ASSOCIAÇÃO EDUCACIONAL DOM BOSCO. FACULDADE DE ENGENHARIA DE RESENDE ENGENHARIA ELÉTRICA ELETRÔNICA Laboratório de Eletrônica I 3 Ano de Engenharia

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1 ASSOAÇÃO EDUAONAL DOM BOSO 1 FAULDADE DE ENGENHAA DE ESENDE ENGENHAA ELÉTA ELETÔNA Laboratório de Eletrônica 3 Ano de Engenharia apítulo 2 Transistores Bipolares (BJT) APÍTULO 2 TANSSTOES BPOLAES (BJT) EXPEÊNA 4: ESTABLZAÇÃO DO PONTO QUESENTE E POLAZAÇÃO DO TANSSTO PNP POEDMENTO POLAZAÇÃO PO DSO DE TENSÃO: 1. Mudar a posição das chaves para que as chaves h3, h6 e h7 fiquem na posição fechada (ON) e todas as demais chaves fiquem abertas. Ajustar +ar em 10. Nesta situação tem-se o circuito da Figura (ar.) c 7 10 kω 8 2,2 kω (PT4) B 1 kω (PT5) Q2 B 548 E (PT6) e 330 Ω (PT0) AGN D OFF ON Figura 1 ircuito de Polarização por Divisão de Tensão, Posição das haves 2. Medir e anotar os valores de tensão B (PT4), E (PT6), (PT5) e terra do osciloscópio em PT0 : B [] E [] [] 3. alcular os seguintes valores: Datapool Eletrônica Prof. Alvaro esar Otoni Lombari

2 ASSOAÇÃO EDUAONAL DOM BOSO 2 FAULDADE DE ENGENHAA DE ESENDE ENGENHAA ELÉTA ELETÔNA Laboratório de Eletrônica 3 Ano de Engenharia apítulo 2 Transistores Bipolares (BJT) E E a) Fonte de Alimentação Negativa: POLAZAÇÃO DO TANSSTO PNP: 4. om a placa EB-02 instalada no Slot F, aproveitar o Slot E para conectar com um fio (do tipo telefônico) o terminal G8 do módulo com o terra analógico (terminal G13 - AGND). om outro fio, conectar o terminal G10 do módulo ao terminal G12 ( 12 ). Nestas condições, o transistor PNP encontra-se polarizado com uma fonte de alimentação negativa, segundo o circuito da figura kω (PT11) (G10) c 3,9 kω (PT8) 2 2,2 kω (PT7) B (PT10) AGND Q3 B 558 E (PT9) e 1 kω (G8) H G +ar AGND K 1 K Figura 2 ircuito de Polarização do transistor PNP com fonte negativa, Ligação no slot E 5. Medir e anotar os valores de tensão B (PT7), (PT8) e E (PT9), em relação a PT10 (GND): B [] [] E [] 6. alcular os seguintes valores: Datapool Eletrônica Prof. Alvaro esar Otoni Lombari

3 ASSOAÇÃO EDUAONAL DOM BOSO FAULDADE DE ENGENHAA DE ESENDE ENGENHAA ELÉTA ELETÔNA Laboratório de Eletrônica 3 Ano de Engenharia apítulo 2 Transistores Bipolares (BJT) 3 E E Nota: Para substituir um transistor NPN por outro transistor do tipo PNP, basta trocar a polaridade da fonte de alimentação (comparar os circuitos de polarização das figuras 4.1 e 4.2). Em caso de fontes unipolares, onde existe só a fonte positiva, utiliza-se outra forma de polarização do transistor PNP com a fonte de alimentação positiva. b) Fonte de alimentação positiva 7. Mudar as conexões dos terminais G8 e G10 do módulo, de maneira que G8 receba alimentação positiva desde o terminal G15 (+12 ), e que G10 fique aterrado desde o terminal G13 (AGND). Nestas condições, tem-se o circuito de polarização com fonte positiva mostrado na Figura 3. Tomar cuidado ao fazer as mudanças das conexões do circuito para evitar um possível curto circuito ,2 KΩ (PT7) B (PT10) (G8) E 1 KΩ E (PT9) Q3 B KΩ (PT11) (PT8) 3,9 KΩ (G10) Figura 3 ircuito de polarização do transistor PNP com fonte positiva, Ligação para obter o circuito. 8. epetir os passos 5 e 6, agora com referência em PT11 (GND). B (PT7) [] (PT8) [] E (PT9) [] Datapool Eletrônica Prof. Alvaro esar Otoni Lombari

4 ASSOAÇÃO EDUAONAL DOM BOSO FAULDADE DE ENGENHAA DE ESENDE ENGENHAA ELÉTA ELETÔNA Laboratório de Eletrônica 3 Ano de Engenharia apítulo 2 Transistores Bipolares (BJT) 9. alcular os valores de: 4 E E Nota: Observar que quando é invertida a posição do transistor e das resistências com respeito à terra, a alimentação é através de uma fonte positiva. omo resultado tem-se o mesmo efeito do método de polarização anterior. POLAZAÇÃO DO EMSSO 10. etirar os fios de ligação colocados nos terminais G8 e G10 do módulo. om todas as chaves desligadas (OFF), o circuito de polarização do emissor da figura 4.4 está conectado à fonte analógica de +12 e 12, como mostrado no esquemático: Figura 4 ircuito de polarização do Emissor. Posição das chaves 11. Medir e anotar os valores de tensão B (PT12), (PT13) e E (PT14), em relação ao terra (PT0) : B (PT12) [] (PT13) [] E (PT14) [] 12. alcular os seguintes valores: Datapool Eletrônica Prof. Alvaro esar Otoni Lombari

5 ASSOAÇÃO EDUAONAL DOM BOSO 5 FAULDADE DE ENGENHAA DE ESENDE ENGENHAA ELÉTA ELETÔNA Laboratório de Eletrônica 3 Ano de Engenharia apítulo 2 Transistores Bipolares (BJT) E E DSUSSÃO Se for necessário um ponto quiescente estável, recorre-se à utilização da polarização por divisor de tensão ou à polarização do emissor. om estes tipos de polarização, os efeitos da instabilidade provocada pela variação do hfe são virtualmente eliminados. A polarização do emissor apresenta o inconveniente de exigir uma fonte de alimentação simétrica, ao contrário da polarização por divisor de tensão, que requer apenas uma fonte de alimentação simples, razão pelo qual é muito utilizada. Este método também é chamado de Polarização Universal. Quanto à polarização de transistores PNP, todos os métodos de polarização vistos para o transistor NPN são válidos, uma vez que se faça a devida inversão da tensão de alimentação, pois, os diodos base-coletor e base-emissor são opostos nos dois tipos de transistores, fazendo com que todas as correntes e tensões sejam invertidas. Datapool Eletrônica Prof. Alvaro esar Otoni Lombari