Projeto de Circuitos Wireless

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Transcrição:

Projeto de Circuitos Wireless PDT & I TI e Instituto do Milênio Coordenador: Prof. Wilhelmus Van Noije Apresentação: Dr. João Navarro (LSI-PSI/EPUSP) Apoio CNPq e FAPESP

I. Introdução Circuitos Wireless: transmissão de dados via RF Wireless: transmissão de dados via RF (radio freqüência). O número de aplicações tem crescido bastante nos últimos anos: h celulares; hredes locais de computadores; h redes domésticas; h sistemas pessoais de segurança. O grupo de projeto tem atuado na área de Circuitos RF na tecnologia CMOS maio/2003 SIIAM 2

Conteúdo da Apresentação hi. Introdução hii. Circuitos Transceptores hiii. Objetivos hiv. Blocos Importantes hv. Atividades Desenvolvidas hvi. Conclusão maio/2003 SIIAM 3

Heterodino II. Circuitos Transceptores (transmissor/receptor) LNA Mixer Mixer Demodulador Antena Filtro de Entrada (seleciona banda) Rejeição da Imagem Oscilador Local (F RF ) Filtro seletor de canal Oscilador Local (F I ) Filtro seletor de canal PA Filtro de saída buffer Mixer 90 Oscilador local D/A D/A D/A D/A I s(t)cosφ Q s(t)senφ Processamento Processamento digital digital saída entrada maio/2003 SIIAM 4

Detalhes do receptor Heterodino Banda desejada F I Imagem F RF F I Canal desejado F RF F I Antena LNA Rejeição da Imagem Mixer Filtro seletor de canal Mixer Filtro seletor de canal Demodulador Filtro de Entrada (seleciona banda) F I Oscilador Oscilador Local (F RF ) Local (F I ) F RF F I Os filtros de rejeição e de seleção de canal exigem indutores com alto fator de qualidade. Normalmente são externos. maio/2003 SIIAM 5

h h A implementação de de circuitos transceptores tem tem sido sido feita feita com com tecnologias de de Arsenetode de Gálio ou ou Bipolar. os os transistores nestas tecnologias têm têm a freqüência de de corte maior facilitando o uso. uso. LNA Mixer Mixer Demodulador Filtro de Entrada (seleciona banda) Rejeição da Imagem Implementação Implementação em de canal em AsGa AsGaou ou Bipolar Oscilador Bipolar Oscilador Local (F RF ) Filtro seletor Local (F I ) Filtro seletor de canal PA Filtro de saída buffer Mixer 90 D/A D/A Oscilador local DoisCIs e filtros externos D/A D/A I s(t)cosφ Q s(t)senφ Implementação Implementação em saída em Processamento CMOS Processamento CMOS digital digital entrada maio/2003 SIIAM 6

Banda desejada Conversão direta (transceptores) Canal desejado Mixer Filtro seletor de canal Amplificador F RF Antena Filtro de Entrada (seleciona banda) LNA PA Filtro de saída Oscilador 90 Demodulador local buffer F RF Mixer 90 D/A D/A Oscilador local D/A D/A I s(t)cosφ Q s(t)senφ Processamento Processamento digital digital maio/2003 SIIAM 7 F RF CI saída entrada

Tecnologias CMOS Hoje: mais que 75% dos circuitos semicondutores são fabricados com CMOS. CMOS-vantagens menor custo (???); maior nível de integração; menor consumo de potência. FUTURO (CMOS)? extrapolações feitas no National Roadmap for Semiconductors (NTRS) produzido pelo SIA, NTRS2001: maio/2003 SIIAM 8

Ano do início de produção 2001 2003 2005 2007 2010 2013 2016 linhas densas (DRAM half 130 100 80 65 45 32 22 pitch) (nm) linhas isoladas (gates de microprocessador (L)) (nm) 90 65 45 35 25 18 13 área do chip (mm 2 ) DRAM 127 118 147 183 181 239 238 Funções por chip DRAM(Gbits) 0,54 1,07 2,15 4,29 8,59 34,36 68,72 área do chip (mm 2 ) 140 140 140 140 140 140 140 microprocessador Funções por chip processador (Mtransistores) Total de packge Pins/Balls (ASIC alta performance) freqüência on-chip-local (alta performance) (MHz) 69 109 174 276 773 1546 3092 1700 2057 2489 3012 4009 5335 7100 1684 3088 5173 6740 11500 19300 28750 Max. número de níveis de metal 7 8 8-9 9 9-10 9-10 10 número mínimo de máscaras 25 25 25 27 27 29 29 V DD para lógica (V) 1,1-1,2 1,0-1,1 0,9-1,0 0,7-0,9 0,6-0,8 0,5-0,7 0,4-0,6 dissipação de potência (alta performance) (W) dissipação de potência (equipamentos c/ bateria) (W) 130 150 170 190 218 251 288 2,4 2,8 3,2 3,5 3,0 3,0 3,0 maio/2003 SIIAM 9

Conversão direta + CMOS Vantagens Filtro de Entrada (seleciona banda) F RF LNA menor circuito, consumo de de PA potência e custo; mais confiável. Desvantagens Filtro de saída Mixer Oscilador 90 Demodulador local buffer problemas com com DC; DC; maior dificuldade para projeto. Filtro seletor de canal Amplificador C.I. Contendo C.I. Contendo todo o circuito transceiver todo F RF o circuito Mixer 90 F RF D/A D/A Oscilador local D/A D/A I s(t)cosφ Q s(t)senφ saída Processamento Processamento digital digital entrada conteudo maio/2003 SIIAM 10

III. Objetivos: implementação de circuitos trasnceptores completos em CMOS hestudo de topologias existentes para transceptores; hestudo e implementação dos blocos básicos: LNA, PA, mixer, osciladores, filtros, etc.; hintegração de transceptores completos h Escolha de de aplicações; huso de de topologias simples para evitar conversores e necessidade de de processamento digital intensivo. huso de tecnologia CMOS 0,35µm e freqüência de 2,4 GHz. maio/2003 SIIAM 11

IV. Blocos Importantes 1. Indutores são necessários para a construção de filtros de alta freqüência. Também são usados para casamento de impedância e como carga pois não adicionam ruído. Tecnologias CMOS convencionais são desenvolvidas para implementar de de modo eficiente transistores; permitem a fabricação de de resistores e capacitores com nenhuma ou ou poucas modificações; os os indutores possíveis apresentam baixo fator de de qualidade (Q (Q em torno de de 5). 5). maio/2003 SIIAM 12

Implementação de indutores Implementação de indutores Indutores nonocamadas baixa indutância (da ordem de de dezenas de de nanohenrys); apresentam capacitâncias e resistências parasitas reduzindo o fator Q. Q. maio/2003 SIIAM 13

Indutores com múltiplas camadas reduz a resistência série e aumenta o Q. Q. aumenta as as capacitâncias parasitas Indutores ativo alto Q; Q; aumentam ruído; aumentam distorção. maio/2003 SIIAM 14

2. amplificadores de Baixo Ruído (LNA) - o amplificador deve fornecer ganho satisfatório com baixo nível de ruído, de forma que não comprometa a taxa de erro do circuito. v IN 14 ma v B 3,4 nh v DD 6,2 nh v RF 120/ 0,35µm 290/ 0,35µm 1,6 nh Características a entrada deve ter impedância casada; recebe sinais muito pequenos em v IN IN (micro volts); utiliza vários indutores (para casamento e para carga). transceptor maio/2003 SIIAM 15

3. mixer - faz a conversão da freqüência, realizando a multiplicação de dois sinais (RF a ser convertido e LO proveniente do oscilador local). Consiste de um transcondutor linear, podendo ser ativos ou passivos. 1 ma v DD v LO v RF Mixer ativo 1 KΩ 30/0,35µm 100/0,35µm Características não apresenta tantos problemas de de ruído; não utiliza indutores; cuidados com distorção. transceptor maio/2003 SIIAM 16

4. oscilador Gera um sinal periódico, com boa precisão e baixo ruído de fase, para ser usado na conversão da freqüência; 3,1 nh v DD I DD 2 ma Características deve apresentar baixo ruído de de fase; utiliza indutores; deve ter a freqüência controlável para ser utilizado em phase looked loops (PLL) D 2 D 1 v CONT 100/0,35µm transceptor maio/2003 SIIAM 17

5. amplificadores de potência (PA) - o amplificador que deve fornecer ganho e potência satisfatórios para que o sinal transmitido tenha o alcance desejado; v DD RFC 55 maef (Externo) 4,2 nh 2nH Características deve fornecer alta potência (1W para celulares); utiliza indutores externos; alta potência é bastante dificil para tecnologias CMOS v OUT v IN 0,2 p F 2,2 p F 0,6 p F 450/0,35µm transceptor maio/2003 SIIAM 18

6. filtros filtros passa baixa e passa banda, que selecionam os sinais a serem demodulados/modulados (a complexidade dos filtros depende do tipo de modulação/demodulação sendo usado) 7. conversores A/D: transformam o sinal analógico que foi demodulado em sinal digital para posterior tratamento; (aparecem apenas nos circuitos demoduladores mais sofsiticados. O número de bits e a freqüência de amostragem dependem do demodulador) 8. conversores D/A transformam sinais digitais em analógicos para a transmissão; (aparecem apenas em alguns circuitos moduladores) 9. circuito para o processamento digital do sinal. (podem ser implementado com DSPs, processadores ou hardware específico) conteudo maio/2003 SIIAM 19

V. Atividades Desenvolvidas hforam feitos estudos sobre dispositivos indutores passivos (1 (1 doutorado, Dr. Luis Carlos Moreira) hestão sendo implementados circuitos LNA, Mixer, PA, Osciladores e Sintetizadores de de Sinais para 2,4 GHz (cinco mestrandos, ElKimF. F. Roas Fuentes, Ruben D. D. Echavarria Ciuentes, Eduard E. E. Rodriguez Ramirez, Andres Farfan Pelaez e Angel M. M. Gomez Arguello); hcomeçam a ser analisados conversores, filtros e circuitos para processamento digitais (( 1 doutorando, Gustavo A. A. Cerezo Vasquez, e três mestrandos, Marcelo F. F. Basílio, Claudia Almerindo de de Souza e Hae Eun Park); hestão sendo feitos estudos para integração de de um primeiro protótipo transmissor/receptor. maio/2003 SIIAM 20

LNA LNA + Mixer Mixer + Oscilador Oscilador 3700µm Amplificador Amplificador de de potência potência Mixer Mixer + Oscilador Oscilador Oscilador Oscilador LNA LNA Estruturas Estruturas de de t testes implementada implementada em em tecnologia tecnologia CMOS CMOS 0,35µm 0,35µm Sintetizador Sintetizador de de sinais sinais Mixer Mixer 2600µm maio/2003 SIIAM 21 conteudo

VI. Conclusão Objetivos: implementação de circuitos trasnceptores completos em CMOS Formação -- formar novos pesquisadores com com capacidade de de pensar e de de inovar. Pesquisa --unir unir os os esforços de de diversos pesquisadores do do departamento; contatos futuros outros grupos Prestação de de Serviços utilizar os os resultados para aplicações. Atividades: Implementação de de blocos (sendo executada) Integração (início) Aplicações maio/2003 SIIAM 22

200µm LNA 100µm 975µm 975µm tecnologia tecnologia CMOS CMOS 0,35µm 0,35µm 4 metais metais e dois dois polis polis maio/2003 SIIAM 23

200µm Mixer 820µm 100µm 800µm tecnologia tecnologia CMOS CMOS 0,35µm 0,35µm maio/2003 SIIAM 24

Oscilador 1350µm 1250µm tecnologia tecnologia CMOS CMOS 0,35µm 0,35µm maio/2003 SIIAM 25

PA 1016µm 1215µm tecnologia tecnologia CMOS CMOS 0,35µm 0,35µm maio/2003 SIIAM 26

PADs GND Sinal de alta freqüência GND Circuito sem sem encapsulamento pontas de prova circuito maio/2003 SIIAM 27