Memórias. Memórias: Utilização:

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1 1 : São dispositivos que armazenam informações codificadas digitalmente que podem representar números, letras, caracteres quaisquer, comandos de operações, endereços ou ainda qualquer outro tipo de dado. Utilização: As memórias encontram seu grande emprego no campo da informática, sendo utilizadas principalmente em computadores e periféricos. 2 1

2 Classificação das 1 Acesso: O Tempo de Acesso de uma memória é o tempo necessário desde a entrada de um endereço até o momento em que a informação apareça na saída. Temos duas maneiras diferentes de acesso: Acesso seqüencial: passam por todas as localidades de endereço intermediárias. Ex: Fitas magnéticas. Acesso aleatório: permitem que se chegue diretamente até o endereço. Ex: Memória RAM 3 2 Volatilidade: Voláteis: são aquelas que, ao ser cortada a alimentação, perdem as informações armazenadas. Ex: Memória RAM. Não-voláteis: são aquelas que mesmo sem alimentação, continuam com as informações armazenadas. Ex: magnéticas e as eletrônicas: ROM, EPROM. 4 2

3 3 Troca de Dados: Escrita / Leitura: permitem acesso para armazenar e ler uma informação desejada. Ex: RAM. Leitura: a informação é fixa, só podendo efetuar-ser a leitura. Ex: ROM (Read-Only Memory). 5 4 Tipos de Armazenamento: Estáticas: uma vez inserido o dado numa dada localidade, este lá permanece. Dinâmicas: necessitamos inserir a informação de tempos em tempos, pois de acordo com as características de seus elementos internos, perdem essas informações após um determinado tempo. 6 3

4 ESTRUTURA GERAL E ORGANIZAÇÃO DE UMA MEMÓRIA Barra de Endereços (Address Bus): responsável pelo endereçamento de um sistema típico com microprocessador. Barra de Dados (Data Bus): entrada e saída de dados. Barra de Controle (Control Bus): terminais de controle. + Vcc Barra de Endereços Memória Barra de Dados Bidirecional Barra de Controle 7 Referente a quantidade de dados, as memórias são especificadas pela notação N x m, onde: N indica o número de localidades da memória; m indica o número de bits da informação armazenada por localidade. Exemplos: 32 x x 8 1K x 4 64 K x 8 2M x 16 N sempre será 2 n (endereçamento), onde: n número de fios / terminais 8 4

5 Designação: K (kilo) 2 10 = M (mega) 2 20 = Exemplos: 64 K x 8 64 x 1024 = localidades, com 8 bits (1 byte) em cada uma, necessitando de 16 terminais para endereçamento. 2 M x 16 2 x = localidades, com 16 bits, necessitando 21 terminais para endereçamento. 9 Capacidade de Memória: Significa o número total de bits que podem ser armazenados em uma memória. Para o seu cálculo, basta efetuarmos o produto N x m (nº de localidades x nº de bits). Exemplo: 1 K x 4 1 x 1024 x bits de capacidade. 10 5

6 Palavra de Endereço: Conjunto de níveis lógicos ou bits necessários para o endereçamento de uma determinada localidade de memória para o acesso ao dado. Mapeamento de Memória: Tabela estruturada com os endereços e dados armazenados. 11 Exemplo: Memória genérica de 256 localidades: 12 6

7 Notamos que uma memória com 256 localidades precisa de 8 fios para endereçamento (2 8 = 256), identificados de A 7 até A 0. Supondo que a referida memória possua 8 bits por localidade, ou seja, 256 x 8, sua esquematização em bloco é mostrada ao lado. 13 ROM TIPOS DE MEMÓRIA Característica principal: permitir somente a leitura dos dados; ROM (Ready-Only Memory): Memória apenas de leitura; Acesso aleatório; São não-voláteis (não perdem seus dados armazenados com o desligamento da alimentação. Aplicações: armazenamento de programas de sistemas operacionais em computadores e outros sistemas digitais. 14 7

8 Bloco representativo de uma memória ROM: Barra de Endereços Barra de Controle +Vcc CS ROM Barra de Dados CS: (chip select), habilitação ou seleção da pastilha, (ativa ou não as saídas da ROM). Nível 0 habilita as saídas. Obs: Na série de circuitos integrados comerciais, é também encontrado termo Chip Enable (CE), tendo a mesma funcionalidade. 15 Arquitetura Interna das ROM A matriz de dados é constituída por um conjunto de diodos (células de memórias). A presença do diodo dá origem ao nível 1 na localidade, e a sua ausência, ao nível

9 PROM PROM (Programmable Read-Only Memory), permitem o armazenamento dos dados pelo próprio usuário, porém feito de modo definitivo; Após a programação a PROM torna-se uma ROM; O princípio básico de programação ou armazenamento de dados em uma PROM, é o de destruir, através de nível de tensão conveniente especificado pelo fabricante, as pequenas ligações semicondutoras existentes internamente nas localidades onde se quer armazenar a palavra de dados, conforme endereçamento feito; Não-volátil; Acesso aleatório. 17 EPROM EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory), ROM programável e apagável; Permitem a programação de modo semelhante à das PROMs; Vantagem: podem ser normalmente apagadas, mediante banho de luz ultravioleta. (15 a 50 minutos); Também conhecidas com UVPROM (Ultraviolet PROM); Após a programação torna-se uma ROM, recebendo os mesmos itens de classificação; 18 9

10 Exemplo de um bloco de uma EPROM (2K x 8) A 0 A 10 : Barra de Endereços D 0 D 7 : Barra de Dados CE: Habilitação da pastilha (Chip Enable) OE: Habilitação da Saída (Output Enable) PGM: Habilitação da Programação (Program) Vpp: Tensão de programação (Program Supply Voltage) 19 EEPROM EEPROM ou E 2 PROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory); Avanço tecnológico em relação às EPROM s; Permitem que o apagamento dos dados seja feito eletricamente, isoladamente por palavra de dados, sem necessidade de reprogramação total. WE: Habilitação de Escrita (Write Enable) I/O: Input/Output (Entrada/Saída Bidirecional) 13 linhas de endereçamento

11 RAM RAM (Random-Access Memory); Possuem acesso Aleatório ou Randômico. São voláteis (perdem os dados armazenados com o desligamento da alimentação); Tempo de acesso muito reduzido; Utilizados em equipamentos digitais principalmente como memórias de programas e dados para armazenamento de forma temporária; 21 Tipos de Memória RAM: SRAM (Static RAM): utilizam como célula básica de memória o flip-flop. DRAM (Dynamic RAM): Dinâmicas, possuem circuitos mais simples, porém necessitam de refresh (reinserção de dados periódica). O armazenamento dos dados é por efeito capacitivo

12 Bloco representativo de uma Memória RAM: R/W: Read/Write (Leitura/Escrita) 0 Escrita 1 Leitura Barra de Dados Bidirecional. 23 Arquitetura Interna das RAM RAM 4x4: 4 Endereços de 4 bits cada

13 Expansão da capacidade da Memória RAM Formação de uma memória RAM 256x8, a partir de dois blocos de estrutura 256x4. 25 Terminamos!!! Alguma Dúvida??? 26 13

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