Microprocessadores II - ELE 1084

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Transcrição:

Microprocessadores II - ELE 1084

Faça um esboço dos bancos de memória de um computador hipotético com 32 bits de dados e 24 bits de endereços, com um total de 8 MB de memória RAM de 8 bits ( 8 CI s com 1 MB), decodificados a partir do mínimo endereço inicial. O computador ainda tem 2 MB de ROM (4 CI s com 512 KB) no seu espaço de endereçamento superior. Indique as três primeiras e as três ultimas linhas de endereços de cada um dos blocos. 2/48

Capítulo 4 Memórias 3

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tempo de acesso de 70 ou 60 ns; memórias dinâmicas síncronas tempo de acesso de dois ou três pulsos de clock, ou 20 ou 30 ns;

Memórias FPM (Fast-Page Mode, ou "modo de paginação rápida"). ao ler um bloco de instruções na memória, os dados estão quase sempre gravados seqüencialmente. enviar o endereço RAS (linha) uma vez e em seguida enviar uma seqüência de até 4 endereços CAS (coluna), realizando uma série rápida de 4 leituras. primeiro ciclo de leitura continua tomando o mesmo tempo, 3 leituras seguintes passam a ser bem mais rápidas. FPM conseguem ser até 30% mais rápidas que as memórias regulares,

Memórias FPM burst de 4 leituras pode ser prolongado para 8 ou até mesmo 16 leituras consecutivas, desde que endereços adjacentes, da mesma linha. utilizadas em micros 386, 486 e nos primeiros micros Pentium, módulos SIMM de 30 ou 72 vias com tempos de acesso de 80, 70 ou 60 ns, sendo as de 70 ns as mais comuns.

Memórias FPM bus de 66 MHz, os intervalos de espera até 5-3- 3-3, processador terá de esperar cinco ciclos da placa mãe para a memória efetuar a primeira leitura de dados e somente mais 3 ciclos para cada leitura subseqüente. Taxa de transferência de 151 MBs; placas para 486, que operavam a clocks mais baixos (30, 33 ou 40 MHz), tempos de espera: 4-3-3-3 ou 3-2-2-2.

EDO RAM Desde 1994, melhoria significativa no modo de acesso a dados; Memórias FPM, uma leitura não pode ser iniciada antes que a anterior termine, mesmo dentro do burst de 4 leituras dentro da mesma linha. Controlador precisa esperar que os dados referentes à leitura anterior cheguem, antes de poder ativar endereço CAS seguinte. Memórias EDO, o controlador faz a leitura enviando o endereço RAS e depois enviando os 4 endereços CAS numa freqüência pré-definida, sem precisar esperar que o acesso anterior termine. 20/48

EDO RAM Os sinais chegam às células de memória na seqüência em que foram enviados e, depois de um pequeno espaço de tempo, o controlador recebe de volta as 4 leituras. O resultado acaba sendo exatamente o mesmo, mas passa a ser feito de forma mais rápida. operando a 66 MHz, as memórias EDO são capazes de trabalhar com tempos de acesso de apenas 6-2-2-2, ou mesmo 5-2-2-2 (nos módulos de 60 ns). 21/48

EDO RAM Nos bursts de 8 ou mais leituras, o ganho acaba sendo ainda maior, com o módulo FPM realizando a leitura dos 8 endereços em 27 ciclos (6-3-3-3-3-3-3-3) e o EDO em 20 (6-2-2-2-2-2-2-2). o ganho é maior em leituras de vários endereços consecutivos, por isso alguns aplicativos se beneficiam mais do que outros. chips de memória EDO foram produzidas em versões com tempos de acesso 70, 60 e 50 ns, com predominância dos módulos de 60 ns; Elas foram usadas predominantemente na forma de módulos de 72 vias, usados nos micros 486 e Pentium fabricados a partir do ano de 1995; 22/48

EDO RAM Existiram ainda alguns módulos DIMM de 168 com memória EDO; bastante raros, logo substituídos pelos pentes de memória SDRAM. As melhorias na arquitetura das memórias EDO tornaram-nas incompatíveis com placas mãe equipadas com chipsets mais antigos. placas para processadores Pentium e algumas placas mãe para 486 com slots PCI (as mais recentes) aceitam trabalhar com memórias EDO. Todos os módulos de 30 vias são de memórias FPM, enquanto (com exceção de alguns módulos antigos) todos os de 168 vias são de memórias SDRAM. A confusão existe apenas nos módulos de 72 vias, que podem ser tanto de memórias EDO quanto de memórias FPM. 23/48

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SDRAM 26/48

SDRAM

SDRAM Memórias FPM e EDO são assíncronas: trabalham em seu próprio ritmo, independentemente dos ciclos da placa mãe. FPM que foram projetadas para funcionar em placas para processadores 386 ou 486 que trabalham a 66 MHz.

SDRAM SDRAM são capazes de trabalhar sincronizadas com os ciclos da placa mãe, sem tempos de espera. Independentemente da freqüência de barramento utilizada, os tempos de acesso serão sempre de 6-1- 1-1, ou mesmo 5-1-1-1.

SDRAM O primeiro acesso continua tomando vários ciclos, pois nele é necessário realizar o acesso padrão, ativando a linha (RAS) e depois a coluna (CAS); A partir do segundo acesso a memória consegue realizar uma leitura por ciclo, até o final da leitura; burst de leitura pode ser de 2, 4 ou 8 endereços e existe também o modo "full page" (disponível apenas nos módulos SDRAM até um máximo de 512;

SDRAM Em situações ideal, pode ser possível realizar a leitura de 256 setores em 260 ciclos!. Se fossem usadas memórias regulares, com tempos de acesso similares, a mesma tarefa tomaria pelo menos 1280 ciclos;

SDRAM A partir da memória SDRAM, tornou-se desnecessário falar em tempos de acesso, já que a memória trabalha de forma sincronizada em relação aos ciclos da placa mãe; As memórias passaram então a ser rotuladas de acordo com a freqüência em que são capazes de operar. No caso das memórias SDRAM temos as memórias PC-66, PC-100 e PC-133

SDRAM

Memórias DDR "Double Data Rate", Duplo fluxo de dados Módulos de memória SDRAM continuam realizando apenas uma transferência por ciclo, da forma mais simples possível; Depois de decorrido o longo ciclo inicial, as células de memória entregam uma leitura de dados por ciclo, que passa pelos buffers de saída e é despachada através do barramento de dados. Todos os componentes trabalham na mesma freqüência;

DDR Com o lançamento das memórias DDR, as SDRAM passaram a ser chamadas de "SDR", ou "Single Data Rate"; chips DDR: incluem circuitos para gerar comandos de acesso e receber os dados referentes às leituras duas vezes por ciclo de clock, executando uma operação no início do ciclo e outra no final;

DDR são utilizadas as mesmas trilhas para realizar ambas as transferências, não foi necessário fazer grandes modificações nem nos módulos, nem nas placas mãe. as células de memória propriamente ditas continuam operando na mesma freqüência; Num módulo DDR-266, elas operam a apenas 133 MHz, da mesma forma que num pente PC-133;

DDR o cada um dos dois comandos de leitura (ou gravação) sejam enviados para um endereço diferente, na mesma linha. o Estas duas leituras são enviadas através do barramento de dados na forma de duas transferências separadas, uma realizada no início e a outra no final do ciclo de clock;

DDR O maior problema é que o ciclo inicial continua demorando o mesmo tempo que nas memórias SDRAM, de forma que o ganho aparece apenas em leituras de vários setores consecutivos e a taxa de transferência nunca chega realmente a dobrar, variando bastante de acordo com o tipo de aplicativo usado. A temporização para um burst de 8 leituras, usando memórias DDR, seria 5-½-½-½-½-½-½-½ (8.5 ciclos) ao invés de 5-1-1-1-1-1-1-1 (12 ciclos) como num módulo SDR;

DDR diferença é menor em bursts menores, de apenas 2 ou 4 leituras; as memórias DDR acabaram sendo um excelente negócio, pois tornaram possível obter ganhos perceptíveis de performance sem um aumento considerável no custo; se popularizaram rapidamente, substituindo as memórias SDRAM num espaço de menos de um ano; Os módulos DDR podem ser vendidos tanto segundo sua freqüência de operação, quanto segundo sua taxa de transferência;

Memórias DDR2 duplicam a taxa de transferência, realizando agora 4 operações por ciclo. as células de memória continuam trabalhando na mesma freqüência anterior e o acesso inicial continua demorando aproximadamente o mesmo tempo. as demais operações dentro do burst passam a ser realizada em apenas um quarto de ciclo de clock. burst de 8 leituras demoraria apenas 6.75 ciclos de clock (5-¼-¼-¼-¼-¼-¼-¼), contra 8.5 ciclos nas DDR e 12 nas SDR.

Memórias DDR2 Diferença é maior em aplicativos que precisam manipular grandes blocos de dados e menor em aplicativos que lêem pequenos blocos de dados espalhados. Em nenhuma situação prática a transferência chega realmente a dobrar. Dizer que as "DDR2 são duas vezes mais rápidas" é apenas uma figura de linguagem;

Memórias DDR2

DDR3-1066 (133 MHz) = PC3-8500 DDR3-1333 (166 MHz) = PC3-10667 DDR3-1666 (200 MHz) = PC3-12800 43/48

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Os Formatos de Memórias XT, 286 e nos primeiros 386, chips de memória eram instalados diretamente na placa mãe; Encaixados em colunas de soquetes (ou soldados); cada coluna formava um banco de memória; Desvantagens: dificultar upgrades ou a substituição de módulos com defeito;

Os Formatos de Memórias módulos de memória: pequenas placas de circuito onde os chips DIP são soldados, facilitando o manuseio e instalação; primeiros módulos de memória: módulos SIMM, Single In Line Memory Module, uma única via de contatos, com 30 vias; contatos também na parte de trás do módulo; possuíam sempre 8 ou 9 chips de memória; Cada chip fornecia um único bit de dados em cada transferência:

Os Formatos de Memórias primeiros módulos de memória: módulos SIMM, Single In Line; módulos com 9 chips, o último armazena o bit de paridade; módulos de memória atuais são mais confiáveis, e a paridade não é mais usada. Há ECC, um sistema mais avançado, usado em pentes de memória destinados a servidores. módulos de 30 vias foram utilizados em micros 386 e 486; capacidades: de 512 KB, 1 MB, 2 MB e 4 MB; módulos de 8 e 16 MB, mas eles eram muito raros devido ao custo;

Os Formatos de Memórias 386 e 486 utilizavam um barramento de 32 bits para o acesso à memória, era necessário combinar 4 pentes de 30 vias para formar um banco de memória; 4 pentes eram então acessados pelo processador como se fossem um só; Era preciso usar os módulos em quartetos: 4 módulos ou 8 módulos; Exceção ficava por conta dos micros equipados com processadores 386SX; são necessários apenas 2 módulos; já que o 386SX acessa a memória usando palavras de 16 bits;

Os Formatos de Memórias Módulos SIMM de 30 vias ainda eram bastante inconvenientes, era preciso usar 4 módulos idênticos para formar cada banco de memória. foram desenvolvidos pensando mais na questão da simplicidade e economia de custos do que na praticidade. Módulo SIMM, de 32 bits, que possui 72 vias; substituíram rapidamente os antigos nas placas para 486 e se tornaram o padrão nos micros Pentium, sendo em seguida substituídos pelos módulos de 168 vias.;

Os Formatos de Memórias Ao invés de quatro módulos, é preciso apenas um módulo SIMM de 72 vias para formar cada banco de memória nos micros 486. Pentium: acessa a memória usando palavras de 64 bits, são necessários 2 módulos em cada banco. sempre usar os pentes de memória em pares:

Módulos DIMM, Double In Line Memory Module ou módulo de memória com duas linhas de contato. são 64 bits, e eliminou a necessidade de usar 2 ou 4 módulos para formar um banco de memória; placas mãe oferecem a opção de usar dois módulos para melhorar a velocidade de acesso; Três formatos de memória DIMM. mais antigos são os módulos de memória SDR, com 168 vias; pentes de memória DDR, que possuem 184 contatos;

Módulos DIMM, Double In Line Memory Module ou módulo de memória com duas linhas de contato. módulos DDR2, que possuem 240 vias. DDR e DDR2 são exatamente do mesmo tamanho físico que os módulos SDR de 168 vias, por isso foram introduzidas mudanças na posição dos chanfros de encaixe, de forma que você não consiga encaixar os módulos em placas incompatíveis.

Memória Cache Velocidade crescente dos processadores; Velocidade: processador x sistema Memória: tempo de acesso e tamanho Idealmente: Memória de tamanho ilimitado; Memória com tempo de acesso (ta) pequeno; Porém: maior a memória -> maior ta Solução: alimentar processador com dados rápidos e abundantes

Memória Cache Hierarquia de Memória: Localidade Temporal: precisar de uma informação que já foi usada; Localidade Espacial: precisar de uma informação que está próxima de outra que foi utilizada;

Hierarquia de Memória: Memória Cache Niveis intermediários para amortizar a diferença de velocidade

Cache L1: memória estática dentro do processador (486) unificado; Preditor de Desvio: saltos condicionais.

Cache L1: No Pentium; Código e Dados

Cache L1

Cache L1

Cache L2: Maior tamanho

Cache L2: Maior tamanho

tarefas realizadas por um controlador de cache: determinar se um endereço está no cache, usando, para isso, marcas de identificação ("tags") para cada bloco acessar o cache, caso a informação esteja ali guardada (acerto) mover um bloco de dados da memória principal para o cache, caso o endereço a ser acessado não esteja lá (falta) gerenciar os acessos entre o cache e a memória principal opções de que bloco descartar: o mais antigo o menos usado o bloco menos usado recentemente ("least recently used") organizações mais comuns de cache: mapeamento direto associativo em grupo totalmente associativo

Técnicas de atualização escrita direta ("write through") - atualiza o cache e, em seguida, a memória principal contra escrita ("write back") - atualiza por ocasião de troca de blocos - atualiza se os dados estiverem antigos - muito usada