Montagens Básicas com Transístores
|
|
|
- Sabrina Alves Alencastre
- 8 Há anos
- Visualizações:
Transcrição
1 Instituto Politécnico de Tomar Escola Superior de Tecnologia de Tomar Departamento de Engenharia Electrotécnica ELECTRÓNICA I Trabalho Prático N.º 3 Montagens Básicas com Transístores Efectuado pelos alunos: Turma: Turma: Turma: Turma: Curso: Data: Grupo: 2004/2005
2 1. Introdução Um transístor de junção bipolar (TJB) é um dispositivo semicondutor, controlado por corrente, capaz de multiplicar a corrente que circula no seu terminal de controlo que é designado por base. Este é constituído por duas junções PN que partilham uma região comum (base) caracterizada pela sua pequena espessura e baixa dopagem. Quando esta região é do tipo N (colocada entre duas regiões tipo P) o transístor é designado PNP; se for do tipo P (colocada entre duas regiões tipo N) o transístor é NPN. Os três terminais ligados a cada uma das regiões são denominadas Emissor (E), Base (B) e Colector (C). v CB C v BC C B i B i C v CE B i B i C v EC v BE i E v EB i E E E (a) NPN (b) PNP Figura 1 Símbolos dos transístores bipolares e tensões associadas. Zonas de funcionamento Cada junção do TJB pode ser directa ou inversamente polarizada, independentemente da outra junção. Existem, portanto, quatro modos ou zonas de operação do TJB: zona activa(directa), zona de corte, zona de saturação e zona activa inversa (pouco utilizada). A tabela 1 indica o estado de cada junção para cada zona de funcionamento. Zona de operação Polarização das junções E missor - base Colector - base Zona activa (directa) Directamente Inversamente Corte Inversamente Inversamente Saturação Directamente Directamente Zona activa inversa Inversamente Directamente Tabela 1 Polarização das junções consoante as zonas de funcionamento do TJB. Uma das montagens mais frequentemente utilizadas devido ao seu grande ganho de potência é a montagem em emissor comum que é representada na figura 2. A figura 3 representa a característica de saída (família de curvas I C como função de V CE tendo como parâmetro a corrente de base I B ) em emissor comum do transístor NPN de silício 2N2222. É possível identificar três regiões de operação do TJB: zona activa (ou linear), a zona de corte e a zona de saturação. 2/9
3 I C NPN 2N2222 I B V B - V C - RC VCC I E Figura 2- Montagem em emissor comum. Figura 3 Característica de saída da montagem em emissor comum. Zona activa Quando a junção emissor-base está directamente polarizada e a junção colector-base inversamente polarizada e transístor encontra-se a funcionar na zona activa. A tensão V BE é tipicamente de 0,7V (ver tabela 2). Nesta zona de funcionamento pode utilizar-se a expressão (aproximada) que relaciona a corrente de colector com a corrente de base. I C =β F.I B Na zona activa, esta expressão constitui uma excelente aproximação. Esta equação indica que o transístor tem o comportamento de uma fonte de corrente dependente (a corrente I C depende da corrente I B ). Como normalmente β F >>1, a pequenos aumentos de I B correspondem grandes aumentos de I C, de forma (quase) independente de V CE. Existem ligeiras diferenças entre o ganho para pequenos sinais e em CC (corrente continua) pelo que se considera que são iguais: 3/9
4 h FE =I c /I B β F Os valores típicos de h FE variam entre 50 e 500 (para transístores de pequenos sinais); encontram-se, no entanto, transístores com um h FE superior a Note-se que, nos catálogos de características de transístores, pode-se encontrar indiferentemente β, β F, β CC ou h FE. Zona de corte Verifica-se quando a corrente de base é nula, sendo, neste caso, equivalente a manter o circuito de base aberto. Nestas circunstâncias, a corrente do colector é tão pequena (Igual a I CB0 ) que, se a desprezarmos, podemos comparar o transístor, no circuito colector-emissor, com um interruptor aberto e dizer que o transístor está ao corte. As junções neste caso, estão polarizadas da seguinte maneira: - Junção colector - base inversamente polarizada; - Junção base - emissor inversamente polarizado ou sem polarização. Zona de saturação Nesta região, ambas as junções estão directamente polarizadas. Tipicamente verifica-se que V CEsat 0,2V (ver tabela 2). Na figura 3 esta zona é a que está compreendida entre a origem de coordenadas e o joelho das curvas. Nesta zona, a corrente de colector é aproximadamente independente da corrente de base, para determinados valores de R C e V CC. Portanto, na saturação, a corrente de colector já não é controlada pela corrente de base (a relação entre I C e I B já não é dada por β F ). O transístor, no circuito colector-emissor assemelha-se a um interruptor fechado e a corrente que circula pelo circuito colector é limitada apenas pelo circuito externo. A tabela 2 indica as tensões típicas nas junções dos TJB de Silício a 25ºC, em cada zona de funcionamento. V CE V BE Na fronteira Inicio de Inicio de Saturação Corte entre a condução do condução do TJB saturação e a zona activa TJB 0,3V 0,5 0, V Tabela 2 Tensões típicas nas junções dos TJB de silício a 25ºC. Considerações práticas Como qualquer outro componente, o transístor, como elemento real, possui algumas limitações em relação às suas condições de trabalho, que não devem ser ultrapassadas para assegurar a durabilidade e/ou o bom funcionamento do componente. As informações acerca destas limitações são especificadas pelos fabricantes e vêm indicadas nos catálogos ou folhas de características ( Databook ou Data Sheet ). A título de exemplo, apresentam-se a seguir alguns destes valores limite para o caso do tr ansístor BC107 (a 25º): 4/9
5 Tensão máxima colector-emissor com a base em circuito aberto (V CE0 ) 45 V Tensão máxima colector-emissor com a base em curto-circuito (V CES ) 50V Tensão máxima colector-base com o emissor em circuito aberto (V CB0 ) 45V Tensão de ruptura emissor base (V EB) 6V Corrente contínua de colector (máx.) (I C máx ) 100 ma Corrente de pico de colector (máx.) 200 ma Potência total dissipada (P tot ) 300mW O BC 107 é um transístor de baixa potência, para pequenos sinais e de múltiplas aplicações, (em inglês general purpose ); é de silício pelo que se pode considerar que, quando na zona activa, V BE = 0,7V e I CB0 0. A potência total dissipada no TJB é a soma da potência dissipada no circuito de base e no circuito de colector. Como a corrente de base é muito menor que a do colector, normalmente despreza-se considerando assim, a potência dissipada no transístor como sendo: P tot = V CE.I C Existe uma nomenclatura Europeia para as referências dos transístores que é dada na tabela 3. Primeira Letra Segunda Letra Letra Significado Letra Significado A Germânio C Para Baixa Frequência (BF) B Silício D De potência para BF C Gálio F Para alta Frequência (AF) L De potência para AF S Para comutação U De potência para comutação Tabela 3 Nomenclatura Europeia de transístores. Exemplo: O BC 107 é um transístor de Silício com baixa potência de dissipação e que é feito para operar a baixas frequências. Identificação dos transístores BC 107 E B BC 547B C E B C Figura 4 Identificação dos terminais dos transístores (vista por baixo). 5/9
6 2- Objectivos deste trabalho Estudo de várias montagens básicas com transístores, emissor comum, colector comum e base comum. 3- Material - 1 Transístor BC547-3 resistências - 1 resistência de 1k - 1 resistência de 4k7-1 resistência de 100k - 1 condensador 100µF - Fonte de alimentação /-15V - Osciloscópio e gerador de funções Nota: Todas montagens devem ser simuladas com o PSPICE ou EWB. Para o PSPICE devem utilizar os modelos dos transistores que estão no anexo. 4- Montagem de emissor comum Monte o seguinte circuito 15V 4k7 Vin Vout 100k 100uF -15V Ligue Vin à massa e meça as tensões em todos os nós do circuito. Determine o ponto de funcionamento em repouso da montagem e a partir dai o seu modelo incremental Para uma onda de entrada sinusoidal com 1kHz de frequência, varie a amplitude de Vin e observe Vout. Comente Meça a tensão de entrada e de saida sem distorção e, calcule o ganho da montagem. Compare com o valor obtido a partir do modelo incremental. Qual a função do condensador de 100uF? 6/9
7 5- Montagem de colector comum Monte o seguinte circuito Vin 15V Vout 100k -15V Determine o ponto de funcionamento do circuito e a partir dai o seu modelo incremental Para uma onda de entrada sinuosidade com 1 khz de frequência, varie a amplitude de Vin e observe Vout. Comente Meça a tensão de entrada e de saida sem distorção e, calcule o ganho da montagem. Compare com o valor obtido a partir do modelo incremental. 6 - Montagem de emissor comum com resistência de emissor. Monte o seguinte circuito 15V 4k7 Vin Ri Vout1 Vout2 100k Para uma onda de entrada sinuosidade de 1kHz de frequência, varie Vin e observe Vout1 e Vout2 simultaneamente. Comente Meça a tensão de entrada e das saidas sem distorção, e calcule o ganho da montagem para cada uma das saídas. Compare com o valor obtido a partir do modelo incremental. -15V 7/9
8 7 - Montagem de base comum Monte o seguinte circuito 15V 4k7 Vout Vin 100uF 1k -15V Para uma onda de entrada sinusoidal de 1kHz de frequência, varie Vin e observe Vout. Comente Meça a tensão de entrada e de saida sem distorção e, calcule o ganho da montagem. Compare com o valor obtido a partir do modelo incremental. 8/9
9 ANEXO:.MODEL BC548C NPN( AF= 1.00E00 BF= 4.66E02 BR= 2.42E00 CJC= 5.17E-12 CJE= 1.33E-11 CJS= 0.00E00 EG= 1.11E00 FC= 9.00E-01 IKF= 1.80E-01 IKR= 1.00E00 IRB= 1.00E01 IS= 1.95E-14 ISC= 1.00E-13 ISE= 1.31E-15 ITF= 1.03E00 KF= 0.00E00 MJC= 3.19E-01 MJE= 3.26E-01 MJS= 3.30E-01 NC= 2.00E00 NE= 1.32E00 NF= 9.93E-01 NR= 1.20E00 PTF= 0.00E00 RB= 2.65E01 RBM= 1.00E01 RC= 1.73E00 RE= 1.00E00 TF= 6.52E-10 TR= 0.00E00 VAF= 9.17E01 VAR= 2.47E01 VJC= 3.39E-01 VJE= 6.32E-01 VJS= 7.50E-01 VTF= 1.65E00 XCJC= 1.00E00 XTB= 0.00E00 XTF= 1.00E02 XTI= 3.00E00) *****************************************************************.MODEL BC558B PNP( AF= 1.00E00 BF= 2.38E02 BR= 8.07E00 CJC= 1.02E-11 CJE= 1.54E-11 CJS= 0.00E00 EG= 1.11E00 FC= 6.60E-01 IKF= 3.00E-01 IKR= 1.00E00 IRB= 1.12E00 IS= 1.69E-14 ISC= 1.00E-13 ISE= 1.00E-17 ITF= 9.50E-01 KF= 0.00E00 MJC= 3.45E-01 MJE= 4.19E-01 MJS= 3.30E-01 NC= 2.00E00 NE= 2.00E00 NF= 1.01E00 NR= 1.00E00 PTF= 0.00E00 RB= 5.00E01 RBM= 1.00E01 RC= 1.49E00 RE= 9.50E-02 TF= 5.64E-10 TR= 0.00E00 VAF= 1.00E02 VAR= 5.00E01 VJC= 3.00E-01 VJE= 8.00E-01 VJS= 7.50E-01 VTF= 1.47E00 XCJC= 1.00E00 XTB= 0.00E00 XTF= 5.51E01 XTI= 3.00E00) 9/9
Montagens Básicas com Transístores
Instituto Politécnico de Tomar Escola Superior de Tecnologia de Tomar Departamento de Engenharia Electrotécnica ELECTRÓNICA I Trabalho Prático N.º 3 Montagens Básicas com Transístores Efectuado pelos alunos:
Introdução Teórica aula 9: Transistores
Introdução Teórica aula 9: Transistores Definição de Transistores de Junção Bipolar Os Transistores de Junção Bipolar (TJB) são dispositivos não- lineares de 3 terminais construídos com base em duas junções
REVISÃO TRANSISTORES BIPOLARES. Prof. LOBATO
REVISÃO TRANSISTORES BIPOLARES Prof. LOBATO Evolução O transistor é um dispositivo semicondutor que tem como função principal amplificar um sinal elétrico, principalmente pequenos sinais, tais como: Sinal
Análise de TJB para pequenos sinais Prof. Getulio Teruo Tateoki
Prof. Getulio Teruo Tateoki Constituição: -Um transístor bipolar (com polaridade NPN ou PNP) é constituído por duas junções PN (junção base-emissor e junção base-colector) de material semicondutor (silício
Montagens Básicas com Díodos
Instituto Politécnico de Tomar Escola Superior de Tecnologia de Tomar Departamento de Engenharia Electrotécnica ELECTRÓNICA I Trabalho Prático N.º 2 Montagens Básicas com Díodos Efectuado pelos alunos:
Folha 5 Transístores bipolares.
Folha 5 Transístores bipolares. 1. Considere um transístor npn que possui uma queda de potencial base emissor de 0.76 V quando a corrente de colector é de 10 ma. Que corrente conduzirá com v BE = 0.70
13. Electrónica transístores bipolares
13. Electrónica transístores 13.1. bipolares omponente activo saída com maior potência do que entrada O excesso de potência vem da fonte de alimentação ipolar = com duas polaridades 13.1 É constituído
1 ELETRÔNICA BÁSICA - LISTA DE EXERCÍCIOS. Coordenadoria de Eletrotécnica Eletrônica Básica Lista de Exercícios Transistor
1. Quais são as relações entre as dopagens e as dimensões no emissor, base e coletor de um transistor bipolar? 2. Para o funcionamento de um transistor, como devem estar polarizadas suas junções? 3. Quais
Transistor de Junção Bipolar (TJB)
Transistor de Junção Bipolar (TJB) 25-abr-11 1 DEFINIÇÃO : O termo TRANSISTOR vem da expressão em inglês TRANSfer resistor (resistor de transferência), como era conhecido pelos seus inventores. É um componente
Capítulo 3 Transistor Bipolar de Junção - TBJ. Prof. Eng. Leandro Aureliano da Silva
Capítulo 3 Transistor Bipolar de Junção - TBJ Prof. Eng. Leandro Aureliano da Silva Agenda Introdução Operação do Transistor Modos de Operação do Transistor Convenções Utilizadas para Tensões e Correntes
TE 046 DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
TE 046 DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS Oscar C. Gouveia Filho Departamento de Engenharia Elétrica UFPR URL: www.eletrica.ufpr.br/ogouveia/te046 E-mail: [email protected] TE 046 Dispositivos Eletrônicos
Aula 23. Transistor de Junção Bipolar I
Aula 23 Transistor de Junção Bipolar I Transistores Transistor é um dispositivo semicondutor de 3 regiões semicondutoras, duas do tipo P e uma do tipo N ou duas do tipo N e uma do tipo P. O termo transistor
Eletrônica Aula 04 - transistor CIN-UPPE
Eletrônica Aula 04 - transistor CIN-UPPE Transistor O transistor é um dispositivo semicondutor que tem como função principal amplificar um sinal elétrico, principalmente pequenos sinais, tais como: Sinal
Transistores Bipolares de Junção (TBJ) Parte I
AULA 06 Transistores Bipolares de Junção (TBJ) Parte I Prof. Rodrigo Reina Muñoz [email protected] T1 2018 Conteúdo Transistores Bipolares Operação do Transistor Correntes no Transistor Curvas
CIRCUITOS AMPLIFICADORES COM TRANSÍSTORES DE JUNÇÃO BIPOLARES TRABALHO DE LABORATÓRIO Teoria dos Circuitos e Fundamentos de Electrónica Teresa Mendes de Almeida [email protected] Área Científica
Estruturas Analógicas
Instituto Federal de Santa Catarina Departamento Acadêmico de Eletrônica Curso Técnico em Eletrônica Prof. André Luís Dalcastagnê Estruturas Analógicas I Transistor Bipolar Instituto Federal de Santa Catarina
EN Dispositivos Eletrônicos
EN 2719 - Dispositivos Eletrônicos Aula 5 Transistor Bipolar 2015.1 1 Introdução Os dispositivos semicondutores de três terminais são muito mais utilizados que os de dois terminais (diodos) porque podem
Curso Técnico em Eletroeletrônica Eletrônica Analógica II
Curso Técnico em Eletroeletrônica Eletrônica Analógica II Aula 04 Transistores BJT: configurações básicas Curvas características Prof. Dra. Giovana Tripoloni Tangerino 2016 BJT CONFIGURAÇÕES BÁSICAS npn
Colectânea de Problemas
Teoria dos Circuitos e Fundamentos de Electrónica Mestrado em Engenharia Física Tecnológica (MEFT) Mestrado em Engenharia Biomédica (MEBiom) Colectânea de Problemas 1 Teoria dos Circuitos 2 Circuitos com
Electrónica II. 1º Trabalho de Laboratório Realimentação
Electrónica II 2º Semestre 2010/2011 1º Trabalho de Laboratório Realimentação (1º trabalho) Fevereiro 2011 Instituto Superior Técnico Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores Área Científica
TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (Unidade 5)
MINISTÉRIO DA EDUCAÇÃO SECRETARIA DE EDUCAÇÃO PROFISSIONAL E TECNOLÓGICA INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO, CIÊNCIA E TECNOLOGIA DE SANTA CATARINA TÉCNICO EM ELETROMECÂNICA DISCIPLINA: ELETRÔNICA GERAL TRANSISTOR
Trabalho prático nº 5 de Electrónica 2009/2010
Trabalho prático nº 5 de Electrónica 29/21 Título: Circuito amplificador com um transístor em montagem de emissor comum (com e sem degenerescência do emissor). Sumário Proceder se á à montagem de um circuito
5. Componentes electrónicos
Sumário: Constituição atómica da matéria Semicondutores Díodos Transístores LEI FÍSICA 1 Constituição da matéria: A matéria pode ser encontrada no estado sólido, líquido ou gasoso. Toda a matéria é constituída
Trabalho prático nº 4 de Electrónica 2008/2009
Trabalho prático nº 4 de Electrónica 2008/2009 Título: Circuito amplificador com um transístor em montagem de emissor comum (com e sem degenerescência do emissor). Sumário Proceder se á à montagem de um
Transistor BJT FABRÍCIO RONALDO - DORIVAL
Transistor BJT FABRÍCIO RONALDO - DORIVAL Construção Transistor Bipolar de Junção (BJT) Construção análoga à do diodo. No diodo, junta-se semicondutores do tipo P e N, com mesmo nível de dopagem. Temos
1. TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR
1. TRANSSTOR DE JUNÇÃO POLAR Criado em 1947 (ell Telephone). Mais leve, menor, sem perdas por aquecimento, mais robusto e eficiente que a válvula. 6.1 Construção - Dispositivo semicondutor formado por
Escola Politécnica - USP
Escola Politécnica - USP Equipe:- Turma: PSI 2327 Laboratório de Eletrônica III Exp 4: Amplificadores Múltiplos Estágios - - Profs: - - Data de Realização do Experimento: Nota: Bancada: 2005 Esta experiência
REGULADOR A DIODO ZENER
NAESTA00-3SA FUNDAMENTOS DE ELETRÔNICA LABORATÓRIO Prof. Rodrigo Reina Muñoz REGULADOR A DIODO ZENER. OBJETIVOS Após completar estas atividades de laboratório, você deverá ser capaz de observar o funcionamento
Aula 8. Transistor BJT. Prof. Alexandre Akira Kida, Msc., Eng. Eletrônica
Aula 8 Transistor BJT Prof. Alexandre Akira Kida, Msc., Eng. Eletrônica 1 Programa de Aula Introdução/Histórico do transistor Transistor bipolar de junção (BJT): Estrutura física Simbologia Circuito elétrico
UNIVERSIDADE LUSÓFONA DE HUMANIDADES E TECNOLOGIAS LICENCIATURA EM ENGENHARIA ELECTROTÉCNICA ELECTRÓNICA GERAL
UNIVERSIDADE LUSÓFONA DE HUMANIDADES E TECNOLOGIAS LICENCIATURA EM ENGENHARIA ELECTROTÉCNICA ELECTRÓNICA GERAL 3º TRABALHO DE LABORATÓRIO DÍODO João Beirante 1º Parte do Trabalho de Laboratório 1. INTRODUÇÃO
Símbolo: O terminal que se encontra mais próximo do anel é o cátodo (K).
Missão Salesiana De Mato Grosso - Universidade Católica Dom Bosco Instituição Salesiana De Educação Superior Laboratório de Eletrônica II EXPERIÊNCIA 1: DIODO ZENER 2012B/4ºSEMESTRE PROFESSOR: GERIEL DIAS
Trabalho Final. Amplificador de áudio para estetoscópio electrónico. Dept. Engenharia Electrotécnica. Novembro de Versão 1.0
Dept. Engenharia Electrotécnica Disciplina : Electrónica Amplificador de áudio para estetoscópio electrónico Novembro de 2011 Versão 1.0 Ref: DEE-EI-03-001-010 1- Introdução Este trabalho tem como objectivos
O amplificador operacional Parte 1: amplificador inversor não inversor
Instituto uperior Técnico Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores Área de Electrónica O amplificador operacional Parte : amplificador inversor não inversor Trabalho de Laboratório Teoria
Colectânea de Problemas de Electrónica I (enunciados)
IST - DEEC Colectânea de Problemas de Electrónica I (enunciados) A.T. Freitas, J. Fernandes, I.C. Teixeira, J.P. Teixeira Versão 4 Dezembro de 2003 1º. Semestre 2003/04 Índice Cap. 1 - Modelação de Dispositivos
INTRODUÇÃO À ELETRÔNICA INDUSTRIAL (Unidade 1)
MINISTÉRIO DA EDUCAÇÃO SECRETARIA DE EDUCAÇÃO PROFISSIONAL E TECNOLÓGICA INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO, CIÊNCIA E TECNOLOGIA DE SANTA CATARINA TÉCNICO EM MECATRÔNICA DISCIPLINA: ELETRÔNICA INDUSTRIAL INTRODUÇÃO
Guias de Telecomunicações
Guias de Telecomunicações Wander Rodrigues CEFET MG 2005 Sumário Apresentação do Laboratório de Telecomunicações... 04 Circuitos ressonantes... 28 Circuitos osciladores de onda senoidal oscilador Hartley...
Transistores Bipolares de Junção (BJT) TE214 Fundamentos da Eletrônica Engenharia Elétrica
Transistores Bipolares de Junção (BJT) TE214 Fundamentos da Eletrônica Engenharia Elétrica O nome transistor vem da frase transferring an electrical signal across a resistor Plano de Aula Contextualização
Eletrônica II. Germano Maioli Penello. II _ html.
Eletrônica II Germano Maioli Penello [email protected] http://www.lee.eng.uerj.br/~germano/eletronica II _ 2015-1.html Aula 12 1 Transistor de junção bipolar Da mesma forma que vimos o MOSFET, apresentaremos
Introdução 5. Configurações do transistor 6. Curvas características 7. Parâmetros das curvas características 8
Sumário Introdução 5 Configurações do transistor 6 Curvas características 7 Parâmetros das curvas características 8 Curvas características na configuração emissor comum 9 Curvas características de saída
Segunda Lista-Aula - Disciplina : Eletrônica - PSI 2306
Segunda Lista-Aula - Disciplina : Eletrônica - PSI 2306 Assunto : Transcondutância e modelos -híbrido e T aplicados ao cálculo do ganho de tensão em amplificadores simples com TBJ s. Exercício 1 Sabendo-se
Transistor como chave. DP - Exercícios
Transistor como chave. DP - Exercícios Introdução : Um transistor pode operar como uma chave eletrônica quando opera nas regiões do corte e da saturação. Dependendo da aplicação dessa chave alguns cuidados
LABORATÓRIO DE DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS Guia de Experimentos
UNIVERSIDADE FEDERAL DE CAMPINA GRANDE CENTRO DE ENGENHARIA ELÉTRICA E INFORMÁTICA DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA LABORATÓRIO DE DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS Experimento 4 Transistor Bipolar Amplificador
Eletrônica II. Germano Maioli Penello. II _ html.
Eletrônica II Germano Maioli Penello [email protected] http://www.lee.eng.uerj.br/~germano/eletronica II _ 2015-1.html Aula 11 1 Transistor de junção bipolar Da mesma forma que vimos o MOSFET, apresentaremos
Transistor Bipolar de Junção - TBJ Cap. 4 Sedra/Smith Cap. 2 Boylestad Cap. 6 Malvino
Transistor Bipolar de Junção - TBJ Cap. 4 Sedra/Smith Cap. 2 Boylestad Cap. 6 Malvino Fundamentos do TBJ Notas de Aula SEL 313 Circuitos Eletrônicos 1 Parte 1 1 o Sem/2016 Prof. Manoel Introdução O transistor
Relatório. 1º Trabalho de Laboratório Transístor Bipolar de Junção
Instituto Superior Técnico Mestrado em Engenharia Biomédica 2º Semestre (2011/2012) Electrónica Geral Relatório 1º Trabalho de Laboratório Transístor Bipolar de Junção Grupo 2: Ana Filipa Vieira 67302
Laboratório 10 - Transistor BJT
Laboratório 10 - Transistor BJT Prof. Dr. Marcelo de Oliveira Rosa Prof. MSc. José da Silva Maia 10 de agosto de 2011 Resumo Nesta experiência lidaremos com o transistor BJT, com ensaios de polarização,
O díodo ideal Noções sobre o funcionamento do díodo semicondutor. Modelo de pequenos sinais
Díodos O díodo ideal Noções sobre o funcionamento do díodo semicondutor Equações aos terminais Modelo de pequenos sinais 2 Um díodo é um componente que só permite a passagem de corrente num sentido. (Simbolicamente
Análise de Circuitos II. Sumário
Sumário Laboratório de Eletrônica Transformador... 3 Laboratório de Eletrônica Retificador de meia onda... 6 Laboratório de Eletrônica Retificador de onda completa... 8 Laboratório de Eletrônica Retificador
2. Dispositivos Semicondutores: Transistor Bipolar de Junção
2. Dispositivos Semicondutores: de Junção Professor: Vlademir de Oliveira Disciplina: Eletrônica 2.2. de Junção Aplicações dos Transistores - Região de corte e saturação: transistor como chave - Região
GUIA DE LABORATÓRIO PARA AS AULAS PRÁTICAS DE ELETRÔNICA II
GUIA DE LABORATÓRIO PARA AS AULAS PRÁTICAS DE ELETRÔNICA II DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELETRÔNICA E DE COMPUTAÇÃO ESCOLA POLITÉCNICA UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO DE JANEIRO Guia de Laboratório - Eletrônica
Eletrônica (Amplificador Push-Pull) Prof. Manoel Eusebio de Lima
Eletrônica (Amplificador Push-Pull) Prof. Manoel Eusebio de Lima Amplificador classe B Este tipo de configuração permite mais ganho do que um transistor poderia fornecer sozinho. Este amplificador "pushpull
Universidade Federal de São João del-rei. Material Teórico de Suporte para as Práticas
Universidade Federal de São João del-rei Material Teórico de Suporte para as Práticas 1 Amplificador Operacional Um Amplificador Operacional, ou Amp Op, é um amplificador diferencial de ganho muito alto,
ELETRÔNICA II CAPÍTULO 2
ELETRÔNCA CAPÍTULO CRCUTOS DE POLARZAÇÃO DO TRANSSTOR O objetivo deste capítulo é fazer uma (breve) revisão sobre conceitos envolvendo a reta de carga (c.c.) do transistor e algumas das polarizações nas
Guia de laboratório de Electrónica II. Realimentação (2º trabalho)
Instituto Superior Técnico Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores Secção de Electrónica Guia de laboratório de Electrónica II Realimentação (2º trabalho) Grupo Nº Número Nome Turno:
Electrónica II Amplificadores de Potência
Introdução Os amplificadores são normalmente compostos por vários andares em cascata: entrada e intermédios operam com pequenos sinais. ao andar de saída é solicitada uma potência suficientemente elevada
Trabalho de Laboratório. Electrónica Geral LERCI. Circuitos com Transistores MOS
Trabalho de Laboratório Electrónica Geral LERCI Circuitos com Transistores MOS Número Nome Grupo: Professor: Instituto Superior Técnico Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores Área
ROTEIRO 09 e 10 Circuito Amplificador de Pequenos Sinais
- UTFPR DAELT Engenharia Elétrica e/ou Controle e Automação Disciplina: Laboratório de Eletrônica ET74C Prof.ª Elisabete Nakoneczny Moraes ROTEIRO 09 e 10 Circuito Amplificador de Pequenos Sinais Visto
ELETRÔNICA I. Apostila de Laboratório. Prof. Francisco Rubens M. Ribeiro
ELETRÔNICA I Apostila de Laboratório Prof. Francisco Rubens M. Ribeiro L E E UERJ 1996 Prática 01 - Diodo de Silício 1 - Objetivo: Levantamento da característica estática VxI do diodo de Si, com o auxílio
Polarização do BJT FABRÍCIO RONALDO - DORIVAL
FABRÍCIO RONALDO - DORIVAL Basicamente precisaremos lembrar que: v BE = 0.7 V (fornecido) i E = (β + 1) i B i C i C = β i B Iniciamos as análises determinado i B e posteriormente usamos as relações acima
CAPÍTULO 5 TRANSISTORES BIPOLARES
CAPÍTULO 5 TRANSSTORES BPOLARES O transistor é um dispositivo semicondutor de três terminais, formado por três camadas consistindo de duas camadas de material tipo "n", de negativo, e uma de tipo "p",
Roteiro-Relatório da Experiência N o 6 O TRANSISTOR BIPOLAR COMO CHAVE
UNVERSDADE DO ESTADO DE SANTA CATARNA - UDESC Roteiro-Relatório da Experiência N o 6 O TRANSSTOR BPOLAR COMO CHAVE 1. COMPONENTES DA EQUPE: ALUNOS 1 2 3 NOTA 4 Prof.: Celso José Faria de Araújo 5 Data:
Aula 7 Transistores. Patentes
Aula 7 Transistores 1 Patentes 2 1 Definição Transistor TRANSfer resstor Dispositivo semicondutor que pode controlar corrente a partir de corrente ou a partir de tensão ndiretamente pode ser utilizado
Escola Superior de Tecnologia
Escola Superior de Tecnologia Departamento de Engenharia Electrotécnica Electrónica I 1º Trabalho de Laboratório Características V-I do díodo de silício, do díodo Zener e do díodo emissor de luz - LED
Transistores. Figure 1. corrente de electrões num díodo de junção p-n
Transistores O primeiro transistor (de junção) foi desenvolvido nos laboratórios Bell (EU) em 1948. O seu uso comercial, no entanto, deu-se muito mais tarde. Os primeiros transístores de junção eram de
Escola Politécnica - USP
Escola Politécnica - USP Equipe: - Turma: PSI 2325 Laboratório de Eletrônica I Exp 7: Amplificadores Diferenciais - - Profs: - - Data de Realização do Experimento: Nota: Bancada: 2002 B 102 Laboratório
ELETRICIDADE E ELETRÔNICA EMBARCADA
MINISTÉRIO DA EDUCAÇÃO SECRETARIA DE ECUCAÇÃO PROFISSIONAL E TECNOLÓGICA INSTITUTO FEDERAL DE SANTA CATARINA CAMPUS FLORIANÓPOLIS ELETRICIDADE E ELETRÔNICA EMBARCADA E-mail: [email protected]
Eletrônica e Eletrotécnica Automotiva
Eletrônica e Eletrotécnica Automotiva Aulas 8 e 9: Transístores 18/05/2016 1 Sumário Por dentro das portas lógicas A história do transistor A revolução eletrônica Por dentro do transistor Polarização Regiões
O amplificador operacional Parte 2: Factor de rejeição de modo comum (CMRR),taxa de inflexão (slew rate) e tensão de desvio (offset)
Instituto uperior Técnico Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores Área de Electrónica O amplificador operacional Parte : Factor de rejeição de modo comum (CMRR),taxa de inflexão (slew
Curva Característica de um Díodo de Junção
Curva Característica de um Díodo de Junção Ano Lectivo 2003/2004-2º Semestre O presente trabalho prático é composto por duas secções : Protocolo Descrição dos procedimentos a efectuar pelo aluno. O protocolo
AMPLIFICADOR EMISSOR COMUM
AMPLIFICADOR EMISSOR COMUM OBJETIVOS: a) analisar o funcionamento de um amplificador na configuração emissor comum; b) analisar a relação de fase entre a entrada e a saída de um sinal. INTRODUÇÃO TEÓRICA
3. TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÕES. (regime variável)
3. TRANSSTOR POLAR D JUNÇÕS (regime variável) 2006 2007 Laboratório de Dispositivos lectrónicos TRANSSTOR POLAR D JUNÇÕS Pretende-se estudar um transistor 547/557 cujas características de catálogo são:
1. Introdução. Nesta experiência será estudado o funcionamento de um amplificador diferencial. Figura 1: Circuito do Amplificador Diferencial
1. Introdução Nesta experiência será estudado o funcionamento de um amplificador diferencial. 2. Projeto (a ser realizado ANTES da aula experimental) Características básicas dos semicondutores: Figura
Figura 6.1: Símbolo do diodo
Aula 6 Diodos 6.1 Introdução O objetivo desta aula é estudar mais um dos componentes importantes da eletrônica, o diodo. O diodo é um dispositivo elétrico semicondutor que tem a característica de permitir
Interruptores Semicondutores
Interruptores Semicondutores Nikolas Libert Aula 8A Eletrônica de Potência ET53B Tecnologia em Automação Industrial Transistor Bipolar de Junção (TBJ) de Potência Transistor Bipolar de Junção (TBJ) de
TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (UJT)
TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (UJT) OBJETIVOS: Verificar experimentalmente o funcionamento de um transistor de unijunção, através de um oscilador de relaxação. INTRODUÇÃO TEÓRICA O transistor de unijunção (UJT
Escola Politécnica - USP
Escola Politécnica - USP PSI 2327 Laboratório de Eletrônica III Exp 3: Geradores de Varredura Equipe:- - - Turma: Profs: - - Data de Realização do Experimento: Nota: Bancada: 2005 1. Introdução Esta experiência
Transistor. Este dispositivo de controle de corrente recebeu o nome de transistor.
Transistor Em 1947, John Bardeen e Walter Brattain, sob a supervisão de William Shockley no AT&T Bell Labs, demonstraram que uma corrente fluindo no sentido de polaridade direta sobre uma junção semicondutora
Plano de Aula. 1 Diodos. 2 Transistores Bipolares de Junção - TBJ. 3 Transistores de Efeito de campo - FETs. 4 Resposta em Frequência
Plano de Aula 1 Diodos 2 Transistores Bipolares de Junção - TBJ 3 Transistores de Efeito de campo - FETs 4 Resposta em Frequência 5 Projeto - Fonte automática de tensão regulável Prof. Dr. Baldo Luque
Tecnologia em Automação Industrial ELETRÔNICA II. Aula 02. Revisão: transistores BJT. Prof. Dra. Giovana Tripoloni Tangerino
Tecnologia em Automação Industrial ELETRÔNICA II Aula 02 Revisão: transistores BJT Prof. Dra. Giovana Tripoloni Tangerino https://giovanatangerino.wordpress.com [email protected] [email protected]
AMPLIFICADOR DE PEQUENOS
P U C E N G E N H A R I A LABORATÓRIO DE DCE 2 EXPERIÊNCIA 6: AMPLIFICADOR DE PEQUENOS SINAIS COM TBJ Identificação dos alunos: Data: 1. Turma: 2. 3. Professor: 4. Conceito: I. Objetivos Familiarização
Eletrônica Básica - ELE 0316 / ELE0937
2.1 - Breve Histórico Diodo à válvula inventado em 1904 por J. A. Fleming; De 1904 a 1947: uso predominante de válvulas; 1906: Lee de Forest acrescenta terceiro elemento, a grade de controle: triodo; Rádios
1 a AULA PRÁTICA - ESTUDO DE BJT (NPN)
a AULA PÁTICA - ESTUDO DE BJT (NPN) ) Objetio: * Obter características de CC de um transistor bipolar de junção NPN. * Fazer um projeto de polarização. ) Trabalho Preparatório: A) Descrea sucintamente
Aulas Revisão/Aplicações Diodos e Transistores 2
Aulas 24-25 Revisão/Aplicações Diodos e Transistores 2 Revisão - Junção PN Ao acoplar semicondutores extrínsecos do tipo P e do tipo N, criamos a junção PN, atribuída aos diodos. Imediatamente a esta "união"
PARTE 1. Transistores como Chave de Potência Introdução Projeto (transistor como chave de potência)
Exp. 3 Dispositivos de Potência B 1 PARTE 1. Transistores como Chave de Potência 1.1. Introdução Esta parte da experiência tem como objetivo estudar o comportamento de transistores operando como chaves.
Décima Lista-Aula - Disciplina : Eletrônica I - PSI 3321
Décima Lista-Aula - Disciplina : Eletrônica I - PSI 3321 Assunto : Transcondutância e modelos π-híbrido e T aplicados ao cálculo do ganho de tensão em amplificadores simples com TBJ s Exercício 1 Sabendo-se
Eletrônica Básica - ELE 0316 / ELE0937
2.1 - Breve Histórico Diodo à válvula inventado em 1904 por J. A. Fleming; De 1904 a 1947: uso predominante de válvulas; 1906: Lee de Forest acrescenta terceiro elemento, a grade de controle: triodo; Rádios
Capítulo 2 Transistores Bipolares
Capítulo 2 Transistores Bipolares Breve Histórico De 1904 a 1947: uso predominante de válvulas; Diodo à válvula inventado em 1904 por J. A. Fleming; 1906: Lee de Forest acrescenta terceiro elemento, a
Guias de Laboratório da Unidade Curricular Eletrónica 2 (Licenciatura em Engenharia Eletrotécnica e de Computadores)
Guias de Laboratório da Unidade Curricular Eletrónica 2 (Licenciatura em Engenharia Eletrotécnica e de Computadores) Jorge Manuel Martins ESTSetúbal, julho de 2017 Índice Lab. 1 - Estudo de um Amplificador
Lista de Exercícios n o.3 +V CC = 5 V I C I E
Universidade Federal da Bahia - DEE Dispositivos Semicondutores ENG C41 Lista de Exercícios n o.3 1) Dimensione o resistor para que a porta inversora da Fig.1 funcione satisfatoriamente: + V I - I B =
