Eletrônica II. Germano Maioli Penello. Aula 01

Transcrição

1 Eletrônica II Germano Maioli Penello Aula 01

2 Pré-requisito Eletrônica I BJT e FET circuitos de polarização

3 Objetivos Compreender o funcionamento dinâmico dos FETs e bipolares.

4 Objetivos Compreender o funcionamento dinâmico dos FETs e bipolares. Término do curso Efetuar projetos de amplificadores de vários estágios com estes componentes.

5 Programa Análise do BJT e do FET em AC Estudo de suas características e limitações Resposta em alta e baixa frequência Tipos de amplificadores: Bootstrap e cascode Amplificadores de vários estágios Resposta em alta e baixa frequência

6 Critérios de aprovação P1, P2. Mp = (P1 + P2)/2 Mp >= 7.0, APROVADO Np = 0.7 x Mp x Nexp P3. Mf = (Np + P3)/2 Mf >= 5, APROVADO No caso de falta justificada em uma das provas P1 ou P2, o aluno poderá realizar uma segunda chamada. No caso de falta de duas provas, o aluno será reprovado. Presença será cobrada e reprovação por falta é automática!

7 Bibliografia Microelectronic circuits Sedra, Adel S. and Smith, Kenneth Carless Oxford university press

8 Bibliografia Microelectronic circuits Sedra, Adel S. and Smith, Kenneth Carless Oxford university press Cronograma No site:

9 Aplicativos Device Fabrication PNP or NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) FET Amplifier Circuits with BJT or MOSFET

10 Aplicativos Transistors (Bipolar) NPN Transistor (Bipolar) PNP Transistor (Bipolar) Switch Emitter Follower Common-Emitter Amplifier Unity-Gain Phase Splitter Schmitt Trigger Current Source Current Source Ramp Current Mirror MOSFETs n-mosfet p-mosfet Switch Source Follower Current Source Current Ramp Current Mirror Common-Source Amplifier

11 Aplicativos

12 Site do curso Aulas (powerpoint, pdf) Informações gerais do curso Critério de aprovação Bibliografia adicional Links para as referências, applets, Calendário (aulas, provas, feriados) Material de leitura adicional Listas de exercícios

13 MOSFET

14 MOSFET Dispositivo de 3 terminais Amplificação de sinal Lógica digital Memória Largamente utilizado no design de CI

15 MOSFET Dispositivo de 3 terminais Amplificação de sinal Lógica digital Memória Largamente utilizado no design de CI Fabricado em dimensões reduzidas Opera em baixa potência Utilizado em projetos de VLSI (microprocessadores atuais)

16 Fabricação do MOSFET

17 Operação do MOSFET

18 Operação do MOSFET V gs < V t - Região de corte (i D = 0) Canal só é criado quando V gs > V t (V ov < V gs V t ) V ds < V ov (Região Triodo) V ds < V ov (Região de saturação) Observe essas regiões no aplicativo do slide anterior

19 Característica de transferência de tensão (VTC) Q - ponto quiescente

20 Característica de transferência de tensão (VTC) Q - ponto quiescente

21 Ganho de tensão de sinal pequeno

22 Operação de sinal pequeno Na saturação, i D a V ov 2 ou i D a (V GS - V t ) 2

23 Modelo de circuito equivalente para sinais pequenos Fonte de corrente controlada por tensão

24 Amplificadores MOSFET

25 BJT

26 BJT

27 BJT

28 BJT

29 Região ativa e de saturação Transistor npn com corrente I E constante. Atenção! Saturação em BJT é completamente diferente do MOSFET. A região de saturação do MOSFET corresponde à região ativa do BJT.

30 Região ativa

31 Amplificador de tensão

32 Amplificação linear Ponto quiescente

33 Amplificação linear