ROTEIRO OFICIAL 10 Levantamento da Curva Característica do JFET

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1 - UTFPR DAELT Engenharia Elétrica e/ou Controle e Automação Disciplina: Laboratório de Eletrônica ET74C Prof.ª Elisabete Nakoneczny Moraes ROTEIRO OFICIAL 10 Levantamento da Curva Característica do JFET Visto Data da realização: / /2017 Data da entrega: / /2017 NOTA: ASSIDUIDADE 1,0 ESTÉTICA 1,0 CONTEÚDO 2,5 COLETA DADOS 3,0 CONCLUSÃO 1,5 EXERCÍCIOS 1,0 TOTAL Redação da introdução teórica realizada por: Equipe: CURITIBA 2017

2 ROTEIRO OFICIAL 10 Levantamento da Curva Característica do JFET Objetivo: Levantamento da curva característica de saída do transistor de efeito de campo de junção a partir das medições da tensão e corrente no componente. Pré-requisitos: Capítulos 05 e 06 do livro Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos Boylestad; 01 fonte CC variável; 01 proto board 02 multímetros Mínimo 2 transistores JFET BF 245C (NÃO USAR O F245B) ou 2x 2N3819 CONFIRME A ESPECIFICAÇÃO AO COMPRAR!!!!!! Datasheet do respectivo JFET 01 resistor 1k de 1/4W 01 resistor 1M de 1/4W RECORTE DO DATA Característica SHEET DOS de MODELOS saída EM USO Família curva característica de saída da corrente de dreno canal N ID = VGS Observe a letra final da especificação do FET: BF245 C BF245 B BF245 A Figura 1: Curva característica de saída para os FETs sugeridos para a prática. ENM 2/5 Rot10_CurvaCaracterísticaFET_S25

3 Preparação: 1. Teste e identificação do transistor: Com o auxílio do multímetro, identifique o tipo e os terminais do transistor. CONFIRME A ESPECIFICAÇÃO DO FET: JFET -Modelo VOM DIGITAL ESCALA Terminal + Terminal - teste semicondutor (mv) R (MΩ) R (Ω) Dependendo do fabricante, poderá haver divergência da pinagem indicada no datasheet do BF245. Figura 2: Pinagem dos JFET indicado para a realização da prática. 2. Desenvolvimento da Prática: 1. Qual é a tradução e o significado de IDSS? 2. Procure no datasheet do FET os seguintes parâmetros: Condição de Teste a)idss: Min= Máx= b)vgs: Min= Máx= c)igss Min= Máx= ENM 3/5 Rot10_CurvaCaracterísticaFET_S25

4 3. Monte o circuito da Figura 3. OBS1) CERTIFIQUE-SE da polaridade de VGG. OBS2) CERTIFIQUE-SE a função ma do MD está em condições de uso. Figura 3 Circuito a ser montado para levantamento da curva característica do JFET. 4. Mantendo a tensão VGG constante no valor indicado em cada linha da tabela, varie a tensão VDD de modo que a tensão entre o TERMINAL DO DRENO e o TERMINAL DE FONTE assuma os valores: 0; 0,2; 0,5; 1; 2; 5 e 10V. Complete as tabelas com os valores da tensão no resistor de 1kohm e da corrente. SOMENTE para a realização das medidas referente à Tabela 1, a fonte VGG deverá ser curto-circuitada. VGS= 0V Tabela 1- Valores medidos para VGS=0V VGS= -0,5V Tabela 2- Valores medidos para VGS=-0,5V VGS= -1,0V MONITORAR A TENSÃO VDS ENQUANTO VARIA A TENSÃO DA FONTE (VDD) Tabela 3- Valores medidos para VGS=-1,0V ENM 4/5 Rot10_CurvaCaracterísticaFET_S25

5 VGS= -2,0V Tabela 4- Valores medidos para VGS=-2,0V 4.1. Antes de prosseguir faça uma análise dos valores obtidos. Confronte os valores medidos da tensão no R1k e a medida da intensidade da corrente. ID = Vr1k/R1k = = é próximo do que está sendo indicado pelo ma???? 4.2. Observe a curva característica do FET (da sua experiência) na Figura 1. Determine qual é o valor de ID para o valor de VGS ajustado. Os valores são compatíveis? VGS= -3,0V Tabela 5- Valores medidos para VGS=-3,0V VGS= -4,0V Tabela 6- Valores medidos para VGS=-4,0V VGS= -5,0V Tabela 7- Valores medidos para VGS=-5,0V 3. Questionário 1) Com base no datasheet do JFET usado na prática, anote os valores típicos de VGSoff, IDSS. 2) A partir dos valores medidos, determine o valor aproximado de VP e IDSS. Compare com os valores obtidos pelo datasheet. Emita um parecer sobre a comparação. 3) Plote a família de curva característica ID=f(VDS). 4) Plote a curva de transferência do JFET utilizando os valores medidos. 5) Explique como o JFET funciona. 6) Explique a função do R=1MΩ entre G-S do circuito da Figura 3. 7) Projete um circuito de polarização fixa usando o JFET do experimento em que VDD = 15V, VDS=5V e ID=1mA. ENM 5/5 Rot10_CurvaCaracterísticaFET_S25