Mauricio Fabbri. Nome. Nome em citações bibliográficas. Sexo. Endereço profissional
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1 Mauricio Fabbri Rede de Colaboração Possui graduação em Engenharia de Eletrônica (1977) e Doutorado em Ciências (1982) pelo Instituto Tecnológico de Aeronáutica. Atualmente é pesquisador Senior do Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais e professor titular da Universidade São Francisco. Tem experiência na áreas de Física e Engenharia, com ênfase em Física da Matéria Condensada, atuando principalmente nos seguintes temas: solda anódica para microfabricação, sistemas inerciais MEMS, crescimento de cristais, solidificacao, e metodos numericos. Foi gerente do subsistema Experimento Celula Solar, carga útil do primeiro satélite brasileiro de coleta de dados, durante as fases de protótipo e testes de modelo de vôo. (Texto informado pelo autor) Última atualização do currículo em 20/12/2010 Endereço para acessar este CV: Dados pessoais Nome Nome em citações bibliográficas Sexo Endereço profissional Mauricio Fabbri FABBRI, M. Masculino Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Centro de Tecnologias Especiais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais. Avenida dos Astronautas, 1758 Jardim da Granja Sao Jose dos Campos, SP - Brasil - Caixa-Postal: 515 Telefone: (12) URL da Homepage: w w.las.inpe.br Formação acadêmica/titulação Pós-Doutorado. University of Minnesota. Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico,CNPq,Brasil. Grande área: Engenharias / Área: Engenharia de Materiais e Metalúrgica / Subárea: Metalurgia Física / Especialidade: Transformação de Fases. Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Mecânica / Subárea: Fenômenos de Transporte / Especialidade: Princípios Variacionais e Métodos Numéricos. Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Mecânica / Subárea: Fenômenos de Transporte / Especialidade: Transferência de Calor Pós-Doutorado. Massachusetts Institute Of Technology. Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico,CNPq,Brasil. Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Mecânica / Subárea: Fenômenos de Transporte / Especialidade: Princípios Variacionais e Métodos Numéricos. Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Mecânica / Subárea: Fenômenos de Transporte / Especialidade: Transferência de Calor. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Áreas Clássicas de Fenomenologia e suas Aplicações / Especialidade: Transferência de Calor; Processos Térmicos e Termodinâmicos Doutorado em Física (Conceito CAPES 4). Instituto Tecnológico de Aeronáutica, ITA, Brasil. Título: Correlação e Desordem em Semicondutores Dopados, Ano de Obtenção: Orientador: Antonio Ferreira da Silva. Palavras-chave: Estados Eletronicos; Semicondutores Dopados; Estruturas Bidimensionais; Sistemas Desordenados; Transicao Metal-Nao Metal. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estados Eletrônicos. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física Atômica e Molecular / Especialidade: Estudos de Átomos e Moléculas Especiais. Setores de atividade: Energia; Desenvolvimento de Novos Materiais; Aeronáutica e Espaço Mestrado em Física (Conceito CAPES 4). Instituto Tecnológico de Aeronáutica, ITA, Brasil. Título: ESTUDO DOS ESTADOS ELETRONICOS E DE PROPRIEDADES FISICAS LIGADAS A IMPUREZAS SUBSTITUCIONAIS EM SEMICONDUTORES DOPADOS - INFLUENCIA DE DESORDEM E CORRELACAO, Ano de Obtenção: Orientador: ANTONIO FERREIRA DA SILVA - IVAN COSTA DA CUNHA LIMA.
2 Orientador: ANTONIO FERREIRA DA SILVA - IVAN COSTA DA CUNHA LIMA. Palavras-chave: Metodos Numericos; Semicondutores Dopados; Sistemas Desordenados; Solidificacao; Transicao Metal-Nao Metal; Volumes de Controle. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada. Setores de atividade: Energia; Desenvolvimento de Novos Materiais; Aeronáutica e Espaço Graduação em Engenharia de Eletrônica. Instituto Tecnológico de Aeronáutica, ITA, Brasil. Formação complementar Curso de Curta Duração. International Center For Theorethical Physics. Atuação profissional Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, INPE, Brasil Atual Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Pesquisador, Carga horária: Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Pesquisador (afastamento sem remuneração), Carga horária: Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Pesquisador, Carga horária: Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Pesquisador, Carga horária: 40 Outras informações Gerente do subsistema Experimento Celula Solar, carga útil do primeiro satélite brasileiro de coleta de dados, durante as fases de protótipo e testes de modelo de vôo. Atividades 1/ Atual Ensino, Engenharia e Tecnologia Espaciais, Nível: Pós-Graduação. Métodos matemáticos aplicados à ciência dos materiais Fisica do estado sólido 8/ Atual Pesquisa e desenvolvimento, Centro de Tecnologias Especiais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais. Linhas de pesquisa Fisica da Materia Condensada 2/ /2008 Ensino, Computação Aplicada, Nível: Pós-Graduação. Física Matemática 2/1996-7/2002 Pesquisa e desenvolvimento, Centro de Tecnologias Especiais, Laboratório Associado de Computação e Matemática Aplicada. Linhas de pesquisa Problemas Inversos Microfabricação 01/ /1987 Ensino, Computação Aplicada, Nível: Pós-Graduação. Universidade São Francisco, USF, Brasil. COORDENADOR ACADEMICO DO CURSO DE COMPUTACAO APLICADA Atual Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor Titular, Carga horária: Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor titular, Carga horária: Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor titular, Carga horária: 40 Atividades
3 Atividades 2/ Atual Ensino, Engenharia, Nível: Graduação. Fenômenos de Transporte Análise linear de sistemas Física Cálculo e cálculo avançado 1/1995-1/2009 Ensino, Engenharia, Nível: Graduação. Algebra Linear Cálculo Avançado Circuitos Logicos Estatistica Física Aplicada Pesquisa Operacional 1/2001-7/2002 Ensino, Mestrado Em Engenharia e Ciência dos Materiais, Nível: Pós-Graduação. Introdução à Ciência dos Materiais Metrologia Estatística 1/1995-7/2002 Pesquisa e desenvolvimento, Centro de Ciências Exatas e Tecnológicas,. Linhas de pesquisa Simulação e Otimização de Processos aplicados à Materiais Metrologia e Qualidade aplicadas à Caracterização de Materiais Centro de Desenvolvimento de Tecnologia e Recursos Humanos, CDT, Brasil Vínculo: Servidor público ou celetista, Enquadramento Funcional: PROFESSOR, Carga horária: 40 Atividades 01/ /1980 Ensino, Engenharia Mecânica, Nível: Graduação. CIRCUITOS ELETRICOS // MATEMATICA APLICADA // ELETROMAGNETISMO Linhas de Pesquisa 1. Problemas Inversos 2. Microfabricação Objetivos: Modelagem de métodos e processos em microfabricação. Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Aeroespacial / Subárea: Materiais e Processos para Engenharia Aeronáutica e Aeroespacial. Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Mecânica / Subárea: Mecânica dos Sólidos / Especialidade: Análise de Tensões. Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Mecânica / Subárea: Mecânica dos Sólidos / Especialidade: Dinâmica dos Corpos Rígidos, Elásticos e Plásticos. Palavras-chave: Anodic Bonding; elasticity; continuum mechanics. 3. Fisica da Materia Condensada 4. Simulação e Otimização de Processos aplicados à Materiais 5. Metrologia e Qualidade aplicadas à Caracterização de Materiais Áreas de atuação 1. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada. 2. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estados Eletrônicos. 3. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Áreas Clássicas de Fenomenologia e suas Aplicações / Especialidade: Transferência de Calor; Processos Térmicos e Termodinâmicos. 4. Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Matemática / Subárea: Matemática Aplicada / Especialidade: Análise Numérica. 5. Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Mecânica / Subárea: Fenômenos de Transporte / Especialidade:
4 5. Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Mecânica / Subárea: Fenômenos de Transporte / Especialidade: Princípios Variacionais e Métodos Numéricos. 6. Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Mecânica / Subárea: Fenômenos de Transporte / Especialidade: Transferência de Calor. Idiomas Inglês Francês Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem. Fala Razoavelmente, Lê Bem, Escreve Razoavelmente. Produção em C,T & A Produção bibliográfica Artigos completos publicados em periódicos 1. FABBRI, M. ; SENNA, José Roberto Sbragia. Models of Ionic Transport for Silicon-Glass Anodic Bonding. Journal of the Electrochemical Society, v. 155, p. G274-G282, FABBRI, M.. Phase-Field Solutions for the Classic One-Dimensional Tw o-phase Supercooled Solidification Problem. Projeções (Bragança Paulista), Bragança Paulista - São Paulo, v. 18, p , FABBRI, M. ; VOLLER, V. R.. The Phase-Field Method In The Sharp-Interface Limit: A Comparision Betw een Model Potentials. Journal of Computational Physics, Holanda, v. 130, p , VOLLER, V. R. ; FABBRI, M.. Numerical Solution Of Plane-Front Solidification With Kinetic Undercooling. Numerical Heat Transfer, England, v. B24, n. 7, p , LIMA, I. C. C. ; SILVA, A. F. ; FABBRI, M. ; TROPER, A.. Variation of the Fusion Rate of the Deuterium Molecule in an Effective Medium. Modern Physics Letters B, v. 7, n , p , PERONDO, L. F. ; FABBRI, M. ; SILVA, A. F.. Influence Of Valley-Splitting In The Specific Heat Of Si:P. SOLID STATE COMMUNICATIONS, v. 73, n. 4, p , FABBRI, M.. Stability Of The Tottaly Implicit Finite Difference Scheme For The One-Dimensional Diffusion Equation With A Moving Boundary. COMPUTING, v. 45, p , LIMA, I. C. C. ; FABBRI, M. ; SILVA, A. F. ; TROPER, A.. Calculation Of Ground-State Energies Of Muonic Molecules Of Hydrogen Isotopes Confined To A Tw o-dimensional Region. PHYSICAL REVIEW A, v. 41, n. 7, p , FABBRI, M. ; BANDEIRA, I. N. ; MIRANDA, L. C. C.. A Model For Solute Transport In Pb(X)Sn(1-X)Te Grow th By Vms. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, v. 104, p , PERONDI, L. ; FABBRI, M. ; SILVA, A. F.. Density Of States With Randomly Distributed Donor-Monovalent Impurities In Tw o Dimensions - An Analytical Treatment. JOURNAL OF PHYSICS: CONDENSED MATTER, v. 1, p , PERONDI, L. ; SILVA, A. F. ; FABBRI, M.. Metal To Non-Metal Transitions In N-Doped Many-Valley Si And Ge. PHILOSOPHICAL MAGAZINE B, v. 1, n. 54, p , FABBRI, M. ; SILVA, A. F.. Variational Calculation Of The 2d H2 Molecule. PHYSICAL REVIEW A, v. 32, n. 3, p , SILVA, A. F. ; FABBRI, M.. The Hydrogen Molecule For A Tw o-dimensional System. INTERNATIONAL JOURNAL OF QUANTUM CHEMISTRY, v. XXVII, p , FABBRI, M. ; SILVA, A. F.. Bandw idth Narrow ing In N-Type Many-Valley Semiconductors Ii: A Self-Consistent Many-Body And Unrestricted Hartree Fock Cluster Approaches. JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, v. 701, p , FABBRI, M. ; SILVA, A. F.. Clustering Model In N-Doped Many-Valley. PHYSICAL REVIEW B, v. 29, n. 10, p , FABBRI, M. ; PERONDI, L.. Statistical Computer-Aided Calculation Of Molecular Integrals. INTERNATIONAL JOURNAL OF QUANTUM CHEMISTRY, v. XXVI, p , SILVA, A. F. ; FABBRI, M.. Cluster Model For Tw o-dimensional Disordered Systems. JOURNAL OF PHYSICS C, v. 17, n. 3, p. 5-10, FABBRI, M. ; SILVA, A. F.. Bandw idth Narrow ing In N-Type Many-Valley Semiconductors. JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, v. 55, p , SILVA, A. F. ; LIMA, I. C. C. ; FABBRI, M.. Electron Hopping Energy Influence On The Specific Heat Of Phosphorus Doped Silicon. PHYSICS STAT. SOLIDI B, v. 115, p , LIMA, I. C. C. ; SILVA, A. F. ; FABBRI, M.. Tw o Dimensional Density Of States For Electrons Bound To Impurities Inside Inversion Layers. SURFACE SCIENCE, v. 134, p , KISHORE, R. ; LIMA, I. C. C. ; FABBRI, M. ; SILVA, A. F.. Electron And Impurity Correlations In Doped Semiconductors. PHYSICAL REVIEW B, v. 26, n. 2, p , LIMA, I. C. C. ; FABBRI, M. ; SILVA, A. F.. Diagonal And Off-Diagonal Disorder In Doped Semiconductors. PHYSICS STAT. SOLIDI B, v.
5 22. LIMA, I. C. C. ; FABBRI, M. ; SILVA, A. F.. Diagonal And Off-Diagonal Disorder In Doped Semiconductors. PHYSICS STAT. SOLIDI B, v. 111, p , SILVA, A. F. ; LIMA, I. C. C. ; FABBRI, M.. Eletric Conduction In N-Type Germanium And Cadmium Sulfide. PHYSICS LETTERS A, v. 83, n. 9, p , Capítulos de livros publicados 1. FABBRI, M.. An Alternative Approach For The Modelling And Simulation Of Binary Alloy Solidification Usinf A Fixed-Grid Control- Volume Technique. In: L.C.Wrobel; C.A.Brebbia. (Org.). COMPUTATIONAL MODELLING OF FREE AND MOVING BOUNDARY PROBLEMS, VOL.2. SOUTHAMPTON, UK.: COMPUTATIONAL MECHANICS PUBLICATIONS, 1991, v., p Trabalhos completos publicados em anais de congressos 1. PAES, Fabiana Ferreira ; FABBRI, M. ; SENNA, José Roberto Sbragia. Numerical Simulation of Oxide Layer Grow th During Anodic Bonding. In: XXVII CILAMCE - Iberian Latin American Congress on Computational Methods in Engineering, 2006, Belém, PA, Brasil. Anais do XXXVII CILAMCE, PAES, Fabiana Ferreira ; FABBRI, M.. Simulação de Transientes Elétricos durante Processos de Solda Anódica. In: V Workshop dos Cursos de Computação Aplicada do INPE, 2005, São José dos Campos, FABBRI, M.. PHASE-FIELD STUDY OF RAPID DIRECTIONAL SOLIDIFICATION IN A HIGHLY SUPERCOOLED MELT. In: XXV CILAMCE - Congresso Íbero-Latinoamericano de Métodos Computacionais em Engenharia, 2004, Recife - PE. CDROM, v. unico. 4. FABBRI, M. ; SENNA, José Roberto Sbragia. NUMERICAL SIMULATION OF ION TRANSPORT DURING ANODIC BONDING. In: XXV CILAMCE - Congresso Íbero-Latinoamericano de Métodos Computacionais em Engenharia, 2004, Recife - PE. Proceedings of XXV CILAMCE, v. unico. 5. BELOTO, A. F. ; ROSA, R. R. ; BRITO, R. C. ; LEITE, N. F. ; KURANAGA, C. ; FABBRI, M. ; UEDA, M.. Correlation betw een Raman Spectra Measurements and Gradient Pattern Analysis of Annealed Porous Silicon Implanted w ith Nitrogen by Plasma Immersion Ion Implantation (PIII). In: 20th International Conference on Amorphous & Microcrystalline Semiconductors : Science & technology - ICAMS20, 2003, Campos do Jordão, ARAI, N. N. ; SOUTO, R. P. ; PRETO, A. J. ; VELHO, H. F. C. ; BECCENERI, J. C. ; FABBRI, M. ; STEPHANY, S.. An inverse formulation for diffusive bridgman grow th using ant colony optimization in a high performance enviroment. In: Congresso Nacional de Matematica Aplicada e Computacional (CNMAC), 2002, Nova Friburgo, FABBRI, M.. Inverse Problems in Diffusion-dominated Bridgman Grow th. In: 22nd Iberian Latin-American Congress on Computational Methods in Engineering (CILAMCE), 2001, Campinas. Anais do 22nd Iberian Latin-American Congress on Computational Methods in Engineering (CILAMCE), FABBRI, M.. Axial Segregation Profiles During Directional Solidification. In: 7th Brazilian Congress of Engineering and Thermal Sciences, 1998, Rio de Janeiro. Anais do ENCIT-98: 7th Brazilian Congress of Engineering and Thermal Sciences, p FAZENDA, A. L. ; TRAVELHO, J. S. ; FABBRI, M.. Modelagem Numérica de Fenômenos de Solidificação Através do Método de Campo de Fase. In: 7th Brazilian Congress of Engineering and Thermal Sciences, 1998, Rio de Janeiro. Anais do ENCIT-98, p FABBRI, M.. Modelamento Numérico e Simulação Computacional Aplicados ao Crescimento de Cristais. In: I Escola de Verão em Crescimento de Cristais, 1997, São Paulo. Capítulos da I Escola de Verão em Crescimento de Cristais, p FAZENDA, A. L. ; TRAVELHO, J. S. ; FABBRI, M.. Modeling Kinetic Undercooling Through Phase-Field Equations With Non-linear Dynamics. In: 6 Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciências Térmicas; 6 Congresso Latino-Americano de Transferência de calor e Massa, 1996, Florianópolis. Anais do 6 Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciências Térmicas (ENCIT-96) e 6 Congresso Latino- Americano de Transferência de calor e Massa, p FABBRI, M.. Entalpia de uma Liga Binária Durante o Crescimento Bridgman. In: XVIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1995, Caxambú. Pesquisa e Desenvolvimento Tecnológico, v. 19. p FABBRI, M.. The Phase-Field Method in Engineering: Behaviour Under Various Solidification Regimes. In: V Encontro Nacional de Ciências Térmicas - ENCIT94, 1994, Sâo Paulo, SP. Anais do V Encontro Nacional de Ciências Térmicas, p FABBRI, M.. Análise de Perfís de Composição em Macrocristais Pseudo-Binários Crescidos em Microgravidade. In: 2º Simpósio Brasileiro de Tecnologia Aeroespacial, 1994, São José dos Campos. Anais do 2º Simpósio Brasileiro de Tecnologia Aeroespacial, FABBRI, M.. An Alternative Approach For The Modelling And Simulation Of Binary Alloy Solidification Using A Fixed-Grid Control Volume Technique. In: FIRST INTERNATIONAL CONFERENCE ON COMPUTATIONAL MODELLING OF FREE AND MOVING BOUNDARY PROBLEMS, SOUTHAMPTON, UK. p FABBRI, M.. Fixed-Grid Simulation Of Phase-Change Problems: The Mushy-Cell Approach. In: III ENCONTRO NACIONAL DE CIENCIAS TERMICAS (ENCIT-90), ITAPEMA, SC. p FABBRI, M.. Thermodynamic Behaviour Of N-Doped Silicon Near And Above The Metal-Insulator Transition. In: 4A ESCOLA BRASILEIRA DE FISICA DOS SEMICONDUTORES, BELO HORIZONTE, MG. p FABBRI, M.. On Some Physical Impurity Properties Of Doped-Indirect Gap Semiconductors At Low And Intermediate Concentrations. In: 2A. ESCOLA BRASILEIRA DE FISICA DOS SEMICONDUTORES, SAO PAULO, SP. p FABBRI, M.. Electronic Density Of States For The Double Donor System Si:P,As. In: 2A. ESCOLA BRASILEIRA DE FISICA DOS SEMICONDUTORES, SAO PAULO, SP. p FABBRI, M.. Periodic Cluster Simulation Of An Impurity System. In: 2A. ESCOLA BRASILEIRA DE FISICA DOS SEMICONDUTORES, SAO PAULO, SP. p FABBRI, M.. O Uso do Computador Na Construcao de Distribuicoes Estatisticas Circulares. In: 2 ENCONTRO REGIONAL DE
6 21. FABBRI, M.. O Uso do Computador Na Construcao de Distribuicoes Estatisticas Circulares. In: 2 ENCONTRO REGIONAL DE MATEMATICA APLICADA E COMPUTACIONAL DA SBMAC, SAO JOSE DOS CAMPOS, SP. p FABBRI, M.. Clustering Model In N-Doped Many-Valley Semiconductors. In: 2A ESCOLA BRASILEIRA DE FISICA DE SEMICONDUTORES, SAO PAULO, SP. p FABBRI, M.. Metal-Non Metal Transitions In N-Doped Many-Valley Si And Ge. In: 2A ESCOLA BRASILEIRA DE FISICA DOS SEMICONDUTORES, SAO PAULO, SP. p FABBRI, M.. Impurity States In Tw o And Three-Dimensional Disordered Systems. In: SIMPOSIO LATINO-AMERICANO DE FISICA DOS SITEMAS AMORFOS, NITEROI. p FABBRI, M.. Tw o Dimensional Density Of States For Electrons Bound To Impurities Inside Inversion Layers At The Semiconductor- Insulator Interface. In: 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRONIC PROPERTIES OF TWO- DIMENSIONAL SYSTEMS, OXFORD, UK. p Resumos publicados em anais de congressos 1. ARAI, N. N. ; FABBRI, M. ; STEPHANY, S.. Nova abordagem para a análise da morfologia da interface sólido-líquida na solidificação de ligas binárias. In: 3o Workshop dos Cursos de Computação Aplicada do INPE (WORCAP), 2003, São José dos Campos, ARAI, N. N. ; FONSECA, L. M. G. ; FABBRI, M. ; STEPHANY, S.. Análise da curvatura da interface sólido-líquido na solidificação de ligas binárias. In: 2o Workshop dos Cursos de Computação Aplicada do INPE - WORCAP, 2002, São José dos Campos, FABBRI, M.. Estudo Numérico da Regularização de um Algoritmo de Acompanhamento de Frente para a Solidificação de Ligas, no Limite de Volumes de Controle Infinitesimais. In: Encontro Regional de Matamática Aplicada e Computacional, 2000, São José dos Campos. Resumos do Encontro Regional de Matamática Aplicada e Computacional, p LADEIRA, G. G. ; FABBRI, M.. WinSPEC - uma plataforma computacional amigável para análise espectral. In: 51a. Reunião Anual da SBPC, 1999, Porto Alegre. Resumos da 51a. Reunião Anual da SBPC, ARAI, N. N. ; FABBRI, M.. Solução Global para a Redistribuição de Soluto Durante a Solidificação de Ligas Binárias. In: 51a. Reunião Anual da SBPC, 1999, Porto Alegre. Resumos da 51a. Reunião Anual da SBPC, FABBRI, R. ; FABBRI, M.. Metodologia do Laboratório de Medidas Básicas para o Segundo Grau Técnico/Profissionalizante. In: 51a. Reunião Anual da SBPC, 1999, Porto Alegre. Resumos da 51a. Reunião Anual da SBPC, ARAI, N. N. ; STEPHANY, S. ; RAMOS, F. M. ; FABBRI, M.. Medidas Indiretas de Segregação Interfacial no Sistema Pb0.8Sn0.2Te. In: 51a. Reunião Anual da SBPC, 1999, Porto Alegre. Resumos da 51a. Reunião Anual da SBPC, FABBRI, M. ; FAZENDA, Á. L. ; TRAVELHO, J. S.. Simulação da Convecção Residual em Crescimentos Bridgman de Cristais em Ampolas Finas. In: XXII Congresso Nacional de Matemática Aplicada e Computacional, 1999, Santos. Resumos do XXII Congresso Nacional de Matemática Aplicada e Computacional, ARAI, N. N. ; FABBRI, M.. Uma Solução Global para a Redistribuição de Soluto Durante o Crescimento Difusivo de Cristais Binários. In: XXI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1998, Caxambú. Resumos do XXI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, p ARAI, N. N. ; STEPHANY, S. ; FABBRI, M.. Formulação Inversa para a Recuperação das Constantes Físicas e da Taxa de Segregação em Crescimentos Bridgman Difusivos. In: XXI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1998, Caxambú. Resumos do XXI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, p FABBRI, M.. Mass Diffusion in Liquid Semiconductor Alloys Near the Melting Point. In: 50a. Reunião Anual da SBPC, 1998, Natal. Resumos da 50a. Reunião Anual da SBPC, p LADEIRA, G. G. ; FABBRI, M. ; FAZENDA, A. L.. Estudo da Solidificação Dendrítica Isotrópica por Decomposição Espectral das Equações de Campo de Fase. In: 50a. Reunião Anual da SBPC, 1998, Natal. Resumos da 50a. Reunião Anual da SBPC, p ARAI, N. N. ; STEPHANY, S. ; FABBRI, M.. Uma Formulação Inversa para a Obtenção do Coeficiente Interfacial de Segregação na Solidificação Direcionada de uma Barra. In: 50a. Reunião Anual da SBPC, 1998, Natal. Resumos da 50a. Reunião Anual da SBPC, p LADEIRA, G. G. ; FABBRI, M.. Decomposição Espectral de padrões Fractais. In: IV Encontro de Iniciação Científica, 1998, Bragança Paulista. Resumos do IV Encontro de Iniciação Científica, p FABBRI, M. ; ARAI, N. N. ; MORAES, A. C. ; LADEIRA, G. G. ; STEPHANY, S. ; FAZENDA, A. L.. WINCRIS - Uma Plataforma de Simulação Para a Solidificação Direcionada. In: I Congresso de Pesquisa e Extensão, 1998, Bragança Paulista. Resumos do I Congresso de Pesquisa e Extensão, p FABBRI, M. ; FAZENDA, A. L.. Efeitos Cineticos e de Anisotropia Durante a Solidificacao Colunar. In: XX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1997, Caxambú. Resumos do XX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, p FABBRI, M. ; BALDAN, M. R.. Percolacao em Clusters Desordenados. In: XX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1997, Caxambú. Resumos do XX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, p MEDEIROS, D. ; CLARICI, J. H. ; BENEVIDES, R. C. ; SILVA, P. R. ; SÁ, M. W. F. ; FABBRI, M.. Isotermas e Regioes de Concavidade Durante o Crescimento Bridgman de Semicondutores. In: XX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1997, Caxambú. Resumos do XX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, p FABBRI, M.. Estimativa Monte-Carlo de Integrais Multicentro de Coulomb e Exchange. In: XX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1997, Caxambú. Resumos do XX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, p ARAI, N. N. ; FABBRI, M.. Perfis de Segregacao em Crescimentos Bridgman com Difusao na Fase Solida. In: XX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1997, Caxambú. Resumos do XX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, p. 256-
7 Física da Matéria Condensada, 1997, Caxambú. Resumos do XX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, p APEZZATO, P. ; FABBRI, M.. Solucao da Equacoes de Campo de Fase por Transformada Rapida de Fourier. In: XX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1997, Caxambú. Resumos do XX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. p ARAI, N. N. ; FABBRI, M.. Simulação Numérica e Visualização Gráfica de Crescimentos de Macrocristais. In: III SICINPE - Seminário de Iniciação Científica do Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, 1997, São José dos Campos. Resumos do III SICINPE, p LADEIRA, G. G. ; FABBRI, M.. A Técnica FFT na Solução de Problemas Difusivos Bidimensionais. In: III Encontro de Iniciação Científica da Universidade São Francisco, 1997, Bragança Paulista. Resumos do III Encontro de Iniciação Científica da Universidade São Francisco, p CESAR-JR, W. ; FABBRI, M.. A Geometria Fractal e as Dimensões Fracionárias. In: III Encontro de Iniciação Científica da Universidade São Francisco, 1997, Bragança Paulista. Resumos do III Encontro de Iniciação Científica da Universidade São Francisco, p FABBRI, M.. Modelagem Numérica de Fenômenos de Transporte e Solidificação. In: Resumos do V Encontro de Pesquisadores da Universidade São Francisco, 1997, Bragança Paulista. Resumos do V Encontro de Pesquisadores da Universidade São Francisco, p FABBRI, M.. Comportamento das Equações de Fase em Problemas de Stefan Heterogêneos. In: 48a. Reunião Anual da SBPC, 1996, São Paulo. Resumos da 48a. Reunião Anual da SBPC, FABBRI, M.. Simulação Numérica da Instabilidade Constitucional Durante Crescimentos de PbSnTe e HgCdTe em Ampolas Finas. In: XIX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1996, Águas de Lindóia. Resumos do XIX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, p FAZENDA, A. L. ; TRAVELHO, J. S. ; FABBRI, M.. Modelagem Bidimensional de Problemas de Solificação Utilizando o Método de Campo de Fase. In: Congresso Nacional de Matemática Aplicada e Computacional, 1996, Goiânia. Resumos do Congresso Nacional de Matemática Aplicada e Computacional, FABBRI, M.. Métodos de Campo de Fase Aplicados à Solidificação. In: IV Encontro de Pesquisadores da Universidade São Francisco, 1996, Bragança Paulista. Resumos do IV Encontro de Pesquisadores da Universidade São Francisco, p APEZZATO, P. ; FABBRI, M.. Métodos Espectrais na Simulação de Fenômenos de Transporte. In: II Encontro de Iniciação Científica da Universidade São Francisco, 1996, Bragança Paulista. Resumos do II Encontro de Iniciação Científica da Universidade São Francisco, p ARAI, N. N. ; FABBRI, M.. Técnicas Numéricas e Computacionais Para a Análise de Dados de Crescimento de Cristais Binários. In: 2o Seminário de Iniciação Científica do INPE, 1996, São José dos Campos. Resumos do 2o Seminário de Iniciação Científica do INPE, p FABBRI, M. ; NORONHA, E. B.. Pacote Computacional Para a Análise de Dados de Crescimento Bridgman de Cristais Binários. In: XI Simpósio Nacional de Ensino de Física, 1995, Noterói. Resumos do XI Simpósio Nacional de Ensino de Física, FABBRI, M.. Técnica de Monte-Carlo Para o Cálculo de Integrais Moleculares de Dois Elétrons. In: 47a. Reunião Anual da SBPC, 1995, São Luis. Resumos da 47a. Reunião Anual da SBPC, FABBRI, M. ; NORONHA, E. B.. WINCRIS - Um Softw are Para a Análise de Perfís Composicionais em Cristais Semicondutores Binários. In: 47a. Reunião Anual da SBPC, 2a. Jornada Nacional de Iniciação Científica, 1995, São Luis, FABBRI, M.. Análise Composicional de Cristais IV-VI Crescidos em Ampolas Finas e por VMS. In: XVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1994, Caxambú. Resumos do XVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, FABBRI, M.. Efeitos de Vaporização Não-Congruente Durante o Crescimento de Monocristais Binários por VMS. In: I Encontro da Sociedade Brasileira de Crescimento de Cristais, 1994, Belo Horizonte. Resumos do I Encontro da Sociedade Brasileira de Crescimento de Cristais, FABBRI, M.. Cluster Model For Tw o-dimensional Disordered Systems. In: SIMPOSIO LATINO-AMERICANO DE FISICA DOS SISTEMAS AMORFOS, NITEROI. p FABBRI, M.. Influence Of Electron And Impurity Correlations On The Conductivity Of Doped Semiconductors. In: 35A. REUNIAO ANUAL DA SBPC, BELEM, PA. p FABBRI, M.. Uma Alternativa A Distribuicao de Von Mises Na Analise de Dados Referentes A Ritmos Circadianos Aplicados A Orientacao Animal. In: 35A. REUNIAO ANUAL DA SBPC, BELEM, PA. p FABBRI, M.. Bandw idth Narrow ing In N-Type Many-Valley Semiconductors Ii. In: 35A REUNIAO ANUAL DA SBPC, BELEM, PA. p FABBRI, M.. Influence Of Electron Hopping Energy On The Specific Heat And Conductivity Of Phosphorus Doped Silicon. In: 34A. 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