CEFET-RS Curso de Eletrônica

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Transcrição:

CEFET-RS Curso de Eletrônica 3.1 - Memória DRAM Profs. Roberta Nobre & Sandro Silva robertacnobre@gmail.com e sandro@cefetrs.tche.br

Estrutura básica da DRAM LSB CAS Decodificador de Colunas Endereço Real Controlador de Memória MSB Decodificador de Linhas Matriz de Células RAS unidade 03.1.2 MSB - Most Significant Bits LSB - Least Significant Bits CAS - Column Address Select RAS - Row Address Select

Leitura da DRAM Tempo de acesso típico: 60ns a 70ns RAS CAS Address WE Data linha 1º O controlador de ereços gera os bits mais significativos do ereço; 2º O controlador de ereços gera o sinal RAS; 3º O controlador de ereços gera os bits menos significativos do ereço; 4º O controlador de ereços gera o sinal CAS; 5º A memória libera o. unidade 03.1.3

Escrita da DRAM Tempo de acesso típico: 60ns a 70ns RAS CAS Address WE Data linha 1º O controlador de ereços gera os bits mais significativos do ereço; 2º O controlador de ereços gera o sinal RAS; 3º O controlador de ereços gera os bits menos significativos do ereço; 4º O controlador de ereços gera o sinal CAS; 5º O é enviado para a memória; 6º O controlador de ereços gera o sinal WE. unidade 03.1.4

Refresh da DRAM RAS CAS Address WE Data linha Sempre que ocorre um ereçamento de memória, ocorre refresh em toda linha acessada. RAS CAS Address linha unidade 03.1.5

FPM DRAM unidade 03.1.6

FPM DRAM RAS CAS Address linha Data O ereço de linha e o sinal RAS é mantido e o ereço de e o sinal CAS é alterado a cada acesso à memória. Ciclo: 7-3-3-3 (70ns) ou 6-3-3-3 (60ns) unidade 03.1.7

VRAM http://en.wikipedia.org/wiki/video_ram#video_dram_.28vram.29 Memória DRAM específica para utilização na placa de vídeo. Criada em 1980 (F. Dill and R. Matick ) Variação da DRAM com porta de acesso DUAL pode ser acessada pela CPU e pelo processador de vídeo simultaneamente Porta de leitura e escrita para acesso da CPU Porta de leitura para acesso pelo processador de vídeo unidade 03.1.8

EDO DRAM RAS CAS Address linha Data A saída de s é bufferizada, assim o tempo que o fica disponível é maior permitindo a redução do tempo entre os acessos. Ciclo: 7-2-2-2 (70ns) ou 6-2-2-2 (60ns) unidade 03.1.9

FPM DRAM SIMM Single In line Memory Module Barramento de 8 bits 30 pinos 72 pinos Barramento de 32 bits SIMM Single In line Memory Module unidade 03.1.10

FPM DRAM SDRAM DIMM 168 pinos DDR SDRAM DIMM 184 pinos unidade 03.1.11

BEDO DRAM Address Data linha Possui um um contador interno que permite operação em modo rajada de 4 ciclos. Ciclo: 6-1-1-1 (60ns) unidade 03.1.12

SDRAM Circuito interno reprojetado para obter os s disponíveis a cada ciclo de clock; Pipeline interno para realizar novo acesso antes do primeiro ser processado pelo sistema externo; Sincronismo pelo clock do sistema; Contador interno para a geração de ereços consecutivos; Tempo de acesso: 7,5ns a 15ns; Ciclo de operação: 5-1-1-1; Decodificador de comandos Decodificador de Linhas Matriz de Células clock ereço Controlador de memória Contador unidade 03.1.13 Decodificador de Linhas Decodificador de s Matriz de Células Dados

DDR SDRAM É uma SDRAM que realiza um acesso na subida do clock e outro acesso na descida do clock; Era utilizada somente em PCs não baseados em processadores Intel; Barramento de 64bits Ex: PC-1600 CLK: 100MHz 1600MB/s PC-2100 CLK: 133MHz 2100MB/s DDR2 3200MB/s a 8500MB/s DDR3 6,4GB/s a 12,8GB/s unidade 03.1.14 http://en.wikipedia.org/wiki/ddr_sdram

DDR2 Standard name Memory clock Cycle time I/O Bus clock Data transfers per second Module name Peak transfer rate DDR-200 100 MHz 10 ns 100 MHz 200 Million PC-1600 1600 MB/s DDR-266 133 MHz 7.5 ns 133 MHz 266 Million PC-2100 2100 MB/s DDR-300 150 MHz 6.67 ns 150 MHz 300 Million PC-2400 2400 MB/s DDR-333 166 MHz 6 ns 166 MHz 333 Million PC-2700 2700 MB/s DDR-400 200 MHz 5 ns 200 MHz 400 Million PC-3200 3200 MB/s unidade 03.1.15

DDR2 Standard name Memory clock Cycle time I/O Bus clock Data transfers per second Module name Peak transfer rate DDR2-400 100 MHz 10 ns 200 MHz 400 Million PC2-3200 3200 MB/s DDR2-533 133 MHz 7.5 ns 266 MHz 533 Million DDR2-667 166 MHz 6 ns 333 MHz 667 Million PC2-4200 PC2-4300 PC2-5300 PC2-5400 4266 MB/s 5333 MB/s DDR2-800 200 MHz 5 ns 400 MHz 800 Million PC2-6400 6400 MB/s DDR2-1066 266 MHz 3.75 ns 533 MHz 1066 Million PC2-8500 PC2-8600 8533 MB/s DDR2-1300 325 MHz 3.1 ns 650 MHz 1300 Million PC2-10400 10400 MB/s unidade 03.1.16

DDR3 Standard name Memory clock Cycle time I/O Bus clock Data transfers per second Module name Peak transfer rate DDR3-800 100 MHz 10 ns 400 MHz 800 Million PC3-6400 6400 MB/s DDR3-1066 133 MHz 7.5 ns 533 MHz 1066 Million PC3-8500 8533 MB/s DDR3-1333 166 MHz 6 ns 667 MHz 1333 Million PC3-10600 10667 MB/s DDR3-1600 200 MHz 5 ns 800 MHz 1600 Million PC3-12800 12800 MB/s unidade 03.1.17

PC2-6400 com dissipador de calor unidade 03.1.18

Rambus DRAM Era utilizada nos PCs com processadores Intel (1999 a 2002); N64 (Ninto), PlayStation2 e PlayStation3 (Sony) Operam com canal estreito: 16 bits Clock: 400MHz (1x); Duas transferências por ciclo (acessos de até 1,6GB/s); unidade 03.1.19 http://en.wikipedia.org/wiki/rdram

RAMBUS Module Name DataBus Memory clock transfer data rate PC600 16-bit, single channel 300 MHz 1200 MB/s PC700 16-bit, single channel 355 MHz 1420 MB/s PC800 16-bit, single channel 400 MHz 1600 MB/s PC1066 (RIMM 2100) 16-bit, single channel 533 MHz 2133 MB/s PC1200 (RIMM 2400) 16-bit, single channel 600 MHz 2400 MB/s RIMM 3200 32-bit, dual channel 400 MHz 3200 MB/s RIMM 4200 32-bit, dual channel 533 MHz 4200 MB/s RIMM 4800 32-bit, dual channel 600 MHz 4800 MB/s RIMM 6400 32-bit, dual channel 800 MHz 6400 MB/s unidade 03.1.20