Ciência e Tecnologia dos Materiais Elétricos Aula 8 Prof.ª Letícia chaves Fonseca
Aula 7 Capítulo 4 Teoria dos Semicondutores
Teoria dos semicondutores 7.1) Introdução Eletrônica Ciência e tecnologia do movimento de cargas num gás, vácuo ou semicondutor. Períodos Era dos tubos a vácuo (válvulas) Fenômeno de emissão termoiônica Omitido em praticamente todas ementas de engenharia Era dos transistores Semicondutores cristais sólidos Física do Estado Sólido
Teoria dos semicondutores 7.1) Introdução Dispositivos semicondutores Componentes básicos para processar sinais elétricos nos sistemas de comutação, comunicação, computação e controle. Exemplos: Transistores, diodos, termistores, varistores, fotocondutores, tiristores, transistores de efeito de campo (FETs) e circuitos integrados.
Teoria dos semicondutores 7.2) Materiais semicondutores Condutividade elétrica Conceito genérico: condutividade é proporcional à concentração de portadores de carga (elétrons livres) n Bom condutor n = 10 22 elétrons livres/cm 3 Isolantes n = 10 7 elétrons livres/cm 3 Semicondutores Concentrações intermediárias Dois tipos de portadores de carga: elétrons livres e lacunas O valor numérico da condutância é um critério insuficiente para caracterizar o comportamento de um semicondutor exige um modelo mais complexo Existem materiais com condutâncias intermediárias que não são semicondutores
Teoria dos semicondutores 7.2) Materiais semicondutores Condutividade elétrica de semicondutores Condutividade vs temperatura Condutividade aumenta com a temperatura Coeficiente de temperatura da resistividade α em geral é negativo Concentração de portadores de carga n não é constante e varia exponencialmente Materiais mais conhecidos e usados Germânio (Ge) Silício (Si) mais utilizado Arsenieto de Gálio (GaAs) Outros materiais Selênio (Se) Gálio (Ga) Sulfeto de cádmio Fosfeto de índio
Teoria dos semicondutores 7.2) Materiais semicondutores Condutividade elétrica Estrutura do semicondutor Si e Ge 4 elétrons na camada de valência Necessita de 8 para estabilidade Ligação com 4 átomos adjacentes Arranjo forma a configuração de cristal
Teoria dos semicondutores 7.2) Materiais semicondutores Grupo VI-A Todos com estrutura de cristal Carbono - Cristal diamante - Isolante - Energia do Gap=6eV (muito alta) Germânio - Semicondutor - Energia do Gap=0.785eV (valor pequeno) Silício - Semicondutor - Energia do Gap=1.21eV (valor pequeno) Estanho - Condutor - Energia do Gap=0 ev (inexistência de banda proibida entre Banda de Valencia e Banda de Condução)
Teoria dos semicondutores 7.3) Fenômenos de Transporte em semicondutores Silício Em baixa temperatura (T=0 K) Silício Isolante Elétrons presos nas ligações covalentes
Teoria dos semicondutores 7.3) Fenômenos de Transporte em semicondutores Silício Temperaturas mais altas Silício Semicondutor Elétrons se deslocam para banda de condução Formação de lacunas na banda de valência Silício pode então conduzir corrente Lacuna se comporta como portador de carga semelhante ao elétron Cada elétron que se desloca para BV forma um par elétron-lacuna
Teoria dos semicondutores 7.3) Fenômenos de Transporte em semicondutores Energia térmica gera pares elétron-lacuna Recombinação elimina pares elétron-lacuna Semicondutor puro (intrínseco) Número de lacunas = número de elétrons livres n = concentração de elétrons lívres/cm 3 p = concentração de lacunas/cm 3 n i = concentração intrínseca = concentração de pares elétron-lacuna num semicondutor intrínseco
Teoria dos semicondutores 7.3) Fenômenos de Transporte em semicondutores Energia térmica gera pares elétron-lacuna Semicondutor puro (intrínseco) Aumento de temperatura aumenta a concentração intrínseca (n i ) E GO (ev)= largura da banda proibida a 0 K = energia necessária para desfazer a ligação covalente A 0 cm 6 K 3 =constante do material independente da temperatura K B ev/k =Constante de Boltzmann
7.3) Fenômenos de Transporte em semicondutores Qual semicondutor é mais utilizado? Silício ou Germânio? Silício Em temperatura ambiente praticamente não tem portadores livres se comparado ao Germânio Menor dependência com a temperatura Silício é mais utilizado que o Germânio
7.3) Fenômenos de transporte em semicondutores Lacunas Também conduzem corrente elétrica. Silício aquecido presença de elétrons livres Sob ddp campo elétrico no interior condução de corrente - Movimento das lacunas movimento de cargas positivas dentro da banda de valência (BV)
7.3) Fenômenos de transporte em semicondutores Principal diferença entre semicondutores e metais Dois sentidos de condução de corrente Dois portadores de carga Elétrons livres (corrente negativa) Deslocamento na banda de condução (BC) Deslocamento na banda de valência (BV) Lacunas (corrente positiva) Deslocamento na banda de valência (BV)
7.3) Fenômenos de transporte em semicondutores Densidade de corrente de condução (J) em material condutor: Densidade de corrente de condução (J) em material semicondutor: Condição: temperatura acima de 0 Kelvin. Expressão que contempla a condutividade de ambos portadores: n: concentração de elétrons p: concentração de lacunas μ n : mobilidade dos elétrons μ p : mobilidade das lacunas Expressão da densidade de corrente de condução:
7.3) Fenômenos de transporte em semicondutores Condutividade nos semicondutores intrínsecos Logo: n i = concentração intrínseca = concentração de pares elétron-lacuna num semicondutor intrínseco E E também, expressão da densidade de corrente nos semicondutores intrínsecos:
7.3) Fenômenos de transporte em semicondutores Propriedades importantes do silício puro (intrínseco) Através da tabela percebe-se: - Silício puro em temperatura ambiente se comporta como isolante. Densidade (concentração) de átomos por cm 3 = 10 22 Concentração intrínseca de portadores a 300K cm 3 = 10 10 Poucos portadores por átomo! Apenas 1 elétron livre (e uma lacuna) para cada 10 12 átomos
7.4) O semicondutor extrínseco Semicondutor intrínseco (puro) + impurezas = semicondutor extrínseco Processo chamado DOPAGEM Objetivos Reduzir a dependência da temperatura Produzir a perfeita difusão de impurezas Processo sofisticado, cuidadosamente calculado Tipos de átomos introduzidos: Átomos trivalentes ou pentavalentes Predomínio de elétron livre ou lacuna 1 átomo de impureza para cada 10 6 a 10 8 átomos de silício Propriedades físicas e químicas são do silício Propriedades elétricas mudam acentuadamente Semicondutor extrínseco tipo P Predomínio de lacunas Semicondutor extrínseco tipo N Predomínio de elétrons livres
7.4) O semicondutor extrínseco 7.4.1) Semicondutor tipo N Átomo pentavalente 5 elétrons na Banda de Valência Aumenta o número de elétrons livres no silício intrínseco Realiza 4 ligações covalentes (estavel com 8 elétrons) e sobra 1 elétron livre para BC Impureza doadora de elétrons ou do tipo N (negativa) Exemplos: Arsênio (As), antimônio (Sb) e fósforo (P)
7.4) O semicondutor extrínseco 7.4.1) Semicondutor tipo N Átomo pentavalente Impurezas acrescentam níveis de energia permitidos na banda de condução Quinto elétron pode ocupar este nível Energia para retirar o quinto elétron livre do átomo 0,05eV Energia para retirar um elétron da ligação covalente 1,1eV O quinto elétron pode ser retirado facilmente Silício dopado com doadores é chamado de tipo N Impurezas tipo N reduzem a quantidade de lacunas Silício intrínseco (puro) Quantidade de elétrons livres = quantidade de lacunas Silício extrínseco tipo N Quantidade de elétrons livres > quantidade de lacunas Portadores majoritários Portadores minoritários
7.4) O semicondutor extrínseco 7.4.1) Semicondutor tipo N Bandas de energia de um cristal de silício dopado com impureza doadora Portadores majoritários Mais elétrons livres que lacunas devido à dopagem Apenas algumas lacunas devido à energia térmica Portadores minoritários
7.4) O semicondutor extrínseco 7.4.2) Semicondutor tipo P Átomo trivalente 3 elétrons na Banda de Valência Aumenta o número de lacunas no silício intrínseco Realiza 3 ligações covalentes (7 elétrons na BV) e resta uma órbita para 1 elétron (lacuna) Impureza aceitadora de elétrons ou do tipo P (positiva) Produzem uma lacuna na banda de valência (BV) Exemplos: Alumínio (Al), Bóro (B) e o gálio (Ga)
7.4) O semicondutor extrínseco 7.4.2) Semicondutor tipo P Átomo trivalente Impurezas acrescentam níveis de energia permitidos na banda de valência Energia para um elétron da BV ocupar esse nível 0,05eV Pequena energia para formar uma lacuna Impurezas tipo P aumentam o número de lacunas mas também o número de elétrons lívres. Aumenta o número de recombinações pois o número de lacunas e elétrons livres deixa de ser igual. Silício extrínseco tipo P, semicondutor tipo P Quantidade de lacunas > quantidade de elétrons livres Portadores majoritários Portadores minoritários
7.4) O semicondutor extrínseco 7.4.2) Semicondutor tipo P Bandas de energia de um cristal de silício dopado com impureza aceitadora Portadores minoritários Mais lacunas na BV que elétrons livres Mais lacunas devido à dopagem Apenas alguns elétrons livres na BC gerados pela energia térmica Portadores majoritários
Video Semicondutores https://www.youtube.com/watch?v=hmvpprt9nm4
7.4) O semicondutor extrínseco 7.4.3) Resistência de corpo Conceito: Resistência de corpo é a resistência de um semicondutor. Obedece a lei de ohm: U=R.I A tensão aplicada é proporcional à corrente elétrica que a percorre, através de uma constante dependente da temperatura, que é sua resistência. Resistência proporcional à dopagem. Quanto maior a dopagem Maior a quantidade de portadores de carga Menor a resistência do semicondutor extrínseco
7.4) O semicondutor extrínseco 7.4.4) Lei da ação de massas Material tipo N Menos lacunas, mais elétrons livres Material tipo P Menos elétrons livres, mais lacunas **Em equilíbrio térmico temos a criação constante de pares elétrons livres-lacunas Lei da ação de massas Para qualquer dopagem, o produto das concentrações de cargas livres (elétrons n e lacunas p) é sempre igual ao produto das concentrações de cargas livres do semicondutor puro n: concentração de elétrons p: concentração de lacunas * Também válido para o material intrínseco Quadrado da concentração intrínseca
7.4) O semicondutor extrínseco 7.4.4) Lei da ação de massas Semicondutores extrínsecos: n p Predominância de um dos tipos de portadores Elétrons-livres Lacunas Contudo, o produto (n. p) continua constante (Lei da ação das massas) Condutividade do material dopado se aproxima dos condutores.
7.4) O semicondutor extrínseco 7.4.5) Concentração de portadores em semicondutores extrínsecos Semicondutor Dopado com : N D átomos doadores Concentração N D (átomos/cm 3 ) N A átomos aceitadores Concentração N A (átomos/cm 3 ) Semicondutor tipo N (doador) Após doar 1 elétron, Se torna íon positivo Em 300K: N D íons positivos Semicondutor tipo P (aceitador) Após receber 1 elétron, Se torna íon negativo Em 300K: N D íons negativo
7.4) O semicondutor extrínseco 7.4.5) Concentração de portadores em semicondutores extrínsecos Lei da Neutralidade de Carga Semicondutor isolado deve manter sua neutralidade elétrica: Concentração de cargas positivas totais (íons positivos+lacunas) Átomos doadores + lacunas = Concentração de cargas negativas totais (íons negativos + elétrons livres) Átomos aceitadores + elétrons livres Nos semicondutores extrínsecos adicionam-se os índices N e P nas concentrações de lacunas (p) e elétrons livres (n): Átomos doadores + lacunas N Átomos aceitadores + elétrons livres N Átomos doadores + lacunas P Átomos aceitadores + elétrons livres P Semicondutor tipo N Semicondutor tipo P
7.4) O semicondutor extrínseco 7.4.5) Concentração de portadores em semicondutores extrínsecos Considerando material tipo N Sem impurezas aceitadoras N A =0 (apenas impurezas doadoras) n N : número de elétrons livres é muito maior que de lacunas n N p N Lei da Neutralidade de Carga Logo: desprezível Concentração de elétrons livres é aproximadamente igual à concentração de átomos doadores
7.4) O semicondutor extrínseco 7.4.5) Concentração de portadores em semicondutores extrínsecos Considerando material tipo N Cálculo da concentração do número de lacunas no material N: Utilizando Lei da Ação das Massas Logo: Concentração intrínseca Concentração de átomos doadores
7.4) O semicondutor extrínseco 7.4.5) Concentração de portadores em semicondutores extrínsecos Considerando material tipo N Expressão da condutividade elétrica Expressão da densidade de corrente de condução
7.4) O semicondutor extrínseco 7.4.5) Concentração de portadores em semicondutores extrínsecos Analogamente para o material tipo P Sem impurezas doadoras Concentração de lacunas muito maior que de elétrons livres Pela Lei da Ação das Massas Concentração de lacunas é aproximadamente igual à concentração de átomos aceitadores (1 atomo aceitador possui 1 lacuna) Cálculo da concentração do número de elétrons livres no material P
7.4) O semicondutor extrínseco 7.4.5) Concentração de portadores em semicondutores extrínsecos Analogamente para o material tipo P Expressão da condutividade elétrica Expressão da densidade de corrente de condução
7.4) O semicondutor extrínseco 7.4.5) Concentração de portadores em semicondutores extrínsecos Considerações importantes
7.4) O semicondutor extrínseco 7.4.6) Variações de propriedades com a temperatura devido à dopagem A condutividade dos semicondutores varia com a temperatura: Análise de efeitos importantes: Aumento da concentração do portador oposto 1) Concentração intrínseca n i : Exemplo: Material tipo N Portadores majoritários: elétrons livres Quase todos portadores de carga são elétrons livres Aumento de temperatura gera pares elétrons livres-lacunas Aumento substancial do número de lacunas (portadores minoritários) Pequeno aumento relativo de elétrons livres (permanece praticamente constante) Efeito análogo com semicondutor tipo P Aumento do número de elétrons livres Pequeno aumento de lacunas
7.4) O semicondutor extrínseco 7.4.6) Variações de propriedades com a temperatura devido à dopagem O aumento da temperatura aumenta ou reduz a mobilidade de portadores de carga? 2) Mobilidade dos portadores de carga (μ n eμ p ): Aumento da temperatura provoca: Aumento da agitação das particulas Aumento das colisões Redução da mobilidade dos portadores de carga De 100K até 400K: Mobilidade dos elétrons lívres μ n proporcional a T 2.5 Mobilidade das lacunas μ p proporcional a T 2.7
7.4) O semicondutor extrínseco 7.4.6) Variações de propriedades com a temperatura devido à dopagem Condutividade aumenta ou diminui nos semicondutores intrínsecos e extrínsecos? 3) Condutividade (σ): Aumento de temperatura em Semicondutor intrínseco : Aumenta a condutividade Reduz a mobilidade eletrônica (efeito inferior ao aumento de condutividade) Aumento de temperatura em Semicondutor extrínseco : Quantidade de portadores majoritários é constante entre 100k e 600k Quantidade de portadores minoritários aumenta substancialmente Reduz a mobilidade eletrônica Reduz a condutividade
7.4) O semicondutor extrínseco 7.4.7) Efeito Hall Fenômeno do aparecimento de um campo elétrico induzido E quando um metal ou semicondutor, conduzindo uma corrente elétrica I, é imerso em um campo magnético de indução B uniforme e transversal à corrente I. Surge um campo E perpendicular ao plano B-I O campo E tenta restabelecer o equilíbrio que foi alterado pela ação das linhas de indução sobre os fluxos de portadores.
7.4) O semicondutor extrínseco 7.4.7) Efeito Hall Quando os portadores majoritários são elétrons Elétrons se movem da face 1 para a face 2. Face 2 fica negativa e face 1 fica positiva Surge uma ddp entre a face 1 e 2 tensão de Hall
7.4) O semicondutor extrínseco 7.4.7) Efeito Hall Quando portadores majoritários são lacunas - Face 2 fica positiva e face 1 fica negativa. - Campo hall no sentido inverso no semicondutor tipo P - Efeito Hall permite determinar o tipo de uma amostra desconhecida de semicondutor - Sensores de corrente
Questões 1) Comente sobre os materiais semicondutores em geral. 2) Explique o conceito de lacuna e como ocorre a condução em um semicondutor. 3) Qual o propósito da dopagem? 4) Comente sobre os semicondutores tipo N e tipo P. 5) Explique a Lei da Ação das Massas 6) Compare a condutividade entre os semicondutores intrínsecos e extrínsecos. 7) Explique o Efeito Hall e o que se pode determinar com ele.
CEITEC S.A. Video Institucional https://www.youtube.com/watch?v=q-u-yx89r_g
4.5) Dispositivos semicondutores intrínsecos Semicondutor intrínseco Condutividade é proporcional à concentração de portadores livres Semicondutor intrínseco Muito sensível à temperatura Ex: Condutividade do silício aumenta 8% a cada grau de temperatura Mobilidade dos elétrons livres é maior que a de lacunas Semicondutor intrínseco não é um bom material para emprego direto em circuito eletrônico Eletrônica exige: - Controle máximo - Confiabilidade - Previsibiliade de performance
4.5) Dispositivos semicondutores intrínsecos Semicondutor intrínseco Característica: Extrema sensibilidade a temperatura Extrema sensibilidade a luz Aplicações: Sensor de temperatura Sensor de luz Sensores Transdutores - Propriedades físicas mudam por ação de uma variável física externa. - Transformam uma variável física em outra Sinais
4.5) Dispositivos semicondutores intrínsecos Semicondutor intrínseco Transdutores: Termistores: Sensível a ação de temperatura Fotocondutores (fotoresistores) Sensível a ação da luz
4.5) Dispositivos semicondutores intrínsecos Silício e Germânio normalmente não são usados nestes sensores pois sua purificação é muito difícil de ser feita Purificação cara Existem outros materiais com maior sensibilidade e capacidade de corrente
4.5) Dispositivos semicondutores intrínsecos 4.5.1) Termistores Principais materiais: Óxidos metálicos Exemplos: Óxido de níquel Óxido de cobre Óxido de manganês Óxido de zinco
4.5) Dispositivos semicondutores intrínsecos 4.5.1) Termistores Resistores termicamente sensíveis. São semicondutores eletrônicos que a resistência elétrica varia com a temperatura; Usados nas indústrias para detecção automática, medição e controle de energia física; Sensíveis a pequenas variações de temperatura. Simbologia:
4.5) Dispositivos semicondutores intrínsecos 4.5.1) Termistores Existem duas variedades básicas de termistores: os de coeficiente positivo de temperatura (PTC) resistência aumenta com a temperatura; Os de coeficiente negativo de temperatura (NTC) resistência reduz com aumento de temperatura.
Aplicações para Sensores de Temperatura Ar condicionado Geladeira Fornos de microondas Aspirador de pó
4.5) Dispositivos semicondutores intrínsecos 4.5.1) Termistores Aplicações Impressora 3D
4.5) Dispositivos semicondutores intrínsecos 4.5.1) Termistores Aplicações termistores: Química: regulação de reações químicas; Física: medição de vazão de gases e líquidos e radiometria; Medicina: termômetros; Regulação de temperatura: congelador, forno elétrico, sistema de ar condicionado e sistemas de aquecimento. Veículos: medição da temperatura da água e óleo; Projetos elétricos: compensação de variação de temperatura e medição de potência; Sistema de detecção e alarmes contra incêndio.
4.5) Dispositivos semicondutores intrínsecos 4.5.1) Termistores Circuitos com termistores
4.5) Dispositivos semicondutores intrínsecos 4.5.1) Termistores Alterando curva de resistência do termistor através de resistor em paralelo
4.5) Dispositivos semicondutores intrínsecos 4.5.1) Termistores NTC Mais usual e facilmente encontrado no mercado; Não é muito usado em aplicações industriais; Amplitude e não-linearidade É um dos sensores de temperatura que fornecem a maior variação na saída por variação de temperatura, mas a relação não é linear; Resistência decresce com o aumento da temperatura;
4.5) Dispositivos semicondutores intrínsecos 4.5.1) Termistores PTC Coeficiente térmico positivo Resistência aumenta com a temperatura; O coeficiente de temperatura do PTC é positivo apenas dentro de uma certa faixa de temperatura, fora dessa faixa o coeficiente é negativo ou nulo.
4.5) Dispositivos semicondutores intrínsecos 4.5.2) Fotorresistores Fotoressistores ou fotocondutores - Condutividade aumentada com a incidência de radiação luminosa. - Radiação quebra ligações covalentes e gera pares eletron-lacunas - Medida de iluminação luminância (lux) - Resistência cai bruscamente com a incidência da luz. Exemplo comercial: LDR (Light Dependent Resistor)
4.5) Dispositivos semicondutores intrínsecos 4.5.2) Fotorresistores Circuitos com fotorresistores
4.5) Dispositivos semicondutores intrínsecos 4.5.2) Fotorresistores Energia da Banda proibida Eg: Energia mínima do fóton para fazer ele ir da BV para a BC. Fóton Considere um fóton com: - Comprimento de onda λ c - Frequência f c - Energia E G - Considere que λ c = 12400 E G Se o comprimento de onda do fóton excede λ c então a energia do fóton é menor que E G. Este fóton não desloca o elétron de BV para BC. E fóton = 12400/λ Se λ > λ c então E fóton < E G λ c : comprimento de onda crítico, de corte ou limiar
4.5) Dispositivos semicondutores intrínsecos 4.5.2) Fotorresistores Exemplo: Silício E G =1,12eV a 300K λ c = 11071 A (faixa do infravermelho) O Fotocondutor é um dispositivo seletivo de frequência
4.5) Dispositivos semicondutores intrínsecos 4.5.2) Fotorresistores Faixa espectral do silício O silício possui sensibilidades diferentes para diferentes comprimentos de onda Ou seja Algumas frequências de luz (COR) não geram o mesmo tanto de elétron-lacunas
4.5) Dispositivos semicondutores intrínsecos 4.5.2) Fotorresistores Espectro visível e invisível Abelha consegue ver na faixa do ultravioleta. É possível fazer fotorresistores sensíveis a comprimentos de luz que o ser humano não é capaz de ver
4.6) Corrente de difusão e junção PN Corrente de difusão Fenômeno estatístico que gera uma corrente resultante da diferença de concentração de portadores. Densidade de corrente de difusão das lacunas * Proporcional ao gradiente da concentração de lacunas no semicondutor e: carga do portador (lacuna positiva) Constante de difusão das lacunas do material (m 2 /s) Sinal negativo da equação pois o gradiente é negativo (sentido contrário à direção de x). Concentração de p diminui como aumento de x.
4.6) Corrente de difusão e junção PN Densidade de corrente de difusão de elétrons livres Constante de difusão dos elétrons livres do material Equação positiva porém o gradiente dos portadores é negativo Constantes de difusão dependem da temperatura
4.6) Corrente de difusão e junção PN Relação de Einstein Mobilidade de cargas e constantes de difusão são variáveis interdependentes Exemplo: Vt é o potêncial termodinâmico
4.6) Corrente de difusão e junção PN Difusão e Condução Semicondutores podem conduzir dois tipos de corrente Corrente de condução Corrente de difusão A equação da densidade de corrente pode assumir um modelo mais completo: Densidade de corrente total de Lacunas Densidade de corrente total de Elétrons-livres
4.6) Corrente de difusão e junção PN Dopagem não uniforme A dopagem de lacunas geralmente é progressiva e não uniforme o que gera uma corrente de difusão. Pela lei da ação das massas Densidade de elétrons livres também varia se a densidade de lacunas variar. Em um semicondutor dopado de forma não uniforme, surge um campo elétrico entre as partes mais dopadas e menos dopadas. Campo elétrico: Concentração da dopagem
4.6) Corrente de difusão e junção PN Cálculo do campo elétrico em semicondutor dopado não uniformemente A diferença de potêncial entre os dois pontos x1 e x2 depende apenas da concentração de lacunas nestes dois pontos e é independente da distância entre os mesmos (x2-x1)
4.6) Corrente de difusão e junção PN A junção PN - Junção com mudança abrupta de concentração de portadores tipo P e tipo N. - Geração de uma barreira de potencial de contato Vo. Potencial de contato Vo A diferença de potencial de contato impede a difusão de potadores de carga através da junção. A barreira permite boa condução no sentido P N, pois a corrente é formada por portadores majoritários. Praticamente não há condução no sentido N P (Corrente formada por portadores minoritários)
Questões Dicas para o exercício:
Questões
Questões 8) Comente sobre os termistores e os fotocondutores. 9) Explique o mecanismo da difusão de portadores em um semicondutor. 10) Explique o que ocorre numa junção PN.
Obrigada leticia.chavesfonseca@gmail.com 79