Universidade Estadual de Maringá

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1 Universidade Estadual de Maringá Pró-reitoria de Recursos Humanos e Assuntos Comunitários TESTE SELETIVO EDITAL N.º 161/2016-PRH INSTRUÇÕES PARA A REALIZAÇÃO DA PROVA E PREENCHIMENTO DA FOLHA DE RESPOSTAS Verifique se este caderno contém 40 questões e assine-o no local apropriado. Confira os dados da folha de respostas e assine-a no local apropriado. A folha de respostas é o único documento hábil para a correção da prova objetiva e deverá ser preenchida com caneta esferográfica de tinta azul ou preta. A marcação das letras na folha de respostas deve ser feita cobrindo a letra e preenchendo todo o espaço compreendido pelos círculos, com caneta esferográfica de cor azul ou preta, conforme o exemplo: A C D E Na folha de respostas, não poderá haver rasuras e não poderá haver mais de uma alternativa assinalada para cada questão; caso isso ocorra, a questão será anulada. Não haverá substituição da folha de respostas. A prova terá duração de 03 (três) horas, incluindo o preenchimento da folha de respostas. O candidato só poderá retirar-se definitivamente da sala após uma hora e trinta minutos do início da prova. O candidato que necessitar utilizar o sanitário deverá solicitar isso ao aplicador de prova. Este caderno de prova não poderá ser levado. O candidato poderá transcrever as respostas no rascunho abaixo e levá-lo consigo ao término da prova. NOME DO CANDIDATO: ASSINATURA DO CANDIDATO: Maringá, 06 de novembro de Corte na linha pontilhada UEM Edital N.º 161/2016-PRH Teste Seletivo para a função de Técnico em Eletrônica RASCUNHO ANOTE AQUI AS SUAS RESPOSTAS Questões Respostas Questões Respostas CRONOGRAMA: Divulgação do gabarito e do caderno de prova: , às 17h. Divulgação do resultado final: , às 17h, no endereço O caderno de prova ficará disponível em até a divulgação do resultado final.

2 CONHECIMENTO ESPECÍFICO Questão 01 Qual a diferença de potencial em R5 ou entre os pontos A e da figura 1 abaixo? A) 0V ) 2V C) 10V D) 5V E) 2.5V Figura 1 150V A R5 4Ω R3 R4 Questão 02 Sendo na figura 2 o resistor R5, um resistor de carga, temos que a resistência Thevenin (Rth) em relação aos pontos A e é dada por A). ) 4Ω. C) 5Ω. D) 100Ω. E) 1Ω. Figura 2 150V A R5 4Ω R3 R4 Questão 03 Para o circuito a seguir, figura 3, podemos afirmar que A) o diodo D1 está conduzindo. ) o diodo D2 está conduzindo. C) os diodos D1, D2 e D3 estão conduzindo. D) os diodo D1, D2 e D3 não estão conduzindo. E) somente o diodo D3 está conduzindo. R5 1kΩ D2 D3 R6 1kΩ 10V Figura 3 D1 V2 10V Questão 04 Sobre a resistividade elétrica de um material condutor elétrico, é incorreto afirmar que A) quanto maior o comprimento de um fio, maior será sua resistência elétrica. ) a resistividade de um material está relacionada com suas propriedades condutoras de eletricidade. C) a unidade de medida do Sistema Internacional (SI) da resistividade é o Ohm(Ω). D) quanto mais fino um fio condutor, maior será sua resistência elétrica. E) a resistência elétrica é uma medida de oposição ao fluxo de corrente elétrica. 2

3 Questão 05 Uma porta lógica XNOR pode ser utilizada como A) um integrador. ) um divisor. C) somador e divisor. D) comparador básico. E) multiplicadora de entradas. Questão 06 Sobre um circuito com carga indutiva alta, de alta defasagem de corrente, quando alimentado por corrente alternada, é correto afirmar que A) o circuito tem baixo fator de potência. ) o circuito tem alta reatância capacitiva. C) a corrente e a tensão estão em fase no circuito. D) a carga indutiva pode ser um chuveiro elétrico. E) a correção da fase é feita com mais indutores. Questão 07 Um multímetro digital na função de Ohmimetro tem uma escala especial para medidas de diodo. Para um diodo 1N4007, temos que o valor apresentado no display significa A) diodo polarizado reversamente ou resistência do diodo. ) diodo polarizado diretamente ou corrente direta do diodo. C) diodo aberto ou resistência do diodo aberto. D) diodo polarizado reversamente ou valor aproximado da barreira de potencial. E) corrente reversa do diodo. Questão 08 Sobre diodos LED (diodos emissores de luz) temos que os mesmos emitem luz de alguns comprimentos de onda, quando polarizados diretamente, com tensão maior que sua barreira de potencial. Para esses diodos, é correto afirmar que A) a luz emitida é sempre vermelha. ) a luz emitida é sempre danosa aos olhos quando sem proteção. C) o processo de emissão de luz é chamado de eletroforese. D) processo de emissão de luz pela aplicação de uma fonte elétrica de energia é chamado de eletroluminescência. E) diodos LED também podem ser chamados de diodos Varicap. Questão 09 Uma das desvantagens do MOSFET é o seu reduzido nível de potência de operação, quando comparado aos transistores TJ. Comparando o MOSFET planar com o FET VMOS, pode-se dizer que A) o FET VMOS tem valores de resistência do canal menores que os MOSFET, especificações de corrente e potência maiores. ) o FET VMOS não pode ser utilizado com tensão de dreno maior que 3V. C) o MOSFET não pode ser utilizado com tensão de source maior que 3V. D) o MOSFET é melhor que o FET VMOS no quesito potência. E) MOSFET, VMOS e TJ não são dispositivos semicondutores. 3

4 Questão 10 Sobre os transistores FET, podemos ter transistores de canal condutor do tipo P ou canal condutor do tipo N. Na análise de um FET canal P, podemos dizer que A) no FET de canal P, temos que as tensões serão de polaridade oposta e as correntes em sentido oposto. ) no FET de canal P predominam-se no canal condutor portadores majoritários elétrons. C) a corrente que atravessa o canal P depende da junção base coletor. D) o FET de canal P não pode ser polarizado com tensão cc fixa aplicada no gate. E) o FET de canal P somente irá conduzir com tensão de 0.7V entre dreno e source. Questão 11 Na montagem de painéis de controle e acionamentos elétricos, são usados botões com cores padronizadas e específicas ou normatizadas. No caso da cor vermelha, quando utilizada como cor para um botão de um painel de acionamento elétrico, podemos dizer que representa a seguinte função: A) partida ou intervenção. ) pulsamento. C) socorro. D) parar ou desligar. E) chamamento. Questão 12 Em relação aos componentes de áudio chamados alto-falante, podemos dizer que eles são usados para emissão de som. Considerando um alto-falante ligado na saída de uma potência (amplificador) com impedância de saída de 4 Ohm, qual será a impedância correta do alto-falante para que ocorra a máxima transferência de potência transferida no acoplamento dos dois elementos? A) Alto-falante com resistência de 4Ω. ) Alto-falante com impedância de 4Ω. C) Alto-falante com impedância de 2Ω. D) Alto-falante com resistência de 2Ω. E) Alto-falante com impedância maior que 4Ω. Questão 13 Sobre os Amplificadores Operacionais (Amp Op) é correto afirmar que quanto maior o seu CMRR temos que A) maior será a atenuação de sinais idênticos em suas entradas. ) maior taxa de subida SLEW RATE. C) menor a largura de banda. D) a frequência de corte aumenta. E) se trata de um amplificador logarítmico. Questão 14 Considerando a saída S do circuito abaixo, figura 4, e definindos os níveis lógico zero (0V) e nível alto (5V) e assumindo que as chaves A,, C e D representam variáveis booleanas A,, C e D, assinale a expressão lógica do circuito para a saída S. A) A.(+C) + D ) (A+.C) + D C) (A. +C) + D D) (A.C +.C) +D E) (A.C +.D) + D 10 V A D C 5kΩ 5kΩ S Figura 4 4

5 Questão 15 Considerando o circuito da figura 5, com capacitor C1 carregado, podemos afirmar que A) a saída Out será 5V. ) a saída Out será 0V. C) o componente 4093 é uma porta lógica OU. D) o componente 4093 é uma porta lógica AND. E) o capacitor C1 carrega com valor 2V. VCC 5V 100kΩ U1A Out S1 C1 0.1µF 4093P_5V Figura 5 Questão 16 Considere o circuito abaixo, figura 6, como sendo dois diodos de silício ligados em série e com barreira de potencial 0.7V. Podemos então afirmar que a diferença de potencial entre o Ânodo de D1 e o Cátodo de D2 será aproximadamente igual a A) 0.7V. ) 10V. C) 5V. D) 1.4V. E) 5V. 10 V D1 1N4007GP D2 1N4007GP R3 100Ω Figura 6 Questão 17 Considerando o circuito abaixo, figura 7, temos que a lâmpada X1 estará acesa ou apagada dependendo das posições das chaves S1 ou S2. Podemos dizer, então, que o circuito se comporta como uma porta lógica de duas entradas, conhecida como porta S1 A) OR. ) AND. C) NOR. D) XOR. E) NAND. 100 V S2 X1 100V_100W Figura 7 Questão 18 Dada a tabela verdade abaixo, podemos afirmar que a função lógica de saída é correspondente à seguinte expressão: A) A ) A C) A + A D) A A + A E) A + A A A Out

6 Questão 19 Podemos considerar como resposta afirmativa no circuito abaixo, figura 8, que a lâmpada X1 estará acesa para a condição S1 A) S1 ligada. ) S1 e S3 ligadas e S2 desligada. C) S1 e S3 e S2 desligadas. D) S2 desligada. E) S2 ligada, independentemente das posições S1 e S V S3 S2 D1 1N4007GP D2 1N4007GP X1 100V_100W Figura 8 Questão 20 Dado o circuito abaixo, figura 9, com o capacitor devidamente carregado com uma tensão de 12V, temos que, após o capacitor ser conectado no indutor, é correto afirmar que a voltagem entre A e A) permanecerá constante 12V. ) oscilará continuamente. C) irá funcionar como um divisor de tensão. D) irá oscilar durante um intervalo de tempo. E) irá se autocarregar continuamente. L1 1mH A C1 1µF Figura 9 Questão 21 Na configuração do circuito abaixo, figura 10, foram usados dois multímetros: XMM1 na função amperímetro e XMM2 na função voltímetro. Considerando que são equipamentos ideais, é correto afirmar que as medidas a serem obtidas serão de A) 1A e 10V. ) 1A e 0V. C) 1A e 5V. D) 10 e 10V. E) 1A e 5V. 10 V XMM1 XMM2 Figura 10 6

7 Questão 22 Sobre dissipadores de calor geralmente usados na dissipação de transistores de potência, pode-se afirmar que A) um dissipador de calor menor é melhor que um dissipador maior. ) um dissipador de calor maior é melhor que um dissipador menor. C) pasta térmica funciona melhor que um dissipador de calor. D) quanto maior a quantidade de pasta térmica, melhor será o dissipador. E) não necessariamente significa que um dissipador de calor maior irá dissipar mais calor, mas sim que ele irá levar um tempo maior para chegar à temperatura de equilíbrio. Questão 23 Sobre Amplificadores Operacionais (Amp Op), podemos afirmar que a sigla CMRR tem o seguinte significado: A) propriedade de rejeitar (ou atenuar) sinais idênticos aplicados, simultaneamente, nas entradas do Amp Op em modo de sinal comum. ) propriedade de os Amp Op amplificarem sinais alternados idênticos. C) propriedade de os Amp Op amplificarem tensões negativas. D) propriedades de os Amp Op apresentarem entradas de alta impedância. E) propriedades de os Amp Op serem usados como integradores. Questão 24 Sobre circuitos RLC série e RLC paralelo, é correto afirmar que A) tensão e corrente estão sempre fora de fase. ) corrente e tensão somente estão em fase no circuito RLC paralelo. C) em alta frequências a corrente está adiantada da tensão. D) em baixas frequências a corrente está adiantada da tensão. E) na frequência de ressonância os circuitos terão impedâncias resistivas. Questão 25 Osciloscópios são equipamentos com entradas de dois modos de acoplamento de sinal, modo DC ou modo AC. Quando configurados com entradas DC, pode-se dizer que A) somente sinal DC poderá ser medido. ) pode-se medir tanto as características DC quanto o AC do sinal. C) somente a parte AC do sinal pode ser medida. D) um filtro DC é acionado, internamente ao osciloscópio, impedindo variações AC. E) sinal AC poderá ser medido desde que o osciloscópio esteja aterrado. Questão 26 Em relação a transistores dos tipos TJ, FET ou MOSFET, é correto afirmar que A) TJ são de alta impedância de entrada. ) FET é acionado por corrente e tem entrada isolada. C) MOSFET são de alta impedância de entrada e de porta isolada. D) TJ são controlados por tensão de entrada na base de 0.2V. E) FET tem maior impedância de entrada que os MOSFET. Questão 27 A resistência de um amperímetro de boa qualidade é A) variável. ) baixa. C) alta. D) média. E) aproximadamente zero. 7

8 Questão 28 Em relação à análise de defeitos em um circuito contendo transistores (de silício) do tipo TJ (NPN), devidamente polarizado por configuração de divisor de tensão, conforme a figura ao lado, figura 11, é correto afirmar que, A) se a tensão Vbe = 0, a junção base emissor está em curto circuito. ) se a tensão Vbe = 1V, a junção coletor emissor está aberta. C) se a tensão Vbe = 0.7V, o transistor está queimado. D) se a tensão Vbe = 0, o transistor está saturado e funcionando corretamente. E) se a tensão Vbe = 10V, a junção base emissor está em curto circuito. R3 V2 10 V R4 Figura 11 Questão 29 Em relação ao circuito integrado, da série 7805, usado nas fontes retificadoras de tensão, bastante conhecido pelos técnicos de eletrônica, podemos afirmar que se trata de um A) circuito integrado regulador de tensão de 5V. ) circuito integrado regulador de frequência. C) circuito integrado para filtragem de ruídos elétricos. D) circuito integrado retificador de tensão alternada em tensão contínua. E) simplesmente um transistor MOSFET de uso comum. Questão 30 Uma ponte retificadora de tensão de onda completa deve ter necessariamente, como itens básicos, além de transformador abaixador ou elevador de tensão, as seguintes características: A) 4 diodos e um capacitor de filtro. ) 2 diodos e um capacitor de filtro. C) 03 divisores de tensão e um capacitor de filtro e transformador de derivação central. D) 02 divisores de tensão e um capacitor de filtro e transformador de derivação central. E) somente diodos zener de alto pico reverso. Questão 31 Considerando que uma ponte retificadora com filtro capacitivo em sua saída, apresenta uma ondulação na voltagem de saída chamada de ripple (Vrpp), temos que esta ondulação é diretamente proporcional à corrente de saída e inversamente proporcional à frequência da rede elétrica. Sendo que em alguns países a frequência da rede elétrica é de 60Hz e, em outros de 50Hz, podemos afirmar que A) o ripple será maior em Salvador-rasil. ) o ripple será maior em Cuiabá-rasil. C) o ripple será maior em Porto Alegre-rasil. D) o ripple será maior em uenos Aires-Argentina. E) o ripple será maior em São Paulo-rasil. 8

9 Questão 32 Considere o circuito da figura abaixo, figura 12 (onde = ), com o transistor TJ polarizado por divisor de tensão e devidamente conduzindo corrente de coletor e emissor. Podemos afirmar que A) a tensão de base (V) é aproximadamente 0.7V. ) a tensão de base (V) é aproximadamente 7V. C) a tensão de base (V) é 0V. D) a tensão base emissor (Vβe) é aproximadamente 0.7V. E) a tensão de base (V) é aproximadamente 2V. R3 V2 10 V R4 Figura 12 Questão 33 Considerando o circuito abaixo, figura 13, Np o número de espiras no primário e Ns o número de espiras no secundário do transformador T1, Pa potência do primário e sendo Pp = Vp x Ip e Ps a potência no secundário sendo Ps = Vs x Is, usando a conservação de energia Pp = Ps como em um caso ideal, podemos afirmar que A) Np / Ns = Vp / Vs. Ip Is ) Np / Ns = Zs / Zp. C) Np / Ns = Ip / Vs. D) Np / Ns = Vp / Ip. E) Np / Ns = Vs / Vp. Vp T1 Vs RL Figura 13 Questão 34 Diferente do multímetro, o equipamento analisador de espectro é um importante equipamento para análises de sinais do espectro eletromagnético. Podemos, então, afirmar que analisador de espectro A) é um equipamento que realiza medidas de todos os sinais dentro de um espectro eletromagnético e depois executa uma transformada de Fourier, informando as frequências do sinal e suas respectivas amplitudes de harmônicos. ) é um equipamento que mede toda a resistência do espectro de impedância. C) é muito útil para medir as oscilações de tensão e seus respectivos ruídos em circuitos CA. D) é usado para analisar o espectro de harmônicos resistivos. E) pode ser usado somente em circuitos de áudios para análise de distorção harmônica em alto-falantes. 9

10 Questão 35 Dado o circuito abaixo, figura 14, podemos dizer que ele se trata de um circuito A) oscilador hartley. ) amplificador integrador. C) regenerativo. D) amplificador inversor. E) amplificador logarítmico. Vin Vout Figura 14 Questão 36 O circuito abaixo é um oscilador a transistor. Podemos afirmar que se trata de um oscilador do tipo A) Hartley com FET. ) Colpitts com transistor JFET. C) Colpitts com transistor TJ. D) de relaxação com frequência retardada. E) Colpitts com transistor MOSFET. VDD L1 C1 C2 Q1 Figura 15 L2 L3 C3 Questão 37 Uma vez que para o transistor MOSFET o termo MOS significa metal óxido semicondutor, podemos dizer que, para um MOSFET de canal de depleção do tipo n, temos que A) a região do substrato é do constituída por semicondutor do tipo P. ) a região do substrato é do constituída por semicondutor do tipo N. C) a região do substrato é do constituída por semicondutor do tipo P. D) a porta Gate do MOSFET é constituída por material do tipo N. E) os portadores de carga no canal de depleção do MOSFET tipo N são chamados buracos. 10

11 Questão 38 Os multímetros digitais modernos apresentam uma escala de medida chamada de hfe, onde você posiciona um transistor do tipo NPN ou PNP. Definindo Ic como corrente de coletor, Ib como corrente de base e Ie como corrente de emissor, temos que o valor hfe mostrado no display do multímetro também pode ser escrito como A) a razão Ic / Ib. ) a razão Ic / Ie. C) a razão Ie / Ic. D) a razão Ie / Ib. E) a razão Ib / Ic. ESTATUTO DA CRIANÇA E DO ADOLESCENTE Questão 39 Assinale a alternativa correta em relação à perda ou à suspensão do poder familiar. A) Somente o Ministério Público poderá dar início ao procedimento de perda ou de suspensão do poder familiar. ) No procedimento de perda ou de suspensão do poder familiar, o requerido privado de liberdade poderá ser citado por meio do seu advogado. C) Independentemente do motivo, o juiz não poderá, liminar ou incidentalmente, decretar a suspensão do poder familiar. D) Na hipótese de requerido privado de liberdade, o oficial de justiça deverá perguntar, no momento da citação pessoal, se deseja que lhe seja nomeado defensor. E) No procedimento de perda ou de suspensão do poder familiar, mesmo se forem identificados e estiverem em local conhecido, é facultativa a oitiva dos pais. Questão 40 O artigo 91, do Estatuto da Criança e do Adolescente, determina que as entidades não-governamentais somente poderão funcionar depois de registradas no Conselho Municipal dos Direitos da Criança e do Adolescente, o qual comunicará o registro ao Conselho Tutelar e à autoridade judiciária da respectiva localidade. Qual é o prazo máximo da validade do registro? A) 01 (um) ano. ) 04 (quatro) anos. C) 08 (oito) anos. D) 10 (dez) anos. E) 20 (vinte) anos. 11