ESTUDO ELEMENTAR DA CONTAMINAÇÃO DO FORNO DA LINHA DE MONTAGEM DO LEE/IM EM LÂMINAS DE SI.

Tamanho: px

Começar a partir da página:

Download "ESTUDO ELEMENTAR DA CONTAMINAÇÃO DO FORNO DA LINHA DE MONTAGEM DO LEE/IM EM LÂMINAS DE SI."

Isabela Eduarda Eger di Castro
6 Há anos
Visualizações:

1 ESTUDO ELEMENTAR DA AMINAÇÃO DO FORNO DA LINHA MONTAGEM DO LEE/IM EM LÂMINAS SI. A.J. BALLONI Fundação Centro Tecnológico para Informática Instituto de Microeletrônica Laboratório de Manufatura de Circuitos Integrados C.P Campinas/S.P. FAX: 0192/ ABSTRACT. The goal of this work is to evaluate the contamination degree in Si wafers generated by the furnace from LEE lab. Several thermal cycles in 3 Si wafer, followed up by relative particles counting were realised. By using a NIKON microscopy (MAG=60, clear field), the relative particle counting before and after each thermal cycle was carried out. Depending on the experimental conditions, such as: no processed Si wafer, wafer washed in DI water and dried in N2 flow, the relative particles numbers were between 50 and 650 per wafer. RESUMO. Com o intuito de e avaliar o grau de contaminação em lâminas de Si, gerado pelo forno da linha de montagem e encapsulamento do Laboratório de Empacotamento Eletrônico (LEE) do Instituto de Microeletrônica (IM/FCTI), realizou-se vários ciclos térmicos em lâminas de Si =3 bem como contagem de partículas. Antes e após cada ciclo térmico e com o auxílio de um microscópio (NIKON:MAG=60,campo claro), foram realizadas contagens relativas do número de partículas existentes nestas lâminas. Dependendo das condições experimentais tais como: lâminas virgens, lâminas lavadas com àgua DI e secadas com N2, o número relativo de partículas antes e após cada ciclo térmico variou entre 50 a 650 por lâmina. Palavras-chave Contaminacao Relativa13?Contaminacao Relativa Encapsulamento Eletronico27?Encapsulamento Eletronico Forno40?Forno Linha de Montagem49?Linha de Montagem Microeletronica57?Microeletronica Sinterizacao

2 TEMPERATURA (C) Apresentado e Publicado nos Anais do Jornal da Sociedade Brasileira de Vácuo, 16TH I) - INTRODUÇÃO. É apresentado um estudo elementar do grau relativo de contaminação em lâminas de Si provocado pelo forno da linha de montagem e encapsulamento do LEE/IM. Foram realizados vários ciclos térmicos em lâminas de Si ciclo térmico em que as lâminas foram submetidas. =3. A figura 1 apresenta o perfil experimental do Verificou-se deste trabalho que os números relativos de partículas sobre as lâminas, antes e após os ciclos térmicos, não apresentaram diferenças que tornasse evidente a ocorrência de contaminação t [min] Figura 1.: Ciclo Térmico do forno do LEE. Te,(s) = temperatura de entrada (saída) da lâmina no forno. 50 II) - PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL. Utilizando-se do microscópio NIKON - MAG=60, em campo claro, foram contadas as partículas sobre as lâminas, de acordo com o seguinte critério: as lâminas de Si =3 foram divididas esquematicamnte em 8 partes iguais, e contagem de partículas foram realizadas em cada parte, ver figura 2.

3 LN N NO L O LS S OS Figura 2.: Divisão esquemática da lâmina de Si. Nas áreas N^LN, LN^L,..., NO^N foram realizadas as contagens relativa de partículas. III) - APRESENTAÇÃO DOS RESULTADOS. A Tabela I apresenta as principais diferenças de processo em que foram submetidas as lâminas I, II e III e a figura 3 mostra o total de partículas contadas por lâminas em função das diferentes sequências de processos utilizados. Para as partículas contadas nas lâminas I e II, foram providenciadas marcas de referência em seu back side, localizadas sob o ponto NORTE, figura 2. Para a lâmina III não foi providenciado marca de referência, ver Tabela I. TABELA I - Principais diferenças de processos em que foram lâminas I, II e III, ver figura 3. (*) submetidas as SEQU. PROC. MARC A CICLO 2º LAVAG 2º CICLO 3º LÂMI. Nº REFER N2 N2 TÉRM. ÀGUA DI. N2 TÉRM. I SIM SIM 493 SIM SIM 492 SIM SIM SIM 391 II SIM SIM 450 NÃO SIM 400 NÃO NÃO SIM 670 III NÃO NÃO 303 SIM SIM 270 SIM SIM SIM 50 (*) NOTA: As seguintes informações complementares são necessárias para a Tabela I e figura 3: LÂMINA I - Sequência de processo (SEQ. PROC.): 1. lâmina virgem: marca de referência (MARCA REFER) e

jateamento com N2 ( N2) - primeira contagem de partículas (..), 2. jateamento com N2, primeiro ciclo térmico ( CICLO TÉRM.) - segunda contagem de partículas (2º..). 3.

4 jateamento com N2 ( N2) - primeira contagem de partículas (..), 2. jateamento com N2, primeiro ciclo térmico ( CICLO TÉRM.) - segunda contagem de partículas (2º..). 3. lavar com água DI (10 Mohn), secar com N2, segundo ciclo térmico - terceira contagem de partículas (3º..). LÂMINA II - Sequência de processo (SEQ. PROC.): 1. lâmina virgem: marca de referência (MARCA REFER) e jateamento com N2 ( N2) - primeira contagem de partículas (..), 2. primeiro ciclo térmico ( CICLO TÉRM.) - segunda contagem de partículas (2º..). 3. segundo ciclo térmico - não houve lavagem e nem jateamento N2 terceira contagem de partículas (3º..). LÂMINA III - Sequência de processo (SEQ. PROC.): 1. lâmina virgem: primeira contagem de partículas (..), 2. jateamento com N2, primeiro ciclo térmico ( CICLO TÉRM.) - segunda contagem de partículas (2º..). 3. lavar com água DI (10 Mohn), secar com N2, segundo ciclo térmico - terceira contagem de partículas (3º..).

5 IV - CONCLUSÃO. Os resultados apresentados na Tabela I e figura 3 indicam que o forno do LEE/IM não está contaminando as lâminas de Si que são submetidas a ciclos térmicos semelhante ao apresentado na figura 1. A figura 3 mostra que lâmina II apresenta um aumento na contagem de partículas (sequência de processo 3), proveniente da contaminação ocorrida durante o processo de contagem de partículas (sequência de processo 2). As demais lâminas, para a mesma sequência de processo 3, não apresentam os mesmos resultados da lâmina II, pois as mesmas foram lavadas com água DI e secada com N2. (ver Tabela I). Nenhuma singularidade relativa ao contaminação foi observado nas medidas realizadas, então, como sugestão, este forno poderia ser utilizado como forno de sinterização, substituindo-se o gas o atual fluxo do gás N2 neste forno, pelo fluxo de gás verde (forming gas). Fica aqui apresentada a sugestão para análise da viabilidade deste tipo de teste. AGRACIMENTO. Agradeço á técnica Ana da Glória Santiago da Linha de Montagem do LEE/IM, pelas medidas realizadas e apresentadas neste trabalho.

Documentos relacionados

Os metais mais comumente usados em M/P são Al, Cu, Sn, Ni Ta, Ag, Be, Ti, Fe, Co. Tamanho de peças 2,5 a 50 kg.

Os metais mais comumente usados em M/P são Al, Cu, Sn, Ni Ta, Ag, Be, Ti, Fe, Co. Tamanho de peças 2,5 a 50 kg. Metalurgia do pó Processo de compactação e sinterização do pó O processo, denominado de metalurgia do pó (M/P), foi inicialmente usado pelos egípcios, 3000A.C, para fazer ferramentas de ferro. O uso moderno