Jubileu de Prata do IEAv

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Transcrição:

Jubileu de Prata do IEAv DIVISÃO DE FÍSICA F APLICADA EFA Antonio Carlos de Jesus Paes Chefe da Divisão

Sumário Divisão de Física F Aplicada Histórico Atividades Projeto LRI

Divisão de Física F Aplicada À Divisão de Física F Aplicada (EFA), criada em 1997, compete realizar o estudo de fenômenos físicos f complexos e a pesquisa e desenvolvimento de sistemas eletromagnéticos ticos, materiais e dispositivos de uso aeroespacial.

Histórico Antes 6/1982, Grupo de Física F Nuclear de Baixas e Altas Energias da Divisão de Estudos Avançados ados (EAv) do IEA/CTA (acelerador Pajé(150 a 200 MeV)) Com a criação do Instituto de Estudos Avançados ados surge a Divisão de Física F Experimental (FEX)

Histórico FEX tinha como objetivo o o domínio de técnicas e processos que possibilitem a construção de um acelerador de elétrons trons Em 1984, proposto o Projeto Curumin (35 MeV) como 1ª 1 etapa para o Pajé Em 1985, dimensionamento do Acelerador Pajé (180 MeV com 4 módulos m do tipo Curumin). Nacionalização de tecnologia

Histórico 1988-1989, 1989, construção do prédio. 1990-1995, 1995, falta de verbas e saída de pessoal (do IEAv ou do projeto) 1995, o Projeto Pajé adquire autonomia gerencial em relação à FEX 1996, determinação para concluir o acelerador com 2 estruturas aceleradoras com energia de no máximo m 35 MeV

Histórico 1997, surge a EFA (Divisão de Física F Aplicada) com 2 subdivisões: EFA-A (aplicações das radiações ionizantes) e a EFA-E E (eletromagnetismo aplicado) 2000, na EFA-A é proposta criação do LRI (Laboratório rio das Radiações Ionizantes). Em 1/7/2001, começa a o Projeto LRI

Histórico 2005, o acompanhamento dos projetos Pajé e LRI volta para a Divisão O projeto Pajé é paralisado O projeto LRI é alterado, devendo, também, m, fazer a integração dos componentes do acelerador

Histórico O acelerador juntamente com as fontes de radiação gama e as fontes de íons (que estão sendo adquiridas) constituirão um grande laboratório rio de testes dos efeitos da radiação ionizante sobre componentes eletrônicos e opto-eletrônicos 12/2007, o projeto LRI será concluído.

Atividades Sensores Infravermelhos Nanoestruturados Tecnologia de Poços os Quânticos Crescimento de camadas de GaAs/AlGaAs e InGaAs/InAlAs para detecção seletiva (4,1 e 9 micra) Desenvolvimento de técnicas t e ferramentas para caracterização optica e electro-optica optica de amostras de GaAs/AlGaAs e InGaAs/InAlAs Caracterização 1,0-1 V Seletividade detectividade Photocurrent (AU) 1 8 1 6 1 4 1 2 1 0 8 0,8 0,6 0,4 0,2 0,0 2,50 3,00 3,50 4,00 4,50 5,00 5,50 6,00 6,50 Wave Length (µm) 6 4 2 0-2 0 2 4 6 8 1 0 1 2 1 4 1 6 1 8 W a v e L e n g th ( µ m ) Photocurrent (AU)) Detectivity (cmhz 1/2 /W) 1 E 1 0 1 E 9 2 3 4 5 6 W a v e le n g th ( µ m )

Atividades Sensores Infravermelhos Nanoestruturados Pontos Quânticos Crescimento epitaxial, caracterização (composição, distribuição de tamanho, resposta em função de polarização e temperatura) sample 780 normal incidence Photocurrent (arb. u.) 6K 20K 40K 60K 80K 100K 2 4 6 8 10 wavelength (µm )

Atividades Desenvolvimento de sensores eletromagnéticos ticos (monitores de corrente e detetores de presença a de RF) Cerâmicas magnéticas; Análise de pulso de corrente larguras até 10ns; Amplitudes de 100mA até 100kA; Freqüência de Corte de 8MHz; Sensor idealizado no LSE, empregando transdutores de ferrita.

Atividades Compensação de Dispersão Alta Birrefringência Sensor de Gás e Líquido Dispersão (ps/nm/km) 0-10000 -20000-30000 -40000 Birrefringência x 10-3 20 18 16 14 12 10 8 6 4 2 Λ 0 = 2 µm, λ = 1,55 µm Hexagonal, d = 1,4 µm Hexagonal, d = 0,7 µm Retangular, d = 1,4 µm Retangular, d = 0,7 µm -50000 1.4167 Λ = 1,962 µm 1.546 1.548 1.550 1.552 1.554 Comprimento de Onda (µm) 0 0 10 20 30 40 50 60 70 Fator de Compressão, f sqx (%) Sensor de Gás e Líquido Índice Efetivo 1.4166 1.4165 1.4164 1.4163 Modo Interno Modo Externo Λ = 1,962 µm 1.546 1.548 1.550 1.552 1.554 Comprimento de Onda (µm) Coeficiente de Sensibilidade, r (%) 6 5 4 3 2 1 A B C λ = 633nm 0 0,50 0,55 0,60 0,65 0,70 Comprimento de Onda (µm)

Atividades Processamento de alto Desempenho e Técnicas T numéricas adequação de métodos m de resolução de sistemas de autovalores para o framework SDK-LEVSOFT otimização multiobjetivo de dispositivos eletroópticos, usando Algoritmos Genéticos

Projeto LRI

Projeto LRI - Acelerador MODULATOR 1 - electron gun 2 - magnetic lenses 3 - vaccum valves 4 - pre buncher 5 - buncher 6 - accelerating structure 7 - coil 8 - klystron 20 MW peak 9 - klystron 1 kw peak WAVEGUIDE ANALYZING SYSTEM ACCELERATING STRUCTURE INJECTOR

Equipes

Equipes

Fim Final da apresentação