Memória ROM. Organização Funcional de um. Computador. ROM (Read-Only Memory) Memória Somente Leitura.

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Matheus Figueira Cerveira
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1 Prof. Luiz Antonio do Nascimento Faculdade Nossa Cidade Organização Funcional de um Computador Unidade que realiza as operações lógicas e aritméticas Comanda as outras operações Sistema Central CPU ULA Central Processing Unit Cérebro do Computador Unidade de Entrada (Input) UC Microprocessador CLOCK Memória Principal Memória Auxiliar Unidade de Saída (Output) Velocidade de transferência de dados Armazena dados e programas necessários para a realização de um trabalho LCC/2006 ROM (Read-Only Memory) Memória Somente Leitura. Memória que permite apenas a leitura dos dados e não volátil (não perde informação na ausência de energia). Os dados são gravados apenas uma vez. As informações não podem ser apagadas ou alteradas, apenas lidas pelo computador, exceto por meio de procedimentos especiais. 1

dados Armazena dados e programas necessários para a realização de um trabalho LCC/2006 ROM (Read-Only Memory) Memória Somente Leitura.

2 Os principais tipos são: PROM EPROM EEPROM EAROM Flash CD-ROM DVD-ROM PROM (Programmable Read-Only Memory) Um dos primeiros tipos de memória ROM em que a gravação de dados é realizada por meio de uma reação física com elementos elétricos. Os dados gravados na memória PROM não podem ser apagados ou alterados. EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) Permite que dados sejam regravados no dispositivo. Isso é feito com a memória fora da placa através de um aparelho que emite luz ultravioleta. Os dados gravados precisam ser apagados por completo. Somente depois disso é que uma nova gravação pode ser feita. 2

Os dados gravados na memória PROM não podem ser apagados ou alterados.

3 EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory) Permite a regravação de dados. Os processos para apagar e gravar dados são feitos eletricamente, fazendo com que não seja necessário mover o dispositivo de seu lugar por um aparelho especial para que a regravação ocorra como no EPROM. EAROM (Electrically-Alterable Programmable Read-Only Memory) Tipo de EEPROM onde os dados gravados podem ser alterados aos poucos, razão pela qual esse tipo é geralmente utilizado em aplicações que exigem apenas reescrita parcial de informações. Flash Tipo de EEPROM onde o processo de gravação e regravação de dados é muito rápido. As memórias Flash são mais duráveis e podem guardar um volume elevado de dados do que as memórias EEPROM. 3

4 CD-ROM Categoria de discos ópticos onde os dados são gravados apenas uma vez, seja de fábrica, como os CDs de músicas, ou com dados do usuário, quando o próprio efetua a gravação. Existe algumas categorias: CD-RW permite regravação CD R mais lento e frágil. Adequado para vídeo e música. CD+R mais rápido e resistente. Adequado para dados. Armazena 700 MB a uma taxa de transferência de (56x) 8.4 Mbps. DVD-ROM Categoria de discos ópticos onde os dados são gravados apenas uma vez, seja de fábrica, como os DVDs de músicas, ou com dados dos usuários, quando o próprio efetua a gravação. Existe a categoria DVD-RW que permite a regravação de dados. Armazena 4.7 GB a uma taxa de transferência de 11.1 Mbps. Blu-Ray Categoria de discos ópticos onde os dados são gravados apenas uma vez, seja de fábrica, como os DVDs de músicas, jogos (Play Station) ou com dados dos usuários, quando o próprio efetua a gravação ou regravação. No início Blue-Ray e depois Blu-Ray por causa de registro. (cor e números não podem patentear como os 2x86, 3x86 e 4x86 para Pentium). Armazena 25 GB a uma taxa de transferência de 54 Mbps. 4

Armazena 700 MB a uma taxa de transferência de (56x) 8.4 Mbps.

5 HD-DVD Categoria de discos ópticos onde os dados são gravados apenas uma vez, seja de fábrica, como os DVDs de músicas, jogos (Xbox 360 em 2006) ou com dados dos usuários, quando o próprio efetua a gravação. Declínio a partir de 2008 quando a Toshiba parou de fabricar driver e a Microsoft de utilizar no Xbox 360. Armazena 15 GB a uma taxa de transferência de 36,55 Mbps. RAM (Random-Access Memory) Memória de Acesso Aleatório. Memória rápida (só mais lenta que a Cache) que permite leitura e gravação temporária dos dados e volátil (perde informação na ausência de energia). Memória onde são carregados os programas e os dados em execução. Há dois padrões de memória RAM a estática SRAM e a dinâmica DRAM. SRAM (Static Random-Access Memory) Memória Estática. Memória mais rápida e cara e em pequena quantidade. Utilizada como Memória Cache. Não necessita de pulsos (refresh) para manter o seu conteúdo. Tamanho entre 64 KB a 16 MB. Velocidade medida em Tempo de acesso: 10 a 15 ns (nano-segundos ou bilionésimos de segundo). 5

RAM (Random-Access Memory) Memória de Acesso Aleatório.

6 DRAM (Dynamic Random-Access Memory) Memória Dinâmica. Memória rápida e em pentes de memória (pode ser aumentada em um computador). Necessita de pulsos (refresh) para manter o seu conteúdo. Tempo de acesso em torno de 60 ns (nano-segundo). Temporização e Latência Indicam quanto tempo o controlador de memória gasta com as operações de leitura e escrita. Valores de latência (tcl-trcd-trptras-cr). Esses parâmetros costumam ser informados pelo fabricante em um etiqueta colada ao pente de memória. Temporização e Latência Valores de latência: tcl (CAS Latency): indica em ciclos de clock qual o período que há entre a requisição de um dado pelo processador e a entrega deste pela memória. trcd (RAS to CAS Delay): indica em ciclos de clock, o intervalo que há entre a ativação da linha e da coluna de um determinado dado. 6

Valores de latência (tcl-trcd-trptras-cr). Esses parâmetros costumam ser informados pelo fabricante em um etiqueta colada ao pente de memória.

7 Temporização e Latência Valores de latência: trp (RAS Precharge): intervalo em clocks que informa o tempo gasto entre desativar o acesso a uma linha e ativar o acesso a outra. tras (Active to Precharge Delay): indica o intervalo em clocks, necessário entre um comando de ativar linha e a próxima ação do mesmo tipo. CR (Command Rate): intervalo que há entre a ativação do sinal e qualquer outro comando. Encapsulamento Forma física dos chips de memória. DIP (Dual In-line Package): um dos primeiros tipos de encapsulamento que podia ser soldado como os usados em memórias (XT e 286). Encapsulamento SOJ (Small Outline J-Lead): utilizado em módulos SIMM e sua forma de fixação em placas é feita através de solda. 7

CR (Command Rate): intervalo que há entre a ativação do sinal e qualquer outro comando. Encapsulamento Forma física dos chips de memória.

8 Encapsulamento TSOP (Thin Small Outline Package): cerca de 1/3 menor que o SOJ. Aplicado em módulos de memória SDRAM e DDR. Encapsulamento CSP (Chip Scale Package): mais recente, fino e não utiliza pinos de contato. Utiliza um tipo de encaixe chamado BGA (Ball Grid Array). Utilizado em módulos como DDR2 e DDR3. Módulos de Memória Módulos de memórias ou pente de memória são pequenas placas onde são instalados os encapsulamentos de memória. Essas placas são encaixadas na placa-mãe por meio de encaixes (slots) de acordo com o tipo de pente de memória. 8

Utiliza um tipo de encaixe chamado BGA (Ball Grid Array). Utilizado em módulos como DDR2 e DDR3.

9 Tipos de Pentes de Memória SIPP (Single In-Line Pins Package): um dos primeiros tipos que chegaram ao mercado. É formato por chips com encapsulamento DIP. Eram soldados na placa-mãe. Tipos de Pentes de Memória SIMM (Single In-Line Memory Module): pente encaixado na placa-mãe. Modelos com 30 vias (1 MB a 16 MB) e 72 vias (4 MB a 64 MB). Tipos de Pentes de Memória DIMM (Double In-Line Memory Module): terminais de contatos em ambos os lados do pente. Primeira versão SDR SDRAM tinha 168 pinos. Versão de 184 vias utilizada em memórias DDR, e módulos de 240 vias em DDR2 e DDR3. Modelo reduzido para notebooks chamado SODIMM (Small Outline DIMM). 9

Modelos com 30 vias (1 MB a 16 MB) e 72 vias (4 MB a 64 MB).

10 Tecnologias de Memória FPM (Fast-Page Mode): uma das primeiras tecnologias de memória RAM. Memórias FPM utilizavam módulos SIMM, tanto de 30 quanto de 72 vias. Tecnologias de Memória EDO (Extended Data Output): a sucessora da tecnologia FPM. Aplicado em módulos SIMM e DIMM de 168 vias. Tecnologias de Memória SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory): Desvinculada ao clock do processador. Passou a considerar a frequencia da memória (66 MHz, 100 MHz e 133 MHz também chamadas de PC66, PC100 e PC133) SDR SDRAM. 10

Tecnologias de Memória EDO (Extended Data Output): a sucessora da tecnologia FPM. Aplicado em módulos SIMM e DIMM de 168 vias.

11 Tecnologias de Memória DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM): Evolução à SDR porque são capazes de lidar com o dobro de dados em cada ciclo de clock. DDR2 SDRAM: evolução das memórias DDR. Sua principal característica é a capacidade de trabalhar com quatro operações por ciclo de clock (dobro da DDR). DDR3 SDRAM: evolução das memórias DDR2. Novamente, aqui dobra-se a quantidade de operações por ciclo de clock (oito). 11

Sua principal característica é a capacidade de trabalhar com quatro operações por ciclo de clock (dobro

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