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- Márcia de Caminha Brezinski
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1 EXTRAÇÃO DE PARÂMETROS DA TEOLOGIA SOI ATRAÉS DE APAITORES icor Sonnenberg*, Aparecido S. icole* e João Anonio Marino** *Professor Douor do urso de Maeriais, Processos e omponenes Elerônicos da Faculdade de Tecnologia de São Paulo (MPE FATE/SP). ** Professor Livre-Docene da Engenharia Elérica da Escola Poliécnica da USP (PSI-EPUSP). sonnen@lsi.usp.br Resumo ese ralho serão apresenadas as curvas caracerísicas de apaciores SOI-MOS e méodos de exração de parâmeros de processo e eléricos a parir desas curvas. Os méodos são esados e validados por simulações bidimensionais numéricas e aplicados experimenalmene, obendo-se valores esperados para a ecnologia uilizada. 1. Inrodução O ransisor de efeio de campo ipo Meal- Óxido-Semiconduor (MOSFET) foi concebido por Lilienfield em o enano, a sua consrução só foi realizada em 1960 com o avanço da ecnologia de fricação, principalmene, a melhoria da qualidade do óxido de pora [1]. Desde enão, a ecnologia MOS em sido amplamene esudada. om o avanço da ecnologia de fricação, as dimensões diminuíram para valores aixo de 1µm, permiindo uma maior inegração de disposiivos. o enano, o processo de fricação do MOSFET na ecnologia convencional (Bulk Technology) foi ficando cada vez mais complexo, surgindo efeios parasiários, ais como o irisor parasiário (Lach-up) para a ecnologia MOS, o efeio de perfuração MOS (Punchhrough), o aumeno na resisência série e a perfuração de junções rasas (Spikes) [2,3]. A ecnologia silício sobre isolane (licon On Insulaor - SOI) que consise na fricação dos disposiivos em uma camada de silício sobre uma camada de óxido de silício como isolane, apresena muias vanagens com relação à ecnologia MOS convencional. Uma revisão bibliográfica sobre a obenção da lâmina SOI, vanagens e desvanagens desse ipo de ecnologia, curvas caracerísicas de ransisores SOI e equacionameno pode ser visa nas referências [2,4]. A ecnologia SOI esá sendo amplamene esudada e méodos de caracerização são necessários para a sua análise e aperfeiçoameno. Muias écnicas de caracerização foram desenvolvidas aravés das curvas caracerísicas de orrene vs. Tensão (I-) do SOI MOSFET [5-8]. Muios esudos ambém esão sendo realizados aravés das curvas apaciância vs. Tensão (-) em capaciores MOS SOI de dois [9-11] e rês erminais [12-15], capaciores de lício-isolane- lício (SIS) [16-19], ransisores [20-24] e diodos [25,26]. Os objeivos dese arigo são: apresenar o capacior SOI-MOS comparando com o capacior convencional e méodos de exração de parâmeros. 2. apacior MOS A figura 1 ilusra o capacior na ecnologia MOS convencional e na SOI, onde ox é a espessura do óxido de pora do capacior convencional, é a espessura do óxido de pora, é a espessura da camada de silício, é a espessura do óxido enerrado do capacior SOI; G é a ensão aplicada na pora de um capacior convencional e GF e GB são as ensões aplicadas na pora e no subsrao (segunda pora) do capacior SOI. O modelo de capaciância ambém esá represenado ao lado do respecivo capacior onde ox é a capaciância do óxido de pora, D é a capaciância de depleção do lício, é a capaciância do óxido de pora para SOI, é a capaciância da camada de silício, é a capaciância do óxido enerrado e é a capaciância de silício do subsrao. o caso do capacior SOI, denomina-se capacior SOI com dois erminais, quando se mede a apaciância enre o GF e GB. uando se mede enre o GF e um erceiro erminal conecado à camada de silício ( ) denominando-se capacior SOI com rês erminais apacior convencional O capacior MOS é uma esruura muio simples e fácil de se fricar. Além de ser pare inegrane do ransisor MOS (pora), é uma esruura de caracerização bem conhecida e eselecida para a exração de parâmeros de processo e elérico [27]. ese iem será apresenada uma análise do capacior MOS convencional e da curva caracerísica apaciância vs. Tensão (-) em ala freqüência, assim como uma descrição do procedimeno de exração de parâmeros de processo ais como ox, concenração de dopanes ( a ) e carga no óxido ox e eléricos ais como ensão de faixa plana ( FB ) e ensão de limiar ( h ) [28]. A capaciância diferencial oal (), enre a pora e o subsrao, é dada pela associação série da capaciância do óxido de pora ( ox ) com a reae PDF wih GO2PDF for free, if you wish o remove his line, click here o buy irual PDF Priner
2 capaciância de depleção do silício ( D ), conforme figura 1b, e pode ser obida pela variação da carga oal no meal (δ M ) ou no silício (δ ) em função da variação da ensão de pora (δ G ), conforme a equação 1. δ M δ (1) δ G δ G Para a obenção experimenal de, aplicase, na pora do capacior, uma ensão alernada acoplada a uma ensão conínua, aerrando-se o subsrao. A ensão conínua serve para polarizar o capacior nas regiões de acumulação, faixa plana, depleção e inversão e a ensão alernada em a função de causar uma variação de carga para a medida da capaciância diferencial [28]. A ensão alernada deve ser de pequena ampliude, ipicamene 10m eficazes. G Meal Óxido de pora ox G ox Subsrao - P D a) b) F GF Primeira Inerface Segunda Inerface - Poli c Óxido de pora amada de silício ipo P Óxido enerrado c GF Terceira Inerface Subsrao - P GB GB c) d) Figura 1 - a) Perfil e b) modelo de capaciância do capacior convencional. c) Perfil e d) modelo de capaciância do capacior SOI com dois erminais. [F] 2.0x x x x G [] MI Figura 2 - urva apaciância vs. Tensão em ala freqüência considerando-se um subsrao ipo P. A figura 2 ilusra uma curva apaciância vs. Tensão em ala freqüência considerando-se um subsrao ipo P. A seqüência de cálculos para a deerminação dos parâmeros ox, a, FB, ox e h [28] será descria nos próximos parágros. Inicialmene, mede-se a curva - em ala freqüência com os cuidados necessários para se eviar efeios indesejáveis, ais como o da luz e de reae PDF wih GO2PDF for free, if you wish o remove his line, click here o buy irual PDF Priner
3 depleção profunda [29]. Ouros efeios podem aparecer, conforme a qualidade do óxido, como o esirameno na curva devido ao alo valor de armadilhas de inerface ( i ) ou devido à resisência do subsrao conhecida como resisência série (R s ) [27]. onsiderando-se uma curva sem os efeios mencionados aneriormene, aravés de capaciância máxima, que é igual à capaciância do óxido ( ox ), obém-se ox conforme a equação 2. ox A (2) ox onde A é a área do capacior e ox é a permissividade do óxido. Em geral, a área é grande, ipicamene 300 µm x 300 µm, para minimizar a imprecisão no cálculo pois um erro na área causa um erro direamene proporcional no ox. omo a capaciância mínima ( MI ) é igual à associação série de ox com DMI pode-se deerminar a capaciância de depleção mínima no silício ( DMI ) e a profundidade da camada de depleção (x dmax ) conforme a equação 3. DMI MI ( MI )A x dmax (3) onforme a equação 4, x dmax é função de a e do poencial de Fermi (Φ F ), no enano, devido a Φ F ser uma função logarímica de a, obém-se a equação ranscendenal 5 para a deerminação de a. x dmax a 2 2Φ F q a (4) 4 kt ln a (5) qx 2 q n dmax i Adoa-se um valor inicial de a e deerminase o valor final de a ineraivamene. Deerminada a espessura do óxido e a concenração de dopanes do subsrao, deermina-se a capaciância de faixa plana, definida na equação 6, e, aravés da curva medida, obém-se a ensão de faixa plana ( FB ). ox FBS FB (6) ox FBS onde FBS é a capaciância de faixa plana do silício. FB é dependene da diferença da função ralho enre o meal e o silício (Φ MS ), da carga efeiva no óxido e da espessura do óxido. onhecendo-se o maerial do meal de pora e sua respeciva função ralho, deermina-se Φ MS Φ M - Φ Φ M - (4,7 Φ F ) e, consequenemene, ox pela equação 7. q ox ox (7) ( Φ MS FB ) q E, por fim, a ensão de limiar, h, definida na equação 8. q x 2Φ a dmax (8) h FB F ox 2.2. apacior SOI com 2 erminais A figura 3 mosra uma curva ípica apaciância vs. Tensão (-) em ala freqüência enre os erminais de pora ( GF ) e subsrao ( GB ), em função da ensão aplicada à pora. apaciância [pf] MI 12 Figura 3 - urva apaciância vs.tensão de um capacior SOI de dois erminais com subsrao ipo P. Para valores negaivos de GF, o subsrao esá acumulado ornando a capaciância de subsrao ( ) infinia. Porano, conforme o circuio equivalene de capaciores (figura 1d), a capaciância máxima é a associação série das capaciâncias de óxido de pora ( ), de óxido enerrado ( ) e da camada de silício ( ). Aumenando-se o valor de GF, o subsrao inicia a depleção e para valores mais posiivos o subsrao esá inverido, com a região de depleção com sua exensão no máximo, ornando /x dmax. Porano a capaciância mínima é a associação série de,, e. Uilizando-se esa curva, serão definidos méodos de obenção de parâmeros de processos, como a concenração de dopanes do subsrao ( ), a carga efeiva de óxido na erceira inerface ( ox3 ) reae PDF wih GO2PDF for free, if you wish o remove his line, click here o buy irual PDF Priner
4 e a espessura do óxido enerrado ( ), que serão descrios a seguir Méodo de deerminação da concenração efeiva de dopanes do subsrao [30,31] os valores imposos na simulação, os quais apresenam uma boa aproximação. 8,0x10-9 1x10 15 cm -3 Proposa do méodo Da análise anerior, êm-se que é a associação série de, e e que MI é a associação série de,, e conforme as equações 9 e 10. apaciância [F/cm 2 ] 7,5x10-9 7,0x10-9 6,5x10-9 6,0x10-9 5,5x10-9 5,0x10-9 2x10 15 cm -3 5x10 15 cm MI (9) (10) ombinando-se as equações 9 e 10, obém-se e a profundidade máxima de depleção (x dmax ) no subsrao em função das capaciâncias máxima e mínima, conforme as equações 11 e 12. MI (11) - MI x dmax 4 KT ln (12) q q ni Aravés da equação 12, pode-se ober a equação ranscendenal de, conforme a equação q x 2 dmax kt ln q ni (13) A deerminação da concenração de dopanes do subsrao é obida ineraivamene adoando-se um valor inicial de. mulação numérica A figura 4 mosra as curvas - em ala freqüência obidas no simulador bidimensional numérico MEDII [32] com os seguines parâmeros de processo: 15nm, 70nm, 400nm, cm -3, ox1 /q1x10 10 cm -2, ox2 /q5x10 10 cm -2 e ox3 /q5x10 10 cm -2 para diferenes valores de concenração de dopanes do subsrao. A ela 1 apresena uma comparação dos resulados de obidos pelo méodo proposo com 4,5x10-9 Figura 4 - urvas - simuladas em ala freqüência para diferenes valores de. Tela 1 - omparação enre o valor de simulado e o resulado obido pelo méodo proposo. [cm -3 ] mulado Dados exraído da curva - [cm -3 ] Méodo MI Proposo [F/cm 2 ] [F/cm 2 ] 1 x ,83x10-9 4,79x10-9 1,07 x x ,83x10-9 5,29x10-9 1,97 x x ,83x10-9 5,96x10-9 4,93 x10 15 A sensibilidade do méodo proposo em função de erros de medida é apresenada na ela 2 para os mesmos parâmeros simulados e com 1x10 15 cm -3. Tela 2 - Sensibilidade do méodo em função de erros de medida. Medida ± 5 % 21 % MI ± 5 % 33 % Deve-se, porano, omar odos os cuidados possíveis na obenção de e MI para se minimizar os erros na deerminação de. Resulados experimenais A figura 5 apresena as curvas - experimenais, em ala freqüência, de capaciores SOI com dois erminais fricados na ecnologia SOI MOS sobre lâminas SIMOX com os seguines parâmeros: área2,5x10-3 cm 2, maerial de pora silício poli, 15nm, 70nm, 390nm e 1x10 17 cm -3. Esas curvas foram realizadas com o equipameno de medidas de apaciância ( meer ) HP 4280, com freqüência de 1 MHz, ao longo da lâmina. O subsrao ( GB ) foi aerrado. reae PDF wih GO2PDF for free, if you wish o remove his line, click here o buy irual PDF Priner
5 apaciância [pf] Figura 5 - urvas - experimenais em ala freqüência nos capaciores SOI com dois erminais. A ela 3 mosra os resulados obidos das curvas - e os valores calculados de, aplicando-se o méodo proposo. A média deses resulados é 3,2x10 15 cm -3, que é coerene para esa ecnologia [33]. Tela 3 - Dados exraídos das curvas - experimenais e os valores calculados de pelo méodo proposo. Dados exraídos da curva - Méodo Proposo [pf] MI [pf] [x10 15 cm -3 ] 19,7 14,3 3,4 19,8 14,3 3,3 19,8 14,2 3,1 19,9 14,3 3,2 19,9 14,2 3,0 19,9 14,3 3,1 19,9 14,5 3,5 20,5 14,6 3,2 20,2 14,7 3,6 20,1 14,4 3, Méodo de deerminação da carga efeiva de óxido na erceira inerface [30,31,34] Proposa do méodo Sendo a camada de silício fina, ocorre a ineração dos poenciais da primeira com a segunda inerface, que é modelado pelas equações de Lim- Fossum [35]. Poseriormene, foi acrescido o efeio do subsrao por Marino e al [36] dadas pelas equações 14, 15, 16 e 17. GF Φ Φ - MS1 ox1 Φ SF q 2 1 (14) GB Φ SF Φ (16) FB3 Φ - MS2 2 ox2 2q q Φ 2 1 Φ 2q 2 FB3 4 (15) 2 ( ) Φ GB kt ox3 ln (17) q onde, Φ é o poencial de superfície da erceira inerface, FB3 é a ensão de faixa plana para a esruura camada de silício- subsrao e ox3 é a carga efeiva do óxido na erceira inerface. Aravés da equação 17 é possível isolar a carga efeiva do óxido na erceira inerface ( ox3 ) conforme a equação 18. ox3 q kt ln q FB3 (18) q FB3 é obido isolando-o na equação 16, considerando-se GB 0, resulando na equação 19. FB3 Φ 2q Φ Φ (19) Para a deerminação de Φ são combinadas as equações 14 e 15 resulando na equação 20. Φ MS2 Φ onde, GF A ox2 Φ MS1 q A Φ 2 ( ) 1 ox1 1 q 2 (20) (21) A ensão de pora GF, usada na equação 21, é exraída aravés da segunda derivada da capaciância em função da ensão de pora da curva reae PDF wih GO2PDF for free, if you wish o remove his line, click here o buy irual PDF Priner
6 vs. conforme mosrada na figura 6. Ese pono é onde o subsrao esá na ransição da depleção para a inversão ( GF,inv3 ) e, nesa condição, emos que Φ 2Φ Fb. apaciância [pf] pono máximo GF,inv Figura 6 - urva - e a respeciva segunda derivada da capaciância em função da ensão de um capacior SOI de dois erminais com subsrao ipo P. É imporane ober ox3 devido a influência do subsrao no comporameno de ransisores SOI em condições especiais, como pequenos valores de e baixas emperauras [37]. ox3 ambém em sido obido aravés do capacior lício-isolane- lício (SIS) e de ransisores [38]. mulação numérica A figura 7 mosra as curvas - em ala freqüência obidas no simulador bidimensional numérico MEDII [32], com os seguines parâmeros de processo: 15nm, 70nm, 400nm, 1x10 15 cm -3, 1x10 15 cm -3, ox1 /q1x10 10 cm -2 e ox2 /q5x10 10 cm -2 para diferenes valores de carga na erceira inerface. apaciância [F/cm 2 ] 8,0x10-9 7,5x10-9 7,0x10-9 6,5x10-9 6,0x10-9 5,5x10-9 5,0x10-9 1,0 0,5 0,0-0,5-1,0 ox3 /q1x10 10 cm -2 ox3 /q5x10 10 cm -2 ox3 /q1x10 11 cm -2 4,5x10-9 Figura 7 - urvas vs. simuladas em ala freqüência para diferenes valores de ox3. A ela 4 apresena uma comparação dos resulados de ox3 obidos pelo méodo proposo com os valores imposos na simulação, onde observa-se uma boa aproximação. δ 2 /δ 2 GF [pf/2 ] Tela 4 - omparação enre o valor de ox3 simulado e o resulado obido pelo méodo proposo. ox3 /q [cm -2 ] GF,inv3 [] mulado Exraído da ox3 /q [cm -2 ] Méodo Proposo curva - 1x ,20 1,04 x x ,30 5,67 x x ,80 1,09 x10 11 Tela 5 - Sensibilidade do méodo em função de erros de medida ou imprecisão de parâmeros de processo. Medido / parâmero ox3 GFinv3 ± 10% 3% ± 1 nm <1% ± 5 nm <1% ± 10 nm 2% ± 1x10 14 cm -3 <1% ± 1x10 14 cm -3 13% ox1 /q ± 2x10 10 cm -2 2% ox2 /q ± 2x10 10 cm -2 2% A sensibilidade do méodo proposo, em função de erros de medida ou imprecisão de parâmeros de processo, é apresenada na ela 5 para os mesmos parâmeros simulados e com ox3 /q5x10 10 cm -2. o pior caso, o erro será de 13% em ox3 quando se iver uma imprecisão de 1x10 14 cm -3 em. Resulados experimenais onsiderando-se as curvas - experimenais da figura 5, a ela 6 mosra os valores de GF,inv3 obidos e os valores calculados de ox3, aplicando-se o méodo proposo. A média deses resulados é ox3 /q5,5x10 10 cm -2, que é coerene para esa ecnologia [33]. Tela 6 - GF,inv3 exraídos das curvas - experimenais e os valores calculados de ox3 pelo méodo proposo. GFinv3 [] Exraídos da curva - ox3 /q [x10 10 cm -2 ] Méodo Proposo 2,35 7,6 2,20 7,8 2,60 5,5 2,60 5,5 2,80 4,2 2,65 5,2 2,90 5,1 3,35 2,0 2,80 4,2 2,65 5,2 reae PDF wih GO2PDF for free, if you wish o remove his line, click here o buy irual PDF Priner
7 Méodo de deerminação da espessura efeiva do óxido enerrado [31] Proposa do méodo A capaciância máxima de um capacior SOI é dada pela associação série enre, e, conforme equação 9. Isolando-se e sendo ox /, / e ox /, obém-se as equações 22 e ox (22) 1 (23) ox onsiderando-se conhecidos e por ouros méodos, pode-se deerminar a espessura do óxido enerrado, conforme a equação 24. ox ox (24) mulação numérica A figura 8 mosra as curvas - em ala freqüência obidas no simulador bidimensional numérico MEDII [32], com os seguines parâmeros de processo: 15nm, 70nm, 1x10 15 cm -3, 1x10 15 cm -3, ox1 /q1x10 10 cm - 2, ox2 /q5x10 10 cm -2 e ox3 /q5x10 10 cm -2 para diferenes valores de. apaciância [F/cm 2 ] 9x10-9 8x10-9 7x10-9 6x10-9 5x nm 400nm 450nm 4x10-9 Figura 8 - urvas - simuladas em ala freqüência para diferenes valores de. A ela 7 apresena uma comparação dos resulados de obidos pelo méodo proposo com os valores imposos na simulação, onde observa-se uma boa aproximação. Tela 7 - omparação enre o valor de simulado e o resulado obido pelo méodo proposo. [nm] mulado [x10-9 F/cm 2 ] Exraído da curva - [nm] Méodo Proposo 350 8,9 350, ,8 402, ,0 452,6 A sensibilidade do méodo proposo, em função de erros de medida ou imprecisão de parâmeros de processo, é apresenada na ela 8 para os mesmos parâmeros simulados e com 400nm. O erro máximo obido é de 5,8%. Tela 8 - Sensibilidade do méodo em função de erros de medida ou imprecisão de parâmeros de processo. Medido / parâmero ± 5% 5,8 % ± 1 nm <1 % ± 5 nm <1 % Resulados experimenais onsiderando-se as curvas - experimenais da figura 5, a ela 9 mosra os resulados obidos e os valores calculados de, aplicando-se o méodo proposo. A média deses resulados é 393,8 nm, que é o valor esperado para esa ecnologia [33]. Tela 9 - Resulados exraídos das curvas - experimenais e os valores calculados de pelo méodo proposo. [pf] Exraídos da curva - 3. onclusão [nm] Méodo Proposo 19,7 398,8 19,8 397,5 19,8 397,5 19,9 395,3 19,9 395,3 19,9 395,3 19,9 395,3 20,5 382,6 20,2 389,3 20,1 391,4 ese ralho foi comparado o capacior convencional e o SOI de dois erminais. Aravés da análise do capacior SOI com dois erminais e de sua respeciva curva apaciância vs. Tensão em ala freqüência, foram proposos méodos de exração de parâmeros, como da concenração de dopanes do subsrao ( ), da reae PDF wih GO2PDF for free, if you wish o remove his line, click here o buy irual PDF Priner
8 carga efeiva de óxido na erceira inerface ( ox3 ) e da espessura do óxido enerrado ( ). mulações numéricas bidimensionais foram realizadas para a validação deses méodos. Uma análise da sensibilidade ambém foi realizada onde deerminou-se que o erro máximo para a concenração de dopanes no subsrao é de 33%, da carga efeiva de óxido na erceira inerface é de 13% e da espessura do óxido enerrado é de 5,8% em função das imprecisões ípicas das variáveis de enrada. Os méodos proposos foram aplicados experimenalmene e os resulados médios obidos foram de 3,2x10 15 cm -3, ox3 /q5,5x10 10 cm -2 e 394 nm que são valores esperados e coerenes para a ecnologia analisada. Bibliogria [1] Kahng, D. e Aalla, M. M., licon-licon Dioxide Field Induced Surface Device, IRE Solid Sae Devices Res. onf., arnegie Insiue of Technology, Pisburgg, Pa., [2] olinge, J. P., licon On Insulaor Technology: Maerials o LSI ; Kluwer Academic Publishers, 3 rd Ediion, Boson, 360pp, [3] El-Mansy, Y., IEEE Transacions on Elecron Devices, ol. 29, 567, [4] Sonnenberg,. e icole, A. S., Transisores MOSFETs Fricados na Tecnologia de lício Sobre Isolane SOI MOSFET: A aminho do Fuuro, Boleim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, BT14, 14-23, Ago/2003. [5] Marino, J. A., Modelagem do subsrao e novos méodos de caracerização elérica de SOI MOSFET, Tese de livre docência, Escola Poliécnica da USP, [6] Pavanello, M. A., Projeo, fricação e caracerização elérica de uma nova esruura para o SOI MOSFET, Tese de douorado, Escola Poliécnica da USP, [7] icole, A. S., Esudo do comporameno da resisência série e desenvolvimeno de novos méodos de caracerização elérica em disposiivos SOI MOSFET, Tese de douorado, Escola Poliécnica da USP, [8] Bellodi, M., Esudo das componenes e modelagem das correnes de fuga em disposiivos SOI MOSFET operando em alas emperauras, Tese de douorado, Escola Poliécnica da USP, [9] Sonnenberg,., ovos méodos para a deerminação de parâmeros da ecnologia SOI aravés de capaciores, Tese de douorado, Escola Poliécnica da USP, [10] Flandre, D. e an de Wiele, F., A ew Analyical Model for he Two-Terminal MOS apacior on SOI Subsrae, IEEE Elecron Device Leers, ol. 9, n o. 6, 296, [11] Flandre, D., Loo, T., erlinden, P. e an de Wiele, F., Inerpreaion of uasi-saic - haracerizaion of MOSOS apaciors on SOI Subsraes, IEE Elecronics Leers, ol. 27, n o. 1, 43, [12] Rusagi, S.., Mohsen, Z. O, handra, S. e hand, A., - haracerizaion of MOS apaciors in SOI Srucures, Solid Sae Elecronics, ol. 39, n o. 6, 841, [13] McDaid, L. J., Hall, S. e Eccleson, W., Inerpreaion of apaciance-olage haracerisics on licon-on-insulaor (SOI) apaciors, Solid Sae Elecronics, ol. 32, n o. 1, 65, [14] Lee, J. H. e risoloveanu, S., Accurae Technique for Measuremens on SOI Srucures Excluding Parasiic apaciance Effecs, IEEE Elecron Device Leers, ol. EDL7, 537, [15] Ikraiam, F. A., Beck, R. B. e Jakubowski, A., Modeling of SOI-MOS apaciors - Behavior: Parially- and Fully-Depleed ases, IEEE Trans. Elecron Devices, ol. 45, n o. 5, 1026, [16] hen, H. S. e Li, S. S., A Model for Analyzing he Inerface Properies of a Semiconducor-Insulaor-Semiconducor Srucure - I: apaciance and onducance Techniques, IEEE Transacions on Elecron Devices, ol. 39, n o. 7, 1740, [17] hen, H. S. e Li, S. S., A Model for Analyzing he Inerface Properies of a Semiconducor-Insulaor-Semiconducor Srucure - II: Transien apaciance Technique, IEEE Transacions on Elecron Devices, ol. 39, n o. 7, 1747, [18] Brady, F. T., Li, S. S. e Burk, D. E., Deerminaion of he Fixed harge and Inerface Trap Densiies for Buried Oxide Layers Formed by Oxygen Implanaion, Appl. Phys. Leers, ol. 52, n o. 11, 886, [19] agai, K., Sekigawa, T. e Hayashi, Y., apaciance-olage haracerisics of Semiconducor-Insulaor-Semiconducor (SIS) Srucure, Solid Sae Elecronics, ol. 28, n o. 8, 789, [20] Flandre, D. e Geninne, B., Exracion of Physical Device Dimensions of SOI MOSFET s from Gae apaciance Measuremens, IEE Elecronics Leers, ol. 29, n o. 7, 586, [21] Flandre, D., Analysis of Floaing Subsrae Effecs on he Inrinsic Gae apaciance of SOI MOSFET s Using Two-Dimensional Device mulaion, IEEE Transacions on Elecron Devices, ol. 40, n o. 10, 1789, [22] Flandre, D., Measuremen and mulaion of Floaing Subsrae on he Inrinsic Gae apaciance haracerisics of SOI n-mosfets, IEE Elecronics Leers, ol. 28, n o. 10, 967, [23] hen, J., Solomon, R., han, T-Y., Ko, P. K. e Hu,., A Technique for Measuring Thin SOI reae PDF wih GO2PDF for free, if you wish o remove his line, click here o buy irual PDF Priner
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