais elevada porque R 3 introduz uma degeneração de emissor R out r o2 [1 + g m (R 3 // r π2 )] >> R out da fonte simples (sem R 3 ) r o2
6 6. Fonte de Wilson: TJB Menor influência de β e R out e como i C3 i C1,2 β 3 β 1,2 = β Da análise nodal da figura se T 1 = T 2 = T 3 : I REF = I o {[β (β + 2) + 2] / [β (β + 2)]} Se β (β + 2) >> 1 I REF I o aproximação mais válida que na fonte simples I REF obtida por R REF entre B 3 = C 2 e V CC I REF = (V CC v BE3 v BE1 ) / R REF cte V CC >> v BE3 + v BE1 mais exigente que fonte simples (V CC >> v BE3 ) R out β r o / 2 devido a Base Degenerada (realimentação série) Exercício: Calcular sem aproximações R out = v o / i o =? e notando que zona azul é equivalente a resistência 1 /g m1 6. Fonte de Wilson: MOS R out porque Q 3 Degeneração de Porta Q 1 equivalente a r = 1/g m1 //r o1 1/g m1 ( g m1 r o1 >>1) e se r REF = resistência dinâmica da fonte I REF ou em vez de I REF se tem uma resistência R REF ligada a V DD i o = g m3 v gs3 + (v o v gs2 ) g o3 ; v gs2 = i o / g m1 ; v gs3 = [g m2 v gs2 (r o2 // R REF ) + v gs2 ] R out = v o / i o = = r o3 [1 + (g m3 / g m1 )(1+g m2 (r o2 // R REF ) + (g o3 /g m1 ] g m2 r o2 r o3
7 6. Fonte de Wilson: MOS com v DS equilibrados Exercício: verificar que os 4 transístores se forem todos iguais têm o mesmo v DS, o que garante simetria perfeita no espelho. Na prática não serão exatamente iguais, mas num CI, atendendo a que são todos fabricados ao mesmo tempo, a dispersão de valores é reduzida. 7. Fonte de corrente: Notas & Questões Notas Devido à mobilidade dos eletrões ser > que a das lacunas β npn > β pnp e k n = µ n C ox / 2 > k p = µ p C ox / 2 possível β npn β pnp ou K N K P (K = k W/L) fazendo A BEnpn > A BEpnp ou (W / L) P > (W / L) N O uso de cargas dinâmicas pode reduzir a banda porque se acrescenta as capacidades do transístor da carga Necessário garantir que o transístor da fonte de corrente está na zona saturação (MOS) ou ativa (TJB) limitação da gama dinâmica (amplitude de sinais processados) Fonte de Wilson garante maior impedância dinâmica mas reduz gama dinâmica ou exige maior tensão de alimentação. A introdução de resistência de emissor ou fonte no transístor de saída da fonte de corrente conduz a uma maior impedância dinâmica (alternativa à fonte de Wilson). 14
8 7. Fonte de corrente: Notas & Questões Questões Quando se usam mais frequentemente fontes de corrente para polarizar transístores? Porque se usa para injetar correntes o coletor dum TJB pnp e não o emissor dum npn, já que o npn é um transístor mais rápido? Em que zona, ou zonas, de funcionamento pode operar um MOS canal n em que é forçada uma corrente de D para S? Justifique a afirmação: a relação de correntes num espelho com TJBs não é exatamente igual à relação das áreas das junções BE. Que vantagens e desvantagens apresenta a fonte de Widlar sobre uma fonte simples? Quando deve utilizar uma fonte de Wilson? 15
Resumo. Espelho de Corrente com Transistor MOS
p. 1/1 Resumo Espelho de Corrente com Transistor MOS Efeito de V 0 em I 0 Espelho de Corrente com Transistor Bipolares Diferenças entre espelhos de corrente MOS e Bipolares Fontes de Corrente Melhoradas
Antes de estudar a tecnologia de implementação do transistor um estudo rápido de uma junção;
Transistor O transistor é um elemento ativo e principal da eletrônica. Sendo um elemento ativo o transistor é utilizado ativamente na construção dos circuitos lineares e digitais. Os transistores podem
FET (FIELD EFFECT TRANSISTOR)
FET (FIELD EFFECT TRANSISTOR) OBJETIVOS: a) entender o funcionamento de um transistor unipolar; b) analisar e entender as curvas características de um transistor unipolar; c) analisar o funcionamento de
Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação FEEC Universidade Estadual de Campinas Unicamp EE531 LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA BÁSICA I EXPERIÊNCIA 2
Faculdade de ngenharia létrica e de Computação FC Universidade stadual de Campinas Unicamp 531 LABORATÓRIO D LTRÔNICA BÁSICA I XPRIÊNCIA 2 TRANSISTOR BIPOLAR Prof. Lee Luan Ling 1 o SMSTR D 2010 1 Objetivo:
Circuitos Eletrónicos Básicos
Circuitos Eletrónicos Básicos Licenciatura em Engenharia Eletrónica Transparências de apoio às aulas Cap. 1: Circuitos com um transístor 1º semestre 2013/2014 João Costa Freire Instituto Superior Técnico
Par Diferencial com Transístores Bipolares
Resumo Par Diferencial com Transístores Bipolares Operação para grandes sinais Resistência diferencial de Entrada e Ganho Equivalência entre Amplificador diferencial e Amplificador em Emissor Comum Ganho
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Engenharia Elétrica Eletrônica Professor: Alvaro Cesar Otoni Lombardi Os Transistores Bipolares de Junção (TBJ ou BJT) São controlados pela variação da corrente de base (na maioria das aplicações) 1 Os
Eletrônica de Potência II Capítulo 1. Prof. Cassiano Rech [email protected]
Eletrônica de Potência II Capítulo 1 [email protected] 1 Componentes semicondutores em Eletrônica de Potência Diodo MOSFET IGBT GTO 2 Introdução Eletrônica de Potência é uma ciência aplicada que aborda
Eletrônica Analógica
UNIVERSIDADE FEDERAL DO PARÁ FACULDADE DE ENGENHARIA DE COMPUTAÇÃO E TELECOMUNICAÇÕES Eletrônica Analógica Transistores de Efeito de Campo Professor Dr. Lamartine Vilar de Souza [email protected] www.lvsouza.ufpa.br
EE531 - Turma S. Diodos. Laboratório de Eletrônica Básica I - Segundo Semestre de 2010
EE531 - Turma S Diodos Laboratório de Eletrônica Básica I - Segundo Semestre de 2010 Professor: José Cândido Silveira Santos Filho Daniel Lins Mattos RA: 059915 Raquel Mayumi Kawamoto RA: 086003 Tiago
Via. Ligação entre as camadas de metal M1 e M2. Elementos parasitas principais: Resistência de contacto 0.05 Ω a 0.08 Ω
Via Ligação entre as camadas de metal M1 e M2 Dimensões: 2 µm 2 µm Elementos parasitas principais: Resistência de contacto 0.05 Ω a 0.08 Ω Metal migration limit: 0.4 ma/contacto Correntes entre M1 e M2
ELT601 Eletrônica Digital II
Graduação em Engenharia Eletrônica Universidade Federal de Itajubá IESTI Famílias lógicas Prof. Rodrigo de Paula Rodrigues Famílias lógicas Contexto Eletrônica Digital Dialeto digital Álgebra Booleana
ATENÇÃO: A partir da amostra da aula, terá uma idéia de onde o treinamento de eletroeletrônica poderá lhe levar.
ATENÇÃO: O material a seguir é parte de uma das aulas da apostila de MÓDULO 3 que por sua vez, faz parte do CURSO de ELETRO ANALÓGICA -DIGITAL que vai do MÓDULO 1 ao 4. A partir da amostra da aula, terá
AMPLIFICADOR CLASSE A
AMPLIFICADOR CLASSE A OBJETIVOS: Verificar experimentalmente o comportamento de um amplificador classe A transistorizado e analisar as formas de onda obtidas na saída em função de um sinal aplicado na
Obs.: No FET de canal P invertem-se camadas semicondutores N e P
FET - TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO Os transistores de Efeito de Campo, JFET e MOSFET's, tem como características básicas e controle de uma corrente por um campo elétrico aplicado. A corrente flui entre
Elétricos. Prof. Josemar dos Santos [email protected]
Controle de Motores Elétricos Diodo Retificador Prof. Josemar dos Santos [email protected] Constituição Um diodo retificador é constituído por uma junção PN de material semicondutor (silício ou germânio)
Electrónica I. Curso Ano/Semestre Ano Lectivo Área Científica Dpt. Engenharia de Electrónica e Computadores
Electrónica I Curso Ano/Semestre Ano Lectivo Área Científica Dpt. Engenharia de Electrónica e Computadores 1º/ 2º 2005/2006 ET DEE Professor Responsável da Disciplina Docente Co-Responsável Corpo Docente
Introdução. GRECO-CIN-UFPE Prof. Manoel Eusebio de Lima
Introdução GRECO-CIN-UFPE Prof. Manoel Eusebio de Lima Programa do curso Introdução (conceitos) Fonte de tensão Fonte de Corrente Teorema de Thevenin Teorema de Norton Resistores/capacitores (revisão)
LISTA DE EXERCÍCIOS TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO Parte 1
Campus Serra COORDENADORIA DE AUTOMAÇÂO INDUSTRIAL Disciplina: ELETRÔNICA BÁSICA Professores: Bene Régis Figueiredo Turma AN1 Vinícius Secchin de Melo Turma AM1 LISTA DE EXERCÍCIOS TRANSISTORES BIPOLARES
Electrónica para Telecomunicações
Dept. de Engenharia Electrotécnica e Computadores Fac. de Ciências e Tecnologia da Universidade de Coimbra Electrónica para Telecomunicações Trabalho Prático Nº2 Amplificador Cascódico 1. INTRODUÇÃO Neste
LABORATÓRIO DE DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS Guia de Experimentos
UNIVERSIDADE FEDERAL DE CAMPINA GRANDE CENTRO DE ENGENHARIA ELÉTRICA E INFORMÁTICA DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA LABORATÓRIO DE DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS Experimento 5 Transistor MOSFET LABORATÓRIO
ESCOLA SUPERIOR DE TECNOLOGIA
Departamento Informática Disciplina Sistemas de Instrumentação Engenharia de Sistemas e 1 Ano Curso Ano 2º Semestre Informática º Lectivo Aulas TeóricoPráticas Ficha de Trabalho N.º5 2005/2006 Título Sistemas
Eletrônica Aula 07 CIN-UPPE
Eletrônica Aula 07 CIN-UPPE Amplificador básico Amplificador básico É um circuito eletrônico, baseado em um componente ativo, como o transistor ou a válvula, que tem como função amplificar um sinal de
CONCURSO PÚBLICO PARA PROVIMENTO DE CARGO EFETIVO PROFESSOR DE ENSINO BÁSICO, TÉCNICO E TECNOLÓGICO Edital 11/2015 Campus Muriaé FOLHA DE PROVA
Tema 01: CIRCUITOS CC E CA CONCURSO PÚBLICO PARA PROVIMENTO DE CARGO EFETIVO O teorema de Thevenin estabelece que um circuito linear de dois terminais pode ser substituído por um circuito equivalente constituído
Aula 1 Introdução. Análise de redes em condições transitórias. rias:
Proteção de Sistemas Elétricos Aula 1 Introdução Análise de redes em condições transitórias condições transitórias: rias: chaveamento CC falta de fase formas de ondas anormais descargas atmosféricas origem:
Amplificadores de potência classe B
Amplificadores de potência classe B Introdução O amplificador de potência classe A, apresenta a melhor linearidade, mas tem o pior rendimento. Isso se deve ao fato de que o transistor de saída esta sempre
ESTUDO DOS PRÉ-AMPLIFICADORES
CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA DISCIPLINA: ELETRÔNICA I PROFESSOR: LADEMIR DE J. S. OLIEIRA ESTUDO DOS PRÉ-AMPLIFICADORES 1. AMPLIFICADORES EM CASCATA Nos amplificadores em cascata o ganho sofre influência
Transístores 1. João Canas Ferreira. FEUP/DEEC Setembro de 2007. Tópicos de Projecto de Circuitos VLSI
Transístores MOS João Canas Ferreira FEUP/DEEC Setembro de 007 Tópicos de Projecto de Circuitos Transístores 1 Conteúdo Transístores MOS: modelos estáticos modelo clássico modelo DSM Comportamento dinâmico
Instituto Superior Técnico Licenciatura em Engenharia Electrotécnica e de Computadores. Controlo 2005/2006. Controlo de velocidade de um motor D.C.
Instituto Superior Técnico Licenciatura em Engenharia Electrotécnica e de Computadores Controlo 2005/2006 Controlo de velocidade de um motor D.C. Elaborado por E. Morgado 1 e F. M. Garcia 2 Reformulado
ENCONTRO 3 AMPLIFICADORES EM CASCATA (ESTUDO DOS PRÉ-AMPLIFICADORES)
CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA DISCIPLINA: ELETRÔNICA I PROFESSOR: VLADEMIR DE J. S. OLIVEIRA ENCONTRO 3 AMPLIFICADORES EM CASCATA (ESTUDO DOS PRÉ-AMPLIFICADORES) 1. COMPONENTES DA EQUIPE Alunos Nota: Data:
Resposta em Frequência de Amplificadores. Aula 10 Prof. Nobuo Oki
Resposta em Frequência de Amplificadores Aula 10 Prof. Nobuo Oki Considerações Gerais (1) Polo Simples Efeito Miller Multiplicador do capacitor usando efeito Miller Considerações Gerais (2) Aplicabilidade
CONHECIMENTOS ESPECÍFICOS
CONHECIMENTOS ESPECÍFICOS» CONTROLES E PROCESSOS INDUSTRIAIS (PERFIL 5) «21. Um transistor NMOS, para operar na região de saturação, deve obedecer às seguintes condições: I. A diferença entre a tensão
BACHARELADO EM ENGENHARIA ELÉTRICA Disciplina: Instrumentação Eletrônica Prof.: Dr. Pedro Bertemes Filho
Definição: Termoresistores (RTD) São metais condutores que variam sua resistência ôhmica com a temperatura (dado que sua geometria é bem definida e conhecida). Equação: R T R n a T a T 2 a T n 0 1 1 Onde:
Aula 11. 1. Memória principal e 2. Memória de armazenagem em massa.
Aula 11 Memórias Semicondutoras Introdução Em termos gerais, a memória de um computador pode ser dividida em dois tipos: 1. Memória principal e 2. Memória de armazenagem em massa. A memória principal é
Eletrônica Analógica CEL099 C
Depto. Crcutos Elétrcos Engenhara Elétrca Faculdade de Engenhara Eletrônca Analógca CEL099 C «Aula Prátca Expermental» Amplfcador Inversor de Pequenos Snas com BJT O amplfcador em estudo nesta prátca é
ELETROTÉCNICA ELM ROTEIRO DA AULA PRÁTICA 01 A LEI DE OHM e AS LEIS DE KIRCHHOFF
ELETROTÉCNICA ELM ROTEIRO DA AULA PRÁTICA 01 A LEI DE OHM e AS LEIS DE KIRCHHOFF NOME: TURMA: DATA: / / OBJETIVOS: Ler o valor nominal de cada resistor através do código de cores. Conhecer os tipos de
Medida de Grandezas Eléctricas
Medida de Grandezas Eléctricas As grandezas eléctricas normalmente medidas são: Tensão Corrente Potência eléctrica Energia eléctrica Os valores destas grandezas podem ser obtidas por diferentes formas,
Tecnologias de Circuitos Integrados
Tecnologias de Circuitos Integrados Tecnologias de Circuitos Integrados MOS-CMOS MOSFET (Metal Oxide Silicon Field Effect Field) nmos (N-type MOS) pmos (P-type MOS) CMOS (Complementary - type MOS) Manoel
Eletrônica II. Amplificadores de Potência. Notas de Aula José Maria P. de Menezes Jr.
Eletrônica II Amplificadores de Potência Notas de Aula José Maria P. de Menezes Jr. Amplificadores Amplificador é um equipamento que utiliza uma pequena quantidade de energia para controlar uma quantidade
Díodo de Junção Semicondutora
íodo de Junção emicondutora ispositivos Eletrónicos Licenciatura em Engenharia Electrónica C. Ferreira Fernandes 2012-13 Laboratório de ispositivos Electrónicos ÍOO E JUNÇÃO Material utilizado: Placa de
Aplicações com OpAmp. 1) Amplificadores básicos. Amplificador Inversor
225 Aplicações com OpAmp A quantidade de circuitos que podem ser implementados com opamps é ilimitada. Selecionamos aqueles circuitos mais comuns na prática e agrupamos por categorias. A A seguir passaremos
UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA CATARINA DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA EEL7051 Materiais Elétricos - Laboratório
UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA CATARINA DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA EEL7051 Materiais Elétricos - Laboratório EXPERIÊNCIA 06 CURVAS CARACTERÍSTICAS DE TRANSISTORES E PORTAS LÓGICAS 1 INTRODUÇÃO
] 1 λ V. Modelo Analítico de TMOS. Triodo: Resistência controlada por tensão: Saturação: Fonte de corrente controlada por tensão: V gs.
Triodo: Modelo Analítico de TMOS Resistência controlada por tensão: Saturação: L [ I ds =μ C ox W V I ds = gs V T V ds Fonte de corrente controlada por tensão: 2 V ds ] 1 λ V 2 ds para 0 V ds V gs V T
Folha de características de um díodo zener
Díodo zener Exemplos de limitadores polarizados com díodo zener 101 Folha de características de um díodo zener 102 1 Folha de características de um díodo zener Z Z - impedância de zener para uma corrente
CHAVEAMENTO COM SCR S
ELE-59 Circuitos de Chaveamento Prof.: Alexis Fabrício Tinoco S. INSTITUTO TECNOLÓGICO DE AERONÁUTICA DIVISÃO DE ENGENHARIA ELETRÔNICA DEPARTAMENTO DE ELETRÔNICA APLICADA 1. INTRODUÇAO CHAVEAMENTO COM
ELECTRÓNICA DE POTÊNCIA
ELECTRÓNICA DE POTÊNCIA CONVERSORES CC/CC Redutor, Ampliador e Redutor-Ampliador GRUPO: TURNO: DIA: HORAS: ALUNO: ALUNO: ALUNO: ALUNO: Nº: Nº: Nº: Nº: IST DEEC 2003 Profª Beatriz Vieira Borges 1 CONVERSORES
Prof. Manoel Eusebio de Lima
Eletrônica (Amplificador Push-Pull) Prof. Manoel Eusebio de Lima Operação classe B Estes amplificadores, denominados classe B permite que a corrente do coletor flua apenas por 180 o do ciclo ca em cada
Acionamento de Motores CA
Fundação Universidade Federal ACIONAMENTOS de Mato Grosso do CA Sul 1 Acionamentos Eletrônicos de Motores Acionamento de Motores CA Prof. Márcio Kimpara Prof. João Onofre. P. Pinto Universidade Federal
Aula 8.1 Conteúdo: Eletrodinâmica: Associação de resistores em série, potência elétrica de uma associação em série de resistores. INTERATIVIDADE FINAL
Aula 8.1 Conteúdo: Eletrodinâmica: Associação de resistores em série, potência elétrica de uma associação em série de resistores. Habilidades: Reconhecer as utilidades dos resistores elétricos, assim como,
Eletrônica Aula 04 - transistor CIN-UPPE
Eletrônica Aula 04 - transistor CIN-UPPE Transistor O transistor é um dispositivo semicondutor que tem como função principal amplificar um sinal elétrico, principalmente pequenos sinais, tais como: Sinal
CENTRO TECNOLÓGICO ESTADUAL PAROBÉ CURSO DE ELETRÔNICA
CENTRO TECNOLÓGO ESTADUAL PAROBÉ CURSO DE ELETRÔNA LABORATÓRIO DE ELETRÔNA ANALÓGA I Prática: 6 Assunto: Transistor Bipolar 1 Objetivos: Testar as junções e identificar o tipo de um transistor com o multímetro.
Guia de laboratório de Electrónica II. Osciladores, filtros e conversão AD (3º trabalho)
Instituto Superior Técnico Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores Secção de Electrónica Guia de laboratório de Electrónica II Osciladores, filtros e conversão AD (3º trabalho) Grupo
Modelos de Iluminação e Reflexão
Modelos de Iluminação e Reflexão Edward Angel, Cap. 6 Instituto Superior Técnico Computação Gráfica 2009/2010 1 Na última aula... Recorte 2D Cyrus-Beck Sutherland-Hodgman Recorte 3D Sumário Iluminação
Eletrônica II. Germano Maioli Penello. [email protected]. [email protected] www.lee.eng.uerj.br/~germano. Aula 01
Eletrônica II Germano Maioli Penello [email protected] [email protected] www.lee.eng.uerj.br/~germano Aula 01 Pré-requisito Eletrônica I BJT e FET circuitos de polarização http://en.wikipedia.org/wiki/field-effect_transistor
PLANIFICAÇÃO ANUAL DE CONTEÚDOS Curso Profissional de Técnico de Inst. Elétricas 2012/2013 Eletricidade e Eletrónica (117 h 156t)
Eletricidade e Eletrónica (117 h 1t) Total de Aulas Previstas ( min) 1 1º Período - 13 SET / 1 DEZ 2º Período - 3 JAN / 1 MAR 1 3º Período - 2 ABR / 0 Módulo : - Transístor Bipolar - (27h / 3t) Conhecer
CONHECIMENTOS ESPECÍFICOS» CONTROLE E PROCESSOS INDUSTRIAIS (Perfil 03) «
CONHECIMENTOS ESPECÍFICOS» CONTROLE E PROCESSOS INDUSTRIAIS (Perfil 03) «21. Os valores de I e Vo para o circuito dado a seguir, considerando os diodos ideais, são, respectivamente: a) 7 ma e 6 V. b) 7
Função do 2º Grau. Alex Oliveira
Função do 2º Grau Alex Oliveira Apresentação A função do 2º grau, também chamada de função quadrática é definida pela expressão do tipo: y = f(x) = ax² + bx + c onde a, b e c são números reais e a 0. Exemplos:
PLANIFICAÇÃO MODULAR ANO LECTIVO 2012 / 2013
CURSO/CICLO DE FORMAÇÃO: Técnico de Instalações Elétricas DISCIPLINA: Eletricidade / Eletrónica N.º TOTAL DE MÓDULOS: 8 PLANIFICAÇÃO MODULAR ANO LECTIVO 2012 / 2013 N.º 1 30 Corrente Contínua Identificar
ANEMÔMETRO A FIO QUENTE
UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO NORTE CENTRO DE TECNOLOGIA DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA INSTRUMENTAÇÀO ELTRÔNICA ANEMÔMETRO A FIO QUENTE Cayo Cid de França Moraes 200321285 Natal/RN ANEMÔMETRO
CAP. 3 - EXTENSÔMETROS - "STRAIN GAGES" Exemplo: extensômetro Huggenberger
CAP. 3 - EXTENSÔMETOS - "STAIN GAGES" 3. - Extensômetros Mecânicos Exemplo: extensômetro Huggenberger Baseia-se na multiplicação do deslocamento através de mecanismos de alavancas. Da figura: l' = (w /
MODULADORES QUATRO QUADRANTES
MODULADORES QUATRO QUADRANTES Configuração Interna de um Modulador Construído em Circuito Integrado A concepção de um modulador em CI típico é analisada passo a passo, mostrando configurações intermediarias
Controle de um sistema de ventilação em um quadro de comando e controle
UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO NORTE DEE DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA ENGENHARIA ELÉTRICA INSTRUMENTAÇÂO ELETRÔNICA Controle de um sistema de ventilação em um quadro de comando e controle
EXPERIMENTS MANUAL Manual de Experimentos Manual de Experimentos
SEMICONDUCTOR II Semiconductor II Semicondutor II M-1104B *Only illustrative image./imagen meramente ilustrativa./ Imagem meramente ilustrativa. EXPERIMENTS MANUAL Manual de Experimentos Manual de Experimentos
Amplificadores para sinais de pequena potência em RF
Amplificadores para sinais de pequena potência em RF Gil Pinheiro UERJFENDETEL Amplificadores para sinais de pequena potência em RF Objetivo: Amplificação seletiva de sinais de RF de baixa potência com
4. Conversores de corrente continua-corrente contínua com isolamento
onversores com isolamento galvânico 4. onversores de corrente continuacorrente contínua com isolamento Exercício nº4.1 Pretendese dimensionar um conversor redutor com isolamento galvânico para controlar
Concurso Público para Cargos Técnico-Administrativos em Educação UNIFEI 13/06/2010
Questão 21 Conhecimentos Específicos - Técnico em Eletrônica Calcule a tensão Vo no circuito ilustrado na figura ao lado. A. 1 V. B. 10 V. C. 5 V. D. 15 V. Questão 22 Conhecimentos Específicos - Técnico
Métodos normalizados para medição de resistência de aterramento Jobson Modena e Hélio Sueta *
40 Capítulo VI Métodos normalizados para medição de resistência de aterramento Jobson Modena e Hélio Sueta * A ABNT NBR 15749, denominada Medição de resistência de aterramento e de potenciais na superfície
Como funciona o MOSFET (ART977)
Como funciona o MOSFET (ART977) Os transistores de efeito de campo não são componentes novos. Na verdade, em teoria foram criados antes mesmo dos transistores comuns bipolares. No entanto, com a possibilidade
IFBA MOSFET. CELET Coordenação do Curso Técnico em Eletrônica Professor: Edvaldo Moraes Ruas, EE. Vitória da Conquista - 2009
IFBA MOSFET CELET Coordenação do Curso Técnico em Eletrônica Professor: Edvaldo Moraes Ruas, EE Vitória da Conquista - 2009 MOSFET s - introdução Semicondutor FET de óxido metálico, ou Mosfet (Metal Oxide
CONTROLO DE SISTEMAS
UNIVERSIDADE DA BEIRA INTERIOR DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELECTROMECÂNICA CONTROLO DE SISTEMAS Lugar Geométrico das Raízes PROJECTO E ANÁLISE DA RESPOSTA TRANSITÓRIA E ESTABILIDADE Parte 1/3 - Compensação
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA E CIÊNCIA DA COMPUTAÇÃO MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY CAMBRIDGE, MASSACHUSETTS 02139
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA E CIÊNCIA DA COMPUTAÇÃO MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY CAMBRIDGE, MASSACHUSETTS 02139 6.101 Laboratório de Introdução de Eletrônica Analógica Laboratório No.
p. 1/1 Resumo Osciladores Sintonizados LC Osciladores de Cristal
p. 1/1 Resumo Osciladores Sintonizados LC Osciladores de Cristal p. 2/1 Introdução Osciladores que utilizam transístores bipolares ou MOS, com circuitos LC sintonizados ou cristais como malhas de realimentação
Comunicação de Dados. Aula 5 Transmissão Analógica
Comunicação de Dados Aula 5 Transmissão Analógica Sumário Modulação de sinais digitais Tipos de Modulação Taxa de transmissão x Taxa de modulação Modulação por amplitude Modulação por freqüência Modulação
Trabalho prático: O contador de Geiger-Muller. Descrição geral
Trabalho prático: O contador de Geiger-Muller Descrição geral Um dos primeiros tipos de detector desenvolvidos foi o chamado contador (ou tubo) de Geiger-Muller. Este contador permite detectar a presença
Prof. Antonio Carlos Santos. Aula 7: Polarização de Transistores
IF-UFRJ Elementos de Eletrônica Analógica Prof. Antonio Carlos Santos Mestrado Profissional em Ensino de Física Aula 7: Polarização de Transistores Este material foi baseado em livros e manuais existentes
Circuitos Retificadores
Circuitos Retificadores 1- INTRODUÇÃO Os circuito retificadores, são circuitos elétricos utilizados em sua maioria para a conversão de tensões alternadas em contínuas, utilizando para isto no processo
SEMICONDUTORES. Concentração de portadores de carga:
Unidade 3 SEMICONDUTORES E g ~ 1 ev E F E = 0 Elétron pode saltar da banda de valência para a banda de condução por simples agitação térmica Concentração de portadores de carga: Para metais: elétrons de
CONSIDERAÇÕES SOBRE OS RECEPTORES DE CONVERSÃO DIRETA
CONSIDERAÇÕES SOBRE OS RECEPTORES DE CONVERSÃO DIRETA Muito se tem falado sobre os receptores de conversão direta, mas muita coisa ainda é desconhecida da maioria dos radioamadores sobre tais receptores.
Caderno de Exercícios
Instituto Politécnico do Porto Instituto Superior de Engenharia do Porto Departamento de Engenharia Electrotécnica Curso de Engenharia Electrotécnica Electrónica e Computadores Disciplina de FEELE Caderno
ELECTRÓNICA DE POTÊNCIA
ELECTRÓNIC DE POTÊNCI CIRCUITO DE DISPRO DE UM TIRISTOR CIRCUITO COM CRG RESSONNTE COMUTÇÃO PEL CRG GRUPO: DI: TURNO: HORS: LUNO: LUNO: LUNO: LUNO: Nº: Nº: Nº: Nº: IST DEEC 2003 Profª Beatriz Vieira Borges
Estabilizador de Tensão Alternada
Universidade Federal do Ceará PET Engenharia Elétrica Fortaleza CE, Brasil, Abril, 2013 Universidade Federal do Ceará Departamento de Engenharia Elétrica PET Engenharia Elétrica UFC Estabilizador de Tensão
Prog A B C A e B A e C B e C A,B e C Nenhum Pref 100 150 200 20 30 40 10 130
Polos Olímpicos de Treinamento Curso de Combinatória - Nível 2 Prof. Bruno Holanda Aula 2 Lógica II Quando lemos um problema de matemática imediatamente podemos ver que ele está dividido em duas partes:
ASSOCIAÇÃO EDUCACIONAL DOM BOSCO CAPÍTULO 1 DIODOS RETIFICADORES
INTRODUÇÃO CPÍTULO DIODOS RETIFICDORES O diodo é um dispositivo semi-condutor muito simples e é utilizado nas mais variadas aplicações. O uso mais freqüente do diodo é como retificador, convertendo uma
FÍSICA LISTA DE EXERCÍCIOS APOSTILA 13. c) o objetivo do resistor R neste circuito é transformar energia elétrica em energia luminosa.
FÍSICA Prof. Cazuza LISTA DE EXERCÍCIOS APOSTILA 13 1. (G1 - ifsc 01) Um estudante do ensino médio quer montar em seu quarto um circuito com quatro lâmpadas idênticas com a seguinte especificação (,0 V
Sistemas e Circuitos Eléctricos
Sistemas e Circuitos Eléctricos 1º Ano/1º Semestre EACI 1º Laboratório: Introdução ao Material de Laboratório Pretende-se nesta aula de laboratório que o aluno se familiarize com o material/equipamento
Capítulo IV. Medição de Grandezas Elétricas
Capítulo V Medição de Grandezas Elétricas 4.1 ntrodução Quando você puder medir aquilo de que está falando e exprimir isso em números, saberá algo sobre tal coisa. Enquanto você não puder exprimilo em
Enunciados de Problemas
INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO LICENCIATURA EM ENGENHARIA ELECTROTÉCNICA E DE COMPUTADORES Enunciados de Problemas de Sistemas de Telecomunicações I Ano Lectivo de 2002/2003 2.17 Admita que o coeficiente de
defi departamento de física www.defi.isep.ipp.pt
defi departamento de física Laboratórios de Física www.defi.isep.ipp.pt Resistência eléctrica Instituto Superior de Engenharia do Porto- Departamento de Física Rua Dr. António Bernardino de Almeida, 431
Sensores e Atuadores (2)
(2) 4º Engenharia de Controle e Automação FACIT / 2009 Prof. Maurílio J. Inácio Atuadores São componentes que convertem energia elétrica, hidráulica ou pneumática em energia mecânica. Através dos sistemas
Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul Faculdade de Engenharia Departamento de Engenharia Elétrica
Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul Faculdade de Engenharia Departamento de Engenharia Elétrica Sistemas Digitais I Lista de Exercícios (Circuito astável com LM555, Drives de Potência
ENERGIA DO HIDROGÊNIO - Célula de Combustível Alcalina
Universidade Federal do Pará Instituto de Tecnologia Programa de Pós Graduação em Engenharia Elétrica PPGEE0030 - INTRODUÇÃO ÀS ENERGIAS RENOVÁVEIS Docente: Professor Doutor João Tavares Pinho Discente:
O Amplificador Operacional 741. p. 2/2
p. 1/2 Resumo O Amplificador Operacional 741 Circuito de Polarização e circuito de protecção contra curto-circuito O andar de Entrada O Segundo andar e andar de Saída Polarização do 741 Análise de pequeno
UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO SUL DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA CURSO DE GRADUAÇÃO EM ENGENHARIA ELÉTRICA
UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO SUL DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA CURSO DE GRADUAÇÃO EM ENGENHARIA ELÉTRICA USO DE TECNOLOGIA BIPOLAR NOS CI S ATUAIS CIRCUITOS ELETRÔNICOS INTEGRADOS PROFESSOR
Modelagem de Sistemas Dinâmicos Aula 7
Modelagem de Sistemas Dinâmicos Aula 7 Prof. Daniel Coutinho [email protected] Programa de Pós-Graduação em Engenharia de Automação e Sistemas Universidade Federal de Santa Catarina PGEAS/UFSC DAS9060
Memórias. O que são Memórias de Semicondutores? São componentes capazes de armazenar informações Binárias (0s e 1s)
Memórias O que são Memórias de Semicondutores? São componentes capazes de armazenar informações Binárias (0s e 1s) Essas informações são guardadas eletricamente em células individuais. Chamamos cada elemento
Gerador CC- Excitação Independente
Gerador CC- Excitação Independente Necessidade de uma fonte externa: Outro gerador CC; Retificador (diodo ou controlado); Bateria; etc... Gerador CC- Excitação Independente Analisando o circuito: Rfw ->
LEE 2006/07. Guia de Laboratório. Trabalho 3. Circuitos Dinâmicos. Resposta no Tempo
Análise de Circuitos LEE 2006/07 Guia de Laboratório Trabalho 3 Circuitos Dinâmicos Resposta no Tempo INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores Paulo Flores
Mecânico de Manutenção Aeronáutica AVIÔNICOS II INSTITUTO DE AVIAÇÃO CIVIL ELETRÔNICA. 1ª Edição 23 de Outubro de 2003
Mecânico de Manutenção Aeronáutica AVIÔNICOS II ELETRÔNICA 1ª Edição 23 de Outubro de 2003 INSTITUTO DE AVIAÇÃO CIVIL DIVISÃO DE INSTRUÇÃO PROFISSIONAL PREFÁCIO Este volume, Eletrônica, contendo as matérias
Humberto Hickel de Carvalho - IFSP Cubatão 2015 1 TRANSÍSTOR DE EFEITO DE CAMPO DE JUNÇÃO JFET
Humberto Hickel de Carvalho - IFSP Cubatão 2015 1 TRANSÍSTOR DE EFEITO DE CAMPO DE JUNÇÃO JFET O JFET pode ter seu funcionamento comparado ao do transístor bipolar de junção, TBJ. Enquanto no TBJ a corrente
Um sistema bem dimensionado permite poupar, em média, 70% a 80% da energia necessária para o aquecimento de água que usamos em casa.
Mais Questões Isildo M. C. Benta, Assistência Técnica Certificada de Sistemas Solares Quanto poupo se instalar um painel solar térmico? Um sistema bem dimensionado permite poupar, em média, 70% a 80% da
