Electrónica I. 1º Semestre 2010/ º Trabalho de Laboratório Amplificador com Transístores Bipolares. Teresa Mendes de Almeida Fernando Gonçalves

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1 Electrónica I 1º Semestre 2010/2011 2º Trabalho de Laboratório Amplificador com Transístores Bipolares Teresa Mendes de Almeida Fernando Gonçalves INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores Área Científica de Electrónica Outubro de 2008 Revisto em Outubro de 2010

2 1. Introdução Pretende-se com este trabalho de laboratório analisar o funcionamento do circuito amplificador da figura 1, que é constituído por dois blocos amplificadores ligados em cascata (amplificador de emissor comum e amplificador seguidor de emissor) e realizados de forma discreta. Serão considerados diversos aspectos da sua topologia e do seu modo de funcionamento, nomeadamente determinação do ponto de funcionamento em repouso, dos ganhos de tensão e de corrente, das resistências de entrada e de saída na banda de passagem do amplificador e ainda a sua resposta em frequência. A realização do amplificador discreto baseia-se na utilização de dois transístores bipolares NPN B (ver a folha de características em anexo a este guia de trabalho). A realização do trabalho de laboratório compreende os seguintes passos: i. antes da primeira sessão de trabalho no laboratório deve ser realizada toda a análise teórica do circuito; ii. iii. iv. na primeira sessão de laboratório devem ser realizadas as simulações (com o programa PSpice Schematics) e os resultados obtidos devem ser confrontados com os cálculos teóricos (os ficheiros necessários às simulações podem ser preparados antes da aula de laboratório); os componentes para a montagem do circuito serão entregues na primeira sessão de laboratório. Caso disponham de tempo livre, podem aproveitar a parte final da aula para montarem o circuito. Nota: A placa de bread-board para a montagem do circuito deverá ser trazida pelos alunos; na segunda sessão de laboratório devem ser realizadas as medições experimentais e os resultados obtidos devem ser comparados com os cálculos teóricos e com os resultados das simulações. O relatório é entregue no final desta segunda aula de laboratório. 2. Material de Laboratório e Equipamento Para a realização do trabalho experimental é necessário o seguinte material e equipamento: 2 Transístores bipolares NPN - B Resistências: 220, 820, 1 k, 1,6 k, 2,7 k, 12 k, 39 k, 68 k Condensadores: 0,1 F, 2 10 F 1 Placa de bread-board e fios de ligação 2

3 Osciloscópio digital (com ligação a PC para utilização do programa HIMES) Gerador de sinais Multímetro 3. Análise Teórica Considere o circuito amplificador da figura 1, que é constituído por dois andares amplificadores, de acordo com o diagrama de blocos da figura 2. O primeiro andar é um amplificador de emissor comum e o segundo andar amplificador é um circuito seguidor de emissor. V CC V CC V CC R 1 R C R S i in v in C 1 v B1 Q 1 v O1 Q 2 v o2 C 2 v s R 2 R E1 R E2 C E R E3 R L i out + Vout - R i1 R o1 R i2 R o2 V CC =15 V, Q 1 =Q 2 [V BEon =0,67 V, F = o =305, V CEsat =0,2 V, V A =+ e V T =25 mv], C 1 =0.1 F, C 2 =C E =10 F, R S =12 k, R 1 =68 k, R 2 =39 k, R C =1,6 k, R E1 =220, R E2 =820, R E3 =2,7 k, R L =1 k Figura 1 Amplificador discreto com transístores bipolares. R S C 1 C 2 Amplificador 1 Amplificador 2 + v s R L Vout - Figura 2 Diagrama de blocos do circuito amplificador. 3

4 NOTAS: Em cada questão apresente sempre os esquemas eléctricos usados, o conjunto de equações iniciais e as equações finais, assim como os valores numéricos calculados (não precisa de apresentar os cálculos relativos aos passos intermédios da manipulação simbólica). Caso faça alguma aproximação nos cálculos, apresente a sua justificação e validação. Analise teoricamente o circuito, respondendo às questões seguintes: 3.1. Determine o PFR dos transístores, apresentando os valores das seguintes grandezas: V B1, V C1, V E1, V E2, I R1, I R2, I B1, I C1, I E1, I B2, I C2 e I E Considere a partir de agora o amplificador a funcionar na banda de passagem (C 1 =C E =C 2 =+ ). Calcule os valores das resistências de entrada dos blocos amplificadores, R i2 e R i1 (calcule primeiro R i2 e use o seu valor para calcular R i1 ), considerando que R L exerce um efeito de carga no circuito Calcule os valores das resistências de saída dos blocos amplificadores, R o1 e R o2 (calcule primeiro R o1 e use o seu valor para calcular R o2 ) Considere o primeiro bloco amplificador de forma isolada e calcule o ganho de tensão em vazio, A 1 =v o1 /v in (quando i o1 =0, ou seja, considerando R i2 =+ ) Considere o segundo bloco amplificador de forma isolada e calcule o ganho de tensão em vazio, A 2 =v o2 /v o1 (quando i o2 =0, ou seja, considerando R L =+ ) Calcule agora os ganhos de tensão A 1L =v o1 /v in e A 2L =v out /v o1 quando se consideram os efeitos de carga, pelo facto de os blocos amplificadores não estarem isolados (note que os circuitos incrementais são os mesmos considerados anteriormente, apenas mudam os valores de algumas das resistências). Com base nos ganhos de tensão A 1L e A 2L determine o ganho de tensão do circuito amplificador carregado, A 12L =v out /v in =A 1L A 2L, e o ganho incremental de tensão total do circuito: A v =v out /v s =R i1 /(R S +R i1 ) A 1L A 2L Com base no ganho de tensão A 12L, calcule o ganho de corrente A i =i out /i in Qual seria o ganho do amplificador carregado com R L, A V =v out /v s, se não fosse usado o segundo andar amplificador? Com base nos valores das resistências e dos ganhos de tensão calculados, explique porque há vantagem em serem usados dois andares amplificadores Admitindo que a frequência de corte inferior do amplificador é unicamente imposta pelo condensador C E, faça uma estimativa do seu valor. 4

5 4. Simulação Para realizar a simulação do funcionamento do circuito considere os transístores caracterizados pelo modelo descrito na tabela apresentada a seguir. Deve introduzir o componente QBreakN para os transístores e de seguida deve alterar os seus parâmetros seleccionando o componente e acedendo à seguinte sequência de comandos: Edit Model Edit Instance Model (Text) e na janela que fica aberta devem ser introduzidos os parâmetros de acordo com a tabela (pode ser feito «copy» e «paste» a partir de um editor que não introduza caracteres escondidos, por exemplo o «notepad»). As características ficam então guardadas num ficheiro ***.lib, cujo nome e directoria é o indicado na janela de edição em «Save To»..MODEL B NPN( IS=2.39E-14 NF=1.008 ISE=3.545E-15 NE=1.541 BF=294.3 IKF= VAF=63.2 NR=1.004 ISC=6.272E-14 NC=1.243 BR=7.946 IKR= VAR=25.9 RB=1 IRB=1E-06 RBM=1 RE= RC=0.85 XTB=0 EG=1.11 XTI=3 CJE=4.858E-11 VJE=0.65 XTF=120 VTF=2.643 ITF= PTF=0 CJC=6.928E-12 VJC= MJC=955 XCJC= TR=1E-32 CJS=0 VJS=0.75 MJS=0.333 FC= ) NOTAS: A fim de facilitar a identificação das formas de onda nos gráficos dos resultados, dê nomes ilustrativos aos sinais de tensão (vs, vin, vb1, etc.). Para isso basta seleccionar uma linha de ligação entre dois componentes do circuito (clicar duas vezes na linha) e atribuir-lhe o nome (Label). Utilize a opção Plot Label Mark para assinalar pontos nos gráficos. Quando impresso, esses pontos ficarão visíveis, permitindo comprovar os valores mencionados no relatório. Todos os valores pedidos ou usados em cálculos devem ser identificados com esta opção. Simule o funcionamento do circuito e responda às questões seguintes Faça uma análise do ponto de funcionamento em repouso (Bias Point Detail) e determine as seguintes tensões e correntes: V B1, V C1, V E1, V E2, I R1, I R2, I B1, I C1, I E1, I B2, I C2 e I E2. Obtenha uma figura com o esquema do circuito, onde as tensões e correntes em repouso devem estar visíveis. Identifique os valores pedidos e elimine os valores que não foram pedidos. 5

6 4.2. Aplique na entrada um sinal sinusoidal com 200 mv de amplitude e 2 khz de frequência (gerador de sinal VSIN). Visualize 5 períodos dos sinais e obtenha um gráfico com as tensões v s (t), v in (t), v o1 (t) e v out (t) fazendo uma análise no domínio do tempo (Transient ). A partir do gráfico obtido, determine os ganhos de tensão A 1L, A 2L e A v. Não utilize os 3 períodos iniciais para estes cálculos, pois ainda não correspondem ao regime estacionário. Nota: Para que as formas de onda fiquem mais perceptíveis, pode visualizar a tensão v O1 (t) noutra janela. Essa janela deve ser criada com a opção Plot Add Plot to Window Mantendo as condições da alínea anterior, obtenha um novo gráfico com v B1 (t), v o1 (t) e v o2 (t). Obtenha os valores médios de cada uma das formas de onda usando a fórmula (MAX(v x ) + MIN(v x ))/2. Compare-os com os valores obtidos em repouso (alínea 4.1) Obtenha um gráfico com as tensões v s (t), v o1 (t) e v ce1 (t). Aumente a amplitude do sinal de entrada até se verificar distorção forte no sinal de saída (distorção na parte superior e inferior de v o1 ). Sobre a forma de onda de v o1 (t) identifique, justificando, as diferentes zonas de funcionamento do transístor Q Altere o gerador sinusoidal para um gerador AC (gerador de sinal VAC) com 200 mv de amplitude e determine a resposta em frequência do amplificador, obtendo um gráfico de V out ( )/V s ( ) em db. Para isso faça uma análise na frequência (AC Sweep ), variando a frequência entre 1 Hz e 100 MHz com 101 pontos por década. Identifique o ganho para as frequências intermédias e determine as frequências de corte a -3 db, f H e f L. Com base nas frequências de corte, calcule a largura de banda do amplificador, f = f H - f L. 5. Trabalho Experimental PRECAUÇÕES / RECOMENDAÇÕES: Antes de aplicar sinais na entrada do circuito verifique que o circuito já está alimentado, ou seja, V CC está ligado a 15 V e a massa do circuito está ligada a um ponto GND da base de alimentação. Antes de aplicar um sinal na entrada do circuito visualize-o no osciloscópio e verifique se corresponde ao sinal pretendido Identifique na figura 1 os terminais dos transístores (consulte a folha de características do transístor que está em anexo a este guia). Ao montar o circuito na placa de breadboard tente manter uma topologia com correspondência directa ao circuito da figura 1 6

7 (base à esquerda, colector em cima, V CC em cima, GND em baixo, etc.), o que facilita as medições experimentais e a detecção de eventuais erros na montagem do circuito Monte o circuito na placa de bread-board sem incluir os condensadores, e as resistências R S e R L. Não ligue ainda a fonte de alimentação Ajuste a fonte de tensão para 15 V. Só depois de ter verificado que o nível de tensão está correcto é que deve proceder à ligação da fonte ao circuito Com o voltímetro meça e registe as tensões V CC, V B1, V C1, V E1 e V E2. Se os valores não corresponderem ao esperado, abra a ligação entre os dois andares (fio que liga o colector de Q 1 à base de Q 2 ) e verifique primeiro a montagem do primeiro andar amplificador, medindo as tensões pedidas. Verifique depois a montagem do segundo andar e ligue-o ao primeiro, voltando a medir as tensões pedidas Inclua agora no circuito os condensadores e as resistências R S e R L. Verifique que não há engano na montagem, vendo que não há qualquer alteração nas tensões DC medidas anteriormente Ligue o gerador de sinais ao canal 1 do osciloscópio (canal 1, em modo DC) e ajuste-o para obter um sinal sinusoidal de 200 mv de amplitude e 2 khz de frequência. Depois de ter ajustado o sinal, desligue-o do osciloscópio e aplique-o na entrada do circuito, v s. Colocando o canal 2 do osciloscópio em modo AC, observe e registe os seguintes gráficos: Gráfico 1: v in e v o1 ; Gráfico 2: v o1 e v out. Não confunda v in com v s. Comente os resultados obtidos. Nota: Em cada gráfico identifique o sinal de entrada e de saída e não se esqueça de indicar o posicionamento da tensão de referência (GND) para os dois canais Meça as amplitudes dos sinais v in, v o1 e v out usando um voltímetro em modo AC, o qual indica o valor eficaz e não a amplitude da sinusóide. Com base nas amplitudes medidas experimentalmente calcule os ganhos de tensão A 1L =v o1 /v in e A 2L =v out /v o Observe os sinais v s e v o1 em modo DC. Aumente a amplitude do sinal de entrada até que se verifique distorção significativa em v o1 (transístores a saírem da zona activa directa). Registe os sinais de entrada e de saída, v s e v o1, identificando cada uma das formas de onda Reponha a amplitude do sinal de entrada em 200 mv. Observando a tensão v out em modo AC, varie a frequência do sinal e registe as frequências de corte inferior, f L, e superior, f H, do circuito amplificador (-3 db 1 / 2 ). Calcule a sua largura de banda, f = f H - f L. 7

8 6. Relatório O relatório (entregue no final da segunda sessão de laboratório) deve obrigatoriamente respeitar a seguinte sequência de capítulos/secções: Análise teórica (inclui as respostas às questões 3.1 a 3.9) Simulação (inclui as respostas às questões 4.1 a 4.5 sempre que se justifique, assinale os valores pedidos sobre os próprios gráficos) Trabalho experimental (inclui as respostas e gráficos referentes às questões 5.4 a 5.9) Análise dos resultados (no mínimo, inclui as comparações de resultados que se indicam nas tabelas abaixo sugestão: utilize as tabelas para resumir os valores que obteve ao longo do trabalho e aproveite a coluna Comentário para inserir a sua análise dos resultados) Conclusões Grandezas a comparar Teórica Simulação Experimental Comentários Tensões e correntes em repouso Ganhos A 1L, A 2L e A v e 5.7 Distorção Resposta em frequência Como na segunda sessão de laboratório é necessário realizar o trabalho experimental e completar o relatório, o relatório deve ser estruturado e parcialmente realizado antes da segunda aula de laboratório, para que durante a aula apenas seja necessário completar os aspectos referentes aos resultados experimentais. Deve trazer o relatório já impresso. 7. Folha de Características do Transístor B (ver páginas seguintes) 8

9 BC546B, A, B, C, B, C Amplifier Transistors NPN Silicon Features PbFree Packages are Available* COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS Collector - Emitter Voltage Collector - Base Voltage Rating Symbol Value Unit BC546 BC546 V CEO V CBO Vdc Vdc Emitter - Base Voltage V EBO 6.0 Vdc Collector Current Continuous I C 100 madc Total Device Derate above 25 C Total Device T C = 25 C Derate above 25 C Operating and Storage Junction Temperature Range THERMAL CHARACTERISTICS P D P D mw mw/ C W mw/ C T J, T stg 55 to +150 C Characteristic Symbol Max Unit Thermal Resistance, JunctiontoAmbient R JA 200 C/W Thermal Resistance, JunctiontoCase R JC 83.3 C/W Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. TO92 CASE 29 STYLE 17 2 BASE 3 EMITTER STRAIGHT LEAD BENT LEAD BULK PACK TAPE & REEL AMMO PACK MARKING DIAGRAM BC 54x AYWW x = 6, 7, or 8 A = Assembly Location Y = Year WW = Work Week = PbFree Package (Note: Microdot may be in either location) *For additional information on our PbFree strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D. ORDERING INFORMATION See detailed ordering and shipping information in the package dimensions section on page 5 of this data sheet. Semiconductor Components Industries, LLC, 2007 March, 2007 Rev. 6 1 Publication Order Number: BC546/D

10 BC546B, A, B, C, B, C ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit OFF CHARACTERISTICS Collector Emitter Breakdown Voltage V (BR)CEO V (I C = 1.0 ma, I B = 0) BC Collector Base Breakdown Voltage (I C = 100 Adc) BC546 Emitter Base Breakdown Voltage (I E = 10 A, I C = 0) BC546 Collector Cutoff Current (V CE = 70 V, V BE = 0) BC546 (V CE = 50 V, V BE = 0) (V CE = 35 V, V BE = 0) (V CE = 30 V, T A = 125 C) BC546/547/548 ON CHARACTERISTICS DC Current Gain (I C = 10 A, V CE = 5.0 V) A BC546B/547B/548B C V (BR)CBO V (BR)EBO I CES h FE V V na A (I C = ma, V CE = 5.0 V) BC546 A BC546B/547B/548B C/C (I C = 100 ma, V CE = 5.0 V) A/548A BC546B/547B/548B C Collector Emitter Saturation Voltage (I C = 10 ma, I B = 0.5 ma) (I C = 100 ma, I B = 5.0 ma) (I C = 10 ma, I B = See Note 1) Base Emitter Saturation Voltage (I C = 10 ma, I B = 0.5 ma) Base Emitter On Voltage (I C = ma, V CE = 5.0 V) (I C = 10 ma, V CE = 5.0 V) SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS Current Gain Bandwidth Product (I C = 10 ma, V CE = 5.0 V, f = 100 MHz) BC546 Output Capacitance (V CB = 10 V, I C = 0, f = 1.0 MHz) Input Capacitance (V EB = 0.5 V, I C = 0, f = 1.0 MHz) Small Signal Current Gain (I C = ma, V CE = 5.0 V, f = 1.0 khz) BC546 /548 A BC546B/547B/548B C/548C Noise Figure (I C = ma, V CE = 5.0 V, R S = 2 k, f = 1.0 khz, f = 200 Hz) BC I B is value for which I C = 11 ma at V CE = 1.0 V. V CE(sat) V BE(sat) 0.7 V V BE(on) 0.55 f T V V MHz C obo pf C ibo 10 pf h fe NF db 2

11 BC546B, A, B, C, B, C / hfe, NORMALIZED DC CURRENT GAIN V CE = 10 V V, VOLTAGE (VOLTS) V I C /I B = 10 V V CE = 10 V V I C /I B = I C, COLLECTOR CURRENT (madc) I C, COLLECTOR CURRENT (madc) Figure 1. Normalized DC Current Gain Figure 2. Saturation and On Voltages VCE, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (V) I C = 10 ma I C = 20 ma I C = 50 ma I B, BASE CURRENT (ma) I C = 200 ma I C = 100 ma 20 VB, TEMPERATURE COEFFICIENT (mv/ C) θ C to +125 C I C, COLLECTOR CURRENT (ma) Figure 3. Collector Saturation Region Figure 4. BaseEmitter Temperature Coefficient C, CAPACITANCE (pf) C ib 3.0 C ob V R, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) f, T CURRENTGAIN BANDWIDTH PRODUCT (MHz) I C, COLLECTOR CURRENT (madc) V CE = 10 V Figure 5. Capacitances Figure 6. CurrentGain Bandwidth Product 3

12 BC546B, A, B, C, B, C BC hfe, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED) V CE = 5 V V, VOLTAGE (VOLTS) V I C /I B = 10 V V CE = 5.0 V V I C /I B = I C, COLLECTOR CURRENT (ma) I C, COLLECTOR CURRENT (ma) Figure 7. DC Current Gain Figure 8. On Voltage VCE, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS) ma I C = 10 ma 50 ma 100 ma I B, BASE CURRENT (ma) 200 ma 20 VB, TEMPERATURE COEFFICIENT (mv/ C) θ VB for V BE 55 C to 125 C I C, COLLECTOR CURRENT (ma) Figure 9. Collector Saturation Region Figure 10. BaseEmitter Temperature Coefficient C, CAPACITANCE (pf) C ib C ob V R, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) f, T CURRENTGAIN BANDWIDTH PRODUCT V CE = 5 V I C, COLLECTOR CURRENT (ma) Figure 11. Capacitance Figure 12. CurrentGain Bandwidth Product 4

13 BC546B, A, B, C, B, C ORDERING INFORMATION Device Package Shipping BC546B TO Units / Bulk BC546BG TO92 (PbFree) 5000 Units / Bulk BC546BRL1 TO / Tape & Reel BC546BRL1G BC546BZL1G TO92 (PbFree) TO92 (PbFree) 2000 / Tape & Reel 2000 / Ammo Box ARL TO / Tape & Reel ARLG AZL1G BG BRL1G BZL1G CG CZL1G BG BRL1G BZL1G CG TO92 (PbFree) TO92 (PbFree) TO92 (PbFree) TO92 (PbFree) TO92 (PbFree) TO92 (PbFree) TO92 (PbFree) TO92 (PbFree) TO92 (PbFree) TO92 (PbFree) TO92 (PbFree) 2000 / Tape & Reel 2000 / Ammo Box 5000 Units / Bulk 2000 / Tape & Reel 2000 / Ammo Box 5000 Units / Bulk 2000 / Ammo Box 5000 Units / Bulk 2000 / Tape & Reel 2000 / Ammo Box 5000 Units / Bulk CZL1G TO92 (PbFree) 2000 / Ammo Box For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D. 5

14 BC546B, A, B, C, B, C PACKAGE DIMENSIONS TO92 (TO226) CASE 2911 ISSUE AM R A N B STRAIGHT LEAD BULK PACK NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, CONTROLLING DIMENSION: INCH. 3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND DIMENSION R IS UNCONTROLLED. 4. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P AND BEYOND DIMENSION K MINIMUM. P L SEATING INCHES MILLIMETERS PLANE K DIM MIN MAX MIN MAX A B C D X X D G H G J H J K V C L N P SECTION XX R N V R T SEATING PLANE P G A X X V 1 B K C N BENT LEAD TAPE & REEL AMMO PACK D J SECTION XX NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M, CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS. 3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND DIMENSION R IS UNCONTROLLED. 4. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P AND BEYOND DIMENSION K MINIMUM. MILLIMETERS DIM MIN MAX A B C D G J K N P R 2.93 V 3.43 STYLE 17: PIN 1. COLLECTOR 2. BASE 3. EMITTER ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. Typical parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including Typicals must be validated for each customer application by customer s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner. PUBLICATION ORDERING INFORMATION LITERATURE FULFILLMENT: Literature Distribution Center for ON Semiconductor P.O. Box 5163, Denver, Colorado USA Phone: or Toll Free USA/Canada Fax: or Toll Free USA/Canada orderlit@onsemi.com N. American Technical Support: Toll Free USA/Canada Europe, Middle East and Africa Technical Support: Phone: Japan Customer Focus Center Phone: ON Semiconductor Website: Order Literature: For additional information, please contact your local Sales Representative BC546/D