Transistor de Efeito de Campo de Porta Isolada MOSFET - Revisão

Tamanho: px
Começar a partir da página:

Download "Transistor de Efeito de Campo de Porta Isolada MOSFET - Revisão"

Transcrição

1 Transisor de Efeio de Campo de Pora Isolada MOSFET - Revisão 1 NMOS: esruura física NMOS subsrao ipo P isposiivo simérico isposiivo de 4 erminais Pora, reno, Fone e Subsrao (gae, drain, source e Bulk) L = 0,065 aé 10 µm, W = 0,1 aéo 100 µm Tipicamene: Espessura da camada de óxido ( ox ) é na faixa de 2 a 50 nm. 1

2 Simbologia e erminais do MOSFET Símbolos MOS Símbolos PMOS TERMINAIS G: pora (gae) S: fone (source) : dreno (drain) B: subsrao (bulk) Funcionameno Sem poenciais aplicados (V = 0) as regiões de dreno e fone (ipo N) formam junções (diodos) com a região de subsrao (ipo P) envolvendo cada uma das junções surgem zonas de depleção (elérons livres da região N aravessam a inerface e preenchem as lacunas livres da região P, fazendo com que não sobrem cargas livres nessa região) como a concenração de dopanes das regiões de dreno e fone é muio maior que a do subsrao, a região de depleção para denro de dreno e fone é muio pequena 2

3 Funcionameno - depleção Pequeno poencial aplicado (V < V ) o poencial V aplicado enre pora e subsrao arai elérons livres e afasa lacunas livres da inerface óxido-subsrao: surge uma região de depleção enre a inerface e o subsrao, ligando as regiões de depleção das junções Funcionameno - inversão Aumeno do poencial aplicado (V > V ): condição de inversão se o poencial V aumenar, a concenração de elérons livres aumena na inerface óx-subs quando a concenração de elérons livres for maior que a de lacunas fixas (dopanes) ocorre a condição de INVERSÃO em inversão há o surgimeno de um canal de maerial ipo N induzido enre dreno e fone o valor de V em que ocorre a inversão é chamado de poencial de hreshold (V ) 3

4 Polarização de MOSFETs Regiões de operação: Nível de inversão: em relação com a densidade de carga de inversão (poradores) que é formada na superfície do subsrao e que compõe o canal enre dreno e fone. Esa carga é induzida devido ao efeio capacior MOS, esando relacionada à polarização V (ou V GB ). ivide-se em 3 níveis: fraca (WI), moderada e fore (SI). Polarização de MOSFETs Regiões de operação: Condição de sauração: em relação com a deformação do canal, provocada pela diferença de poencial aplicada enre dreno e fone. Em SI, quando o poencial V S for superior a V -V T, ocorre o esrangulameno do canal, o que provoca o aumeno súbio da impedância enre dreno e fone. ivide-se em 2 regiões: linear (ou ôhmica ou riodo) e sauração. 4

5 Funcionameno região ôhmica Operação do Canal Induzido na Região Ôhmica v > V v S pequeno (v S < v V ) isposiivo funciona como um resisor conrolado por v A conduância do canal é proporcional a v V A correne i é proporcional a (v V ) v S Região ôhmica i x v S Resisor linear conrolado por v Condição: v S deve ser manido pequeno (v S << v V ) 5

6 Região ôhmica canal gradual ependência de R canal em V S Aumenando v S :o nível de inversão varia ao longo do canal, como resulado da diferença de poencial enre a posição no canal e o erminal de pora O canal assume uma forma gradual. A resisência do canal aumena com o aumeno de v S. o comporameno i x v S passa a ser não-linear (v é manido consane em um valor al que v v S > V )) Região ôhmica canal gradual ependência de R canal em V S 6

7 Sauração do canal Sauração do canal: Redução da conduividade local em função de v S Quando v S = v V, o canal descola-se do dreno (pinch-off) Aumeno v S acima de v V em pouco efeio na forma do canal (correne passa a ser independene de v ) Sauração - i x v S Curva complea i x v S : sauração do canal v > V 7

8 Polarização de MOSFETs MOS: comporameno i x v S SI: WI: Polarização de MOSFETs I MOS: i x v em sauração e inversão fraca (WI) Sauração: = I 0 VS 4φ W V exp L nφ n 1,1 1,6;( ip.1,3) φ = kt / q Id [A] SI Vsub= 0 V Vsub= -2,5 V Vsub= -5 V WI Vds= 2V Vgs [V] 8

9 Polarização de MOSFETs MOS: i x v erros nas aproximações de WI e SI MOSFET Modelos 18 9

10 Modelagem de isposiivos MOS Comporameno Físico versus Modelo Analíico : o conhecimeno do comporameno físico de um disposiivo é essencial no desenvolvimeno de circuios modelo é uma represenação maemáica que se compora de forma parcialmene análoga a um sisema físico real o comporameno físico é relacionado ao modelo aravés de parâmeros eléricos exraídos experimenalmene o projeo de circuios elerônicos depende do modelo dos disposiivos uilizados: modelos simples (e imprecisos) para cálculo analíico (à mão) modelos complexos (e precisos) para simulação elérica Modelagem de isposiivos MOS O modelo de um disposiivo consise de equações, circuios equivalenes e parâmeros que represenam seu comporameno elérico. Modelo de grandes sinais: Modelos não-lineares (disposiivos não-lineares) Modelos esáicos: comporameno C Modelos dinâmicos: comporameno AC (Capaciâncias) Efeios de segunda ordem: efeio de corpo, modulação do comprimeno de canal, efeios de canal curo, subhreshold... Componenes parasias exernos: L, R e C. Modelo de pequenos sinais: modelo linearizado (incremenal) Modelo de ruído Efeio da emperaura (modelo érmico) Ouros... 10

11 Modelo Analíico Simples NMOS: curva complea i x v S Triodo: I = k ' n W L V S ( V V) V V < V V S S k n (W/L) = 1.0 ma/v 2. Sauração: I 1 = k 2 ' n W L V S V ( V V) 2 V k = µ C ' n n ox NMOS em Sauração NMOS: curva i x v em sauração Sauração: V I 1 = k 2 ' n W L S V ( V V) 2 V V = 1 V, k n W/L = 1.0 ma/v 2 11

12 Modelo para Grandes Sinais Transisor NMOS Modelo para grandes sinais em sauração Tensões nos Terminais Transisor MOS Níveis relaivos de ensão enre os erminais 12

13 Conduância de Saída Efeio de modulação do comprimeno efeivo do canal em função dev S, em sauração Aumenando v S além de v Ssa causa o disanciameno do pono de pinch-off em relação ao dreno, reduzindo o comprimeno efeivo do canal por L. pequena variação de i com v S. Conduância de Saída ependência de i com v S : o efeio Early V A : ensão de Early V ro I A Q O parâmero V A depende da ecnologia de processo. V A é proporcional ao comprimeno do canal L. Quano maior o L maior a impedância de saída. 13

14 Conduância de Saída NMOS: modelo para grandes sinais em sauração, incluindo o efeio Early PMOS: símbolos e polarização Transisor PMOS 14

15 Transisor PMOS PMOS: níveis relaivos de ensão enre os erminais Resumo NMOS PMOS 15

16 MOSFET Polarização 31 Modelos Grandes Sinais MOS PMOS 16

17 Polarização Região de Sauração: I V + R I = V = 1 2 W k ' n L S ( V V) 2 SS V S V V k = µ C ' n n ox Tensão de Overdrive V OV = V V Região de Triodo: I S = k ' n W L S V + R I = V ( V V) V V SS SS V S S < V ( R R S ) I V = V + V + V S Auopolarização V S = V VS > V V O ransisor esá sempre em Sauração! Região de Sauração: I = 1 2 W k ' n L ( V V) 2 V + RI = V 17

18 Espelho de correne Necessia ransisores IÊNTICOS!!! I V 2 = V1 2 1 esde que ambos esejam saurados! I A correne de dreno de Q2 é resulado da correne de dreno de Q1. Polarização na região de riodo I ados: V = V Supondo: V S = k < V ' n W L V Região de Triodo: V S = 0, 1V V = 1V Calcular I e R. Esime r ds. V = V ( V V) V V S S V S = V R I 18

19 Esabilidade de pono Q Esabilidade de pono Q Rs 19

20 O inversor CMOS push-pull ível lógico 0 na enrada Tensão inermediária na enrada PMOS O MOS OFF ível lógico 1 na enrada PMOS OFF MOS O Modelos Simplificados Os modelos uilizados para o projeo e compreensão do funcionameno do circuio são simples 20

21 Modelos Eléricos - SPICE O MOSFET como Amplificador 42 21

22 Amplificador Básico Amplificador Fone Comum Topologia Básica Represenação Gráfica da Rea de Carga eerminação da Curva de Transferência v i i O = v S = f ( v = f ( v = V ) saurado, v S R i ) riodo Curva de Transferência eerminação da Curva de Transferência A curva de ransferência mosra a operação como amplificador, com o MOST polarizado no Pono Q. 22

23 Rea de Carga Influência da Rea de Carga na Excursão de Sinal Pono Q 1 não deixa espaço suficiene para excursão posiiva do sinal, muio próximo de V Pono Q 2 não deixa espaço suficiene para excursão negaiva do sinal, muio próximo da região de Triodo. Pequenos Sinais Circuio conceiual para esudo do modelo de pequenos sinais Fone de Sinal Fone de Polarização 23

24 Pequenos Sinais Aplicação de um sinal de enrada de 150 mvpp Pequenos Sinais I g g m m = 1 2 di = dv = k W k ' n L ' n W L ( V V) 2 W L ' ( V V) = kn VOV V OV Tensão de overdrive 24

25 Pequenos Sinais Resposa de saída do amplificador Fone Comum Pequenos Sinais Tensões insanâneas v e v no circuio abaixo. 25

26 Modelo para Pequenos Sinais Modelo Simplificado Modelo Exendido Considerando o efeio de modulação do comprimeno do canal (EARLY) que é modelado por r o = V A /I 26

Diodos. Símbolo. Função (ideal) Conduzir corrente elétrica somente em um sentido. Tópico : Revisão dos modelos Diodos e Transistores

Diodos. Símbolo. Função (ideal) Conduzir corrente elétrica somente em um sentido. Tópico : Revisão dos modelos Diodos e Transistores 1 Tópico : evisão dos modelos Diodos e Transisores Diodos Símbolo O mais simples dos disposiivos semiconduores. Função (ideal) Conduzir correne elérica somene em um senido. Circuio abero Polarização 2

Leia mais

2. DÍODOS DE JUNÇÃO. Dispositivo de dois terminais, passivo e não-linear

2. DÍODOS DE JUNÇÃO. Dispositivo de dois terminais, passivo e não-linear 2. ÍOOS E JUNÇÃO Fernando Gonçalves nsiuo Superior Técnico Teoria dos Circuios e Fundamenos de Elecrónica - 2004/2005 íodo de Junção isposiivo de dois erminais, passivo e não-linear Foografia ânodo Símbolo

Leia mais

Prof. Luiz Marcelo Chiesse da Silva DIODOS

Prof. Luiz Marcelo Chiesse da Silva DIODOS DODOS 1.JUÇÃO Os crisais semiconduores, ano do ipo como do ipo, não são bons conduores, mas ao ransferirmos energia a um deses ipos de crisal, uma pequena correne elérica aparece. A finalidade práica não

Leia mais

TÍTULO DO TRABALHO: APLICANDO O MOSFET DE FORMA A REDUZIR INDUTÂNCIAS E CAPACITÂNCIAS PARASITAS EM DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

TÍTULO DO TRABALHO: APLICANDO O MOSFET DE FORMA A REDUZIR INDUTÂNCIAS E CAPACITÂNCIAS PARASITAS EM DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS 1 TÍTULO DO TRABALHO: APLICANDO O MOSFET DE FORMA A REDUZIR INDUTÂNCIAS E CAPACITÂNCIAS PARASITAS EM DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS Applying Mosfe To Reduce The Inducance And Capaciance Parasies in Elecronic

Leia mais

Ampliador com estágio de saída classe AB

Ampliador com estágio de saída classe AB Ampliador com eságio de saída classe AB - Inrodução Nese laboraório será esudado um ampliador com rês eságios empregando ransisores bipolares, com aplicação na faixa de áudio freqüência. O eságio de enrada

Leia mais

LABORATÓRIO DE DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS Guia de Experimentos

LABORATÓRIO DE DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS Guia de Experimentos UNIVERSIDADE FEDERAL DE CAMPINA GRANDE CENTRO DE ENGENHARIA ELÉTRICA E INFORMÁTICA DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA LABORATÓRIO DE DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS Experimento 5 Transistor MOSFET LABORATÓRIO

Leia mais

Instituto Educacional São João da Escócia Colégio Pelicano Curso Técnico de Eletrônica. FET - Transistor de Efeito de Campo

Instituto Educacional São João da Escócia Colégio Pelicano Curso Técnico de Eletrônica. FET - Transistor de Efeito de Campo 1 FET - Transistor de Efeito de Campo Introdução Uma importante classe de transistor são os dispositivos FET (Field Effect Transistor). Transistor de Efeito de Campo. Como nos Transistores de Junção Bipolar

Leia mais

Concepção de Circuitos Integrados Analógicos ENG 04055. Eric Fabris. ENG04055 Concepção de CI Analógicos Eric Fabris

Concepção de Circuitos Integrados Analógicos ENG 04055. Eric Fabris. ENG04055 Concepção de CI Analógicos Eric Fabris Concepção de Circuitos Integrados Analógicos ENG 04055 Eric Fabris Créditos semanais: 4 Caráter: eletiva Professor: Eric Ericson Fabris (Teoria, Eric.Fabris@ufrgs.br, sala 302) Informações Gerais Atendimento:

Leia mais

ELETRÔNICA ANALÓGICA CEL099. Prof. Pedro S. Almeida pedro.almeida@ufjf.edu.br

ELETRÔNICA ANALÓGICA CEL099. Prof. Pedro S. Almeida pedro.almeida@ufjf.edu.br ELETRÔNICA ANALÓGICA CEL099 Prof. Pedro S. Almeida pedro.almeida@ufjf.edu.br O Transistor de Efeito de Campo de Porta Isolada (MOSFET) 2 Conteúdo A Válvula Triodo Histórico O Transistor MOS de Canal N

Leia mais

EXPERIÊNCIA 7 CONSTANTE DE TEMPO EM CIRCUITOS RC

EXPERIÊNCIA 7 CONSTANTE DE TEMPO EM CIRCUITOS RC EXPERIÊNIA 7 ONSTANTE DE TEMPO EM IRUITOS R I - OBJETIVO: Medida da consane de empo em um circuio capaciivo. Medida da resisência inerna de um volímero e da capaciância de um circuio aravés da consane

Leia mais

TIRISTORES. SCR - Retificador Controlado de Silício

TIRISTORES. SCR - Retificador Controlado de Silício TIRISTORES Chamamos de irisores a uma família de disposiivos semiconduores que possuem, basicamene, quaro camadas (PNPN) e que êm caracerísicas biesáveis de funcionameno, ou seja, permanecem indefinidamene

Leia mais

TRANSISTORES MOSFETS FABRICADOS NA TECNOLOGIA DE SILÍCIO SOBRE ISOLANTE SOIMOSFET: A CAMINHO DO FUTURO

TRANSISTORES MOSFETS FABRICADOS NA TECNOLOGIA DE SILÍCIO SOBRE ISOLANTE SOIMOSFET: A CAMINHO DO FUTURO TRASISTORES MOSETS ABRIADOS A TEOLOGIA DE SILÍIO SOBRE ISOLATE SOIMOSET: A AMIHO DO UTURO icor Sonnenberg * e Aparecido S. icole * Resumo ese rabalho serão apresenados conceios, esruuras e equações básicas

Leia mais

Estando o capacitor inicialmente descarregado, o gráfico que representa a corrente i no circuito após o fechamento da chave S é:

Estando o capacitor inicialmente descarregado, o gráfico que representa a corrente i no circuito após o fechamento da chave S é: PROCESSO SELETIVO 27 2 O DIA GABARITO 1 13 FÍSICA QUESTÕES DE 31 A 45 31. Considere o circuio mosrado na figura abaixo: S V R C Esando o capacior inicialmene descarregado, o gráfico que represena a correne

Leia mais

Create PDF with GO2PDF for free, if you wish to remove this line, click here to buy Virtual PDF Printer

Create PDF with GO2PDF for free, if you wish to remove this line, click here to buy Virtual PDF Printer EXTRAÇÃO DE PARÂMETROS DA TEOLOGIA SOI ATRAÉS DE APAITORES icor Sonnenberg*, Aparecido S. icole* e João Anonio Marino** *Professor Douor do urso de Maeriais, Processos e omponenes Elerônicos da Faculdade

Leia mais

Prof. Josemar dos Santos

Prof. Josemar dos Santos Engenharia Mecânica - FAENG Sumário SISTEMAS DE CONTROLE Definições Básicas; Exemplos. Definição; ; Exemplo. Prof. Josemar dos Sanos Sisemas de Conrole Sisemas de Conrole Objeivo: Inroduzir ferramenal

Leia mais

Teresina - 2010. Universidade Federal do Piauí Centro de Tecnologia Departamento de Engenharia Elétrica

Teresina - 2010. Universidade Federal do Piauí Centro de Tecnologia Departamento de Engenharia Elétrica Universidade Federal do Piauí Centro de Tecnologia Departamento de Engenharia Elétrica Transistores de Efeito de Campo - Parte II - MOSFETs Prof. Marcos Zurita zurita@ufpi.edu.br Teresina - 2010 1. O Transistor

Leia mais

Figura 1 Carga de um circuito RC série

Figura 1 Carga de um circuito RC série ASSOIAÇÃO EDUAIONAL DOM BOSO FAULDADE DE ENGENHAIA DE ESENDE ENGENHAIA ELÉTIA ELETÔNIA Disciplina: Laboraório de ircuios Eléricos orrene onínua 1. Objeivo Sempre que um capacior é carregado ou descarregado

Leia mais

Campo magnético variável

Campo magnético variável Campo magnéico variável Já vimos que a passagem de uma correne elécrica cria um campo magnéico em orno de um conduor aravés do qual a correne flui. Esa descobera de Orsed levou os cienisas a desejaram

Leia mais

Sistemas de Energia Ininterrupta: No-Breaks

Sistemas de Energia Ininterrupta: No-Breaks Sisemas de Energia Ininerrupa: No-Breaks Prof. Dr.. Pedro Francisco Donoso Garcia Prof. Dr. Porfírio Cabaleiro Corizo www.cpdee.ufmg.br/~el GEP-DELT-EEUFMG Porque a necessidade de equipamenos de energia

Leia mais

ELECTRÓNICA DE POTÊNCIA

ELECTRÓNICA DE POTÊNCIA SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA: 1. diodo A K 2. irisor - (SCR) silicon conrolled recifier. A K 3. irisor de core comandado (TO) - gae urn off hyrisor. A K E C 4. ransisor bipolar - (TJB). B B C E 5. ransisor

Leia mais

Espaço SENAI. Missão do Sistema SENAI

Espaço SENAI. Missão do Sistema SENAI Sumário Inrodução 5 Gerador de funções 6 Caracerísicas de geradores de funções 6 Tipos de sinal fornecidos 6 Faixa de freqüência 7 Tensão máxima de pico a pico na saída 7 Impedância de saída 7 Disposiivos

Leia mais

Análise de Circuitos Dinâmicos no Domínio do Tempo

Análise de Circuitos Dinâmicos no Domínio do Tempo Teoria dos ircuios e Fundamenos de Elecrónica Análise de ircuios Dinâmicos no Domínio do Tempo Teresa Mendes de Almeida TeresaMAlmeida@is.ul.p DEE Área ienífica de Elecrónica T.M.Almeida IST-DEE- AElecrónica

Leia mais

CAPITULO 01 DEFINIÇÕES E PARÂMETROS DE CIRCUITOS. Prof. SILVIO LOBO RODRIGUES

CAPITULO 01 DEFINIÇÕES E PARÂMETROS DE CIRCUITOS. Prof. SILVIO LOBO RODRIGUES CAPITULO 1 DEFINIÇÕES E PARÂMETROS DE CIRCUITOS Prof. SILVIO LOBO RODRIGUES 1.1 INTRODUÇÃO PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO GRANDE DO SUL FACULDADE DE ENGENHARIA FENG Desinase o primeiro capíulo

Leia mais

2 Conceitos de transmissão de dados

2 Conceitos de transmissão de dados 2 Conceios de ransmissão de dados 2 Conceios de ransmissão de dados 1/23 2.2.1 Fones de aenuação e disorção de sinal 2.2.1 Fones de aenuação e disorção do sinal (coninuação) 2/23 Imperfeições do canal

Leia mais

ENG04030 - ANÁLISE DE CIRCUITOS I ENG04030

ENG04030 - ANÁLISE DE CIRCUITOS I ENG04030 EG04030 AÁISE DE IRUITOS I Aulas 9 ircuios e ª orem: análise no omínio o empo aracerísicas e capaciores e inuores; energia armazenaa nos componenes; associação e capaciores/inuores Sérgio Haffner ircuios

Leia mais

ELECTRÓNICA DE POTÊNCIA II

ELECTRÓNICA DE POTÊNCIA II E.N.I.D.H. Deparameno de Radioecnia APONTAMENTOS DE ELECTRÓNICA DE POTÊNCIA II (Capíulo 2) José Manuel Dores Cosa 2000 42 ÍNDICE Inrodução... 44 CAPÍTULO 2... 45 CONVERSORES COMUTADOS DE CORRENTE CONTÍNUA...

Leia mais

DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS Universidade Federal do Piauí Centro de Tecnologia Curso de Engenharia Elétrica DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS Transistores de Efeito de Campo - Parte II - MOSFETs Prof. Marcos Zurita zurita@ufpi.edu.br www.ufpi.br/zurita

Leia mais

A) inevitável. B) cérebro. C) comanda. D) socorro. E) cachorro.

A) inevitável. B) cérebro. C) comanda. D) socorro. E) cachorro. CONHECIMENTOS DE LÍNGUA PORTUGUESA TEXTO 1 CÉREBRO ELETRÔNICO O cérebro elerônico faz udo Faz quase udo Faz quase udo Mas ele é mudo. O cérebro elerônico comanda Manda e desmanda Ele é quem manda Mas ele

Leia mais

EE610 Eletrônica Digital I. 2_b_2 Chaves em circuitos lógicos

EE610 Eletrônica Digital I. 2_b_2 Chaves em circuitos lógicos EE610 Eletrônica Digital I Prof. Fabiano Fruett Email: fabiano@dsif.fee.unicamp.br 2_b_2 Chaves em circuitos lógicos 2. Semestre de 2007 Portas de Transmissão 1 Chaves analógicas Chaves de circuitos e

Leia mais

Resumo. Espelho de Corrente com Transistor MOS

Resumo. Espelho de Corrente com Transistor MOS p. 1/1 Resumo Espelho de Corrente com Transistor MOS Efeito de V 0 em I 0 Espelho de Corrente com Transistor Bipolares Diferenças entre espelhos de corrente MOS e Bipolares Fontes de Corrente Melhoradas

Leia mais

PROCESSO SELETIVO 2006/2 UNIFAL 2 O DIA GABARITO 1 13 FÍSICA QUESTÕES DE 31 A 45

PROCESSO SELETIVO 2006/2 UNIFAL 2 O DIA GABARITO 1 13 FÍSICA QUESTÕES DE 31 A 45 OCEO EEIVO 006/ UNIF O DI GIO 1 13 FÍIC QUEÕE DE 31 45 31. Uma parícula é sola com elocidade inicial nula a uma alura de 500 cm em relação ao solo. No mesmo insane de empo uma oura parícula é lançada do

Leia mais

Universidade do Algarve Faculdade de Ciências e Tecnologia GERADOR DE SEQUÊNCIA

Universidade do Algarve Faculdade de Ciências e Tecnologia GERADOR DE SEQUÊNCIA Universidade do Algarve Faculdade de Ciências e Tecnologia Eng.ª Sisemas e Informáica 004/005 Circuios Inegrados Digiais GERADOR DE SEQUÊNCIA Trabalho elaborado or: Fernando Simão nº 0598 e-mail: a0598@ualg.

Leia mais

UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA CATARINA DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA EEL7051 Materiais Elétricos - Laboratório

UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA CATARINA DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA EEL7051 Materiais Elétricos - Laboratório UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA CATARINA DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA EEL7051 Materiais Elétricos - Laboratório EXPERIÊNCIA 06 CURVAS CARACTERÍSTICAS DE TRANSISTORES E PORTAS LÓGICAS 1 INTRODUÇÃO

Leia mais

Via. Ligação entre as camadas de metal M1 e M2. Elementos parasitas principais: Resistência de contacto 0.05 Ω a 0.08 Ω

Via. Ligação entre as camadas de metal M1 e M2. Elementos parasitas principais: Resistência de contacto 0.05 Ω a 0.08 Ω Via Ligação entre as camadas de metal M1 e M2 Dimensões: 2 µm 2 µm Elementos parasitas principais: Resistência de contacto 0.05 Ω a 0.08 Ω Metal migration limit: 0.4 ma/contacto Correntes entre M1 e M2

Leia mais

INSTRUMENTAÇÃO, CONTROLE E AUTOMAÇÃO

INSTRUMENTAÇÃO, CONTROLE E AUTOMAÇÃO INSTRUMENTAÇÃO, CONTROLE E AUTOMAÇÃO Pág.: 1/88 ÍNDICE Professor: Waldemir Loureiro Inrodução ao Conrole Auomáico de Processos... 4 Conrole Manual... 5 Conrole Auomáico... 5 Conrole Auo-operado... 6 Sisema

Leia mais

Transístores 1. João Canas Ferreira. FEUP/DEEC Setembro de 2007. Tópicos de Projecto de Circuitos VLSI

Transístores 1. João Canas Ferreira. FEUP/DEEC Setembro de 2007. Tópicos de Projecto de Circuitos VLSI Transístores MOS João Canas Ferreira FEUP/DEEC Setembro de 007 Tópicos de Projecto de Circuitos Transístores 1 Conteúdo Transístores MOS: modelos estáticos modelo clássico modelo DSM Comportamento dinâmico

Leia mais

Transistores de Efeito de Campo (FET Field Effect Transistors) MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor) JFET (Junction) MESFET (MEtal-Semiconductor)

Transistores de Efeito de Campo (FET Field Effect Transistors) MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor) JFET (Junction) MESFET (MEtal-Semiconductor) 17ª Aula: O Transistor de Efeito de Campo Transistores de Efeito de Campo (FET Field Effect Transistors) MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor) JFET (Junction) MESFET (MEtal-Semiconductor) SI2223 1 17ª Aula:

Leia mais

ANÁLISE DE ESTRUTURAS VIA ANSYS

ANÁLISE DE ESTRUTURAS VIA ANSYS 2 ANÁLISE DE ESTRUTURAS VIA ANSYS A Análise de esruuras provavelmene é a aplicação mais comum do méodo dos elemenos finios. O ermo esruura não só diz respeio as esruuras de engenharia civil como pones

Leia mais

APÊNDICES APÊNDICE A - TEXTO DE INTRODUÇÃO ÀS EQUAÇÕES DIFERENCIAIS ORDINÁRIAS LINEARES DE 1ª E 2ª ORDEM COM O SOFTWARE MAPLE

APÊNDICES APÊNDICE A - TEXTO DE INTRODUÇÃO ÀS EQUAÇÕES DIFERENCIAIS ORDINÁRIAS LINEARES DE 1ª E 2ª ORDEM COM O SOFTWARE MAPLE 170 APÊNDICES APÊNDICE A - TEXTO DE INTRODUÇÃO ÀS EQUAÇÕES DIFERENCIAIS ORDINÁRIAS LINEARES DE 1ª E ª ORDEM COM O SOFTWARE MAPLE PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DE MINAS GERAIS PUC MINAS MESTRADO PROFISSIONAL

Leia mais

CAPÍTULO 9. y(t). y Medidor. Figura 9.1: Controlador Analógico

CAPÍTULO 9. y(t). y Medidor. Figura 9.1: Controlador Analógico 146 CAPÍULO 9 Inrodução ao Conrole Discreo 9.1 Inrodução Os sisemas de conrole esudados aé ese pono envolvem conroladores analógicos, que produzem sinais de conrole conínuos no empo a parir de sinais da

Leia mais

CONVERSOR BUCK UTILIZANDO CÉLULA DE COMUTAÇÃO DE TRÊS ESTADOS

CONVERSOR BUCK UTILIZANDO CÉLULA DE COMUTAÇÃO DE TRÊS ESTADOS UNIVERSIDADE ESADUA PAUISA FACUDADE DE ENGENHARIA CAMPUS DE IHA SOEIRA PÓSGRADUAÇÃO EM ENGENHARIA EÉRICA CONVERSOR BUCK UIIZANDO CÉUA DE COMUAÇÃO DE RÊS ESADOS JUAN PAUO ROBES BAESERO Orienador: Prof.

Leia mais

Transistores de Efeito de Campo (npn)

Transistores de Efeito de Campo (npn) Slide 1 FET porta dispositivo de 3 terminais corrente e - de canal da fonte para dreno controlada pelo campo elétrico gerado pelo porta impedância de entrada extremamente alta para base Transistores de

Leia mais

Aula 1. Atividades. Para as questões dessa aula, podem ser úteis as seguintes relações:

Aula 1. Atividades. Para as questões dessa aula, podem ser úteis as seguintes relações: Aula 1 Para as quesões dessa aula, podem ser úeis as seguines relações: 1. E c = P = d = m. v E m V E P = m. g. h cos = sen = g = Aividades Z = V caeo adjacene hipoenusa caeo oposo hipoenusa caeo oposo

Leia mais

VALOR DA PRODUÇÃO DE CACAU E ANÁLISE DOS FATORES RESPONSÁVEIS PELA SUA VARIAÇÃO NO ESTADO DA BAHIA. Antônio Carlos de Araújo

VALOR DA PRODUÇÃO DE CACAU E ANÁLISE DOS FATORES RESPONSÁVEIS PELA SUA VARIAÇÃO NO ESTADO DA BAHIA. Antônio Carlos de Araújo 1 VALOR DA PRODUÇÃO DE CACAU E ANÁLISE DOS FATORES RESPONSÁVEIS PELA SUA VARIAÇÃO NO ESTADO DA BAHIA Anônio Carlos de Araújo CPF: 003.261.865-49 Cenro de Pesquisas do Cacau CEPLAC/CEPEC Faculdade de Tecnologia

Leia mais

Instituto de Tecnologia de Massachusetts Departamento de Engenharia Elétrica e Ciência da Computação. Tarefa 5 Introdução aos Modelos Ocultos Markov

Instituto de Tecnologia de Massachusetts Departamento de Engenharia Elétrica e Ciência da Computação. Tarefa 5 Introdução aos Modelos Ocultos Markov Insiuo de Tecnologia de Massachuses Deparameno de Engenharia Elérica e Ciência da Compuação 6.345 Reconhecimeno Auomáico da Voz Primavera, 23 Publicado: 7/3/3 Devolução: 9/3/3 Tarefa 5 Inrodução aos Modelos

Leia mais

Equações Diferenciais Ordinárias Lineares

Equações Diferenciais Ordinárias Lineares Equações Diferenciais Ordinárias Lineares 67 Noções gerais Equações diferenciais são equações que envolvem uma função incógnia e suas derivadas, além de variáveis independenes Aravés de equações diferenciais

Leia mais

Condensadores e Bobinas

Condensadores e Bobinas ondensadores e Bobinas Arnaldo Baisa TE_4 Dielécrico é não conduor Placas ou armaduras conduoras ondensadores TE_4 R Área A Analogia Hidráulica V S + - Elecrão Elecrões que se repelem d Bomba Hidráulica

Leia mais

67.301/1. RLP 10 & 20: Controlador pneumático de volume-caudal. Sauter Components

67.301/1. RLP 10 & 20: Controlador pneumático de volume-caudal. Sauter Components 7./ RL & : Conrolador pneumáico de volume-caudal Usado em conjuno com um prao orifício ou com um sensor de pressão dinâmica e um acuador pneumáico de regiso para conrolo do volume de ar em sisemas de ar

Leia mais

Transistor de Efeito de Campo FET

Transistor de Efeito de Campo FET Transistor de Efeito de Campo FET FET - Aspectos gerais O FET (Field Effect Transistor) ou transistor de efeito de campo é um dispositivo unipolar (um tipo de portador - elétron ou lacuna), constituído

Leia mais

Cap. 4 - MOS 1. Gate Dreno. Fonte

Cap. 4 - MOS 1. Gate Dreno. Fonte Cap. 4 - MO 1 Fonte ate reno O princípio de funcionamento do transístor de efeito de campo (TEC ou FET, na designação anglo-saxónica) assenta no controlo de uma carga móvel associada a uma camada muito

Leia mais

Mecânica de Sistemas de Partículas Prof. Lúcio Fassarella * 2013 *

Mecânica de Sistemas de Partículas Prof. Lúcio Fassarella * 2013 * Mecânica e Sisemas e Parículas Prof. Lúcio Fassarella * 2013 * 1. A velociae e escape e um planea ou esrela é e nia como seno a menor velociae requeria na superfície o objeo para que uma parícula escape

Leia mais

O MOSFET como Amplificador. ENG04055 Concepção de CI Analógicos Eric Fabris

O MOSFET como Amplificador. ENG04055 Concepção de CI Analógicos Eric Fabris O MOSFET como Amplificador Amplificador Básico Amplificador Fonte Comum Topologia Básica Representação Gráfica da Reta de Carga eterminação da Curva de Transferência v i i O v S f ( v f ( v V GS GS R )

Leia mais

EFEITOS DA MODIFICAÇÃO ESTRUTURAL POR INSERÇÃO DE MATERIAL ELASTOMÉRICO NO COMPORTAMENTO DINÂMICO DE UMA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO.

EFEITOS DA MODIFICAÇÃO ESTRUTURAL POR INSERÇÃO DE MATERIAL ELASTOMÉRICO NO COMPORTAMENTO DINÂMICO DE UMA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO. VI CONGRESSO NACIONAL DE ENGENHARIA MECÂNICA VI NATIONAL CONGRESS OF MECHANICAL ENGINEERING 18 a 21 de agoso de 2010 Campina Grande Paraíba - Brasil Augus 18 21, 2010 Campina Grande Paraíba Brazil EFEITOS

Leia mais

Circuitos Elétricos- módulo F4

Circuitos Elétricos- módulo F4 Circuios léricos- módulo F4 M 014 Correne elécrica A correne elécrica consise num movimeno orienado de poradores de cara elécrica por acção de forças elécricas. Os poradores de cara podem ser elecrões

Leia mais

SISTEMA PÚBLICO DE ABASTECIMENTO DE ÁGUA

SISTEMA PÚBLICO DE ABASTECIMENTO DE ÁGUA Capiulo V SISTEMA PÚBLICO DE ABASTECIMENTO DE ÁGUA 5.1 - INTRODUÇÃO I - QUALIDADE DA ÁGUA A água em sua uilização obedece a padrões qualiaivos que são variáveis de acordo com o seu uso (domésico, indusrial,

Leia mais

Redes de Computadores

Redes de Computadores Inrodução Ins iuo de Info ormáic ca - UF FRGS Redes de Compuadores Conrole de fluxo Revisão 6.03.015 ula 07 Comunicação em um enlace envolve a coordenação enre dois disposiivos: emissor e recepor Conrole

Leia mais

Telefonia Digital: Modulação por código de Pulso

Telefonia Digital: Modulação por código de Pulso MINISTÉRIO DA EDUCAÇÃO Unidade de São José Telefonia Digial: Modulação por código de Pulso Curso écnico em Telecomunicações Marcos Moecke São José - SC, 2004 SUMÁRIO. MODULAÇÃO POR CÓDIGO DE PULSO....

Leia mais

Transistor de Efeito de Campo

Transistor de Efeito de Campo UNIVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOAO DEL REI Transistor de Efeito de Campo Trabalho de Eletrônica I Taumar Morais Lara Engenharia Elétrica Eletrônica I Matrícula: 0809048-3 U N I V E R S I D A D E F E D E

Leia mais

18 GABARITO 1 2 O DIA PROCESSO SELETIVO/2005 FÍSICA QUESTÕES DE 31 A 45

18 GABARITO 1 2 O DIA PROCESSO SELETIVO/2005 FÍSICA QUESTÕES DE 31 A 45 18 GABARITO 1 2 O DIA PROCESSO SELETIO/2005 ÍSICA QUESTÕES DE 31 A 45 31. O gálio é um meal cuja emperaura de fusão é aproximadamene o C. Um pequeno pedaço desse meal, a 0 o C, é colocado em um recipiene

Leia mais

Tecnologias de Circuitos Integrados

Tecnologias de Circuitos Integrados Tecnologias de Circuitos Integrados Tecnologias de Circuitos Integrados MOS-CMOS MOSFET (Metal Oxide Silicon Field Effect Field) nmos (N-type MOS) pmos (P-type MOS) CMOS (Complementary - type MOS) Manoel

Leia mais

MODELAMENTO DINÂMICO DO SISTEMA DE CONTROLE DE UMA MÁQUINA CNC DIDÁTICA

MODELAMENTO DINÂMICO DO SISTEMA DE CONTROLE DE UMA MÁQUINA CNC DIDÁTICA 6º CONGRESSO BRASILEIRO DE ENGENHARIA DE FABRICAÇÃO 6 h BRAZILIAN CONFERENCE ON MANUFACTURING ENGINEERING 11 a 15 de abril de 2011 Caxias do Sul RS - Brasil April 11 h o 15 h, 2011 Caxias do Sul RS Brazil

Leia mais

ENGENHARIA ECONÔMICA AVANÇADA

ENGENHARIA ECONÔMICA AVANÇADA ENGENHARIA ECONÔMICA AVANÇADA TÓPICOS AVANÇADOS MATERIAL DE APOIO ÁLVARO GEHLEN DE LEÃO gehleao@pucrs.br 55 5 Avaliação Econômica de Projeos de Invesimeno Nas próximas seções serão apresenados os principais

Leia mais

A FÁBULA DO CONTROLADOR PID E DA CAIXA D AGUA

A FÁBULA DO CONTROLADOR PID E DA CAIXA D AGUA A FÁBULA DO CONTROLADOR PID E DA CAIXA D AGUA Era uma vez uma pequena cidade que não inha água encanada. Mas, um belo dia, o prefeio mandou consruir uma caia d água na serra e ligou-a a uma rede de disribuição.

Leia mais

ENSAIO SOBRE A FLUÊNCIA NA VIBRAÇÃO DE COLUNAS

ENSAIO SOBRE A FLUÊNCIA NA VIBRAÇÃO DE COLUNAS Congresso de Méodos Numéricos em Engenharia 215 Lisboa, 29 de Junho a 2 de Julho, 215 APMTAC, Porugal, 215 ENSAIO SOBRE A FLUÊNCIA NA VIBRAÇÃO DE COLUNAS Alexandre de Macêdo Wahrhafig 1 *, Reyolando M.

Leia mais

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO Engenharia Elétrica Eletrônica Professor: Alvaro Cesar Otoni Lombardi Os Transistores Bipolares de Junção (TBJ ou BJT) São controlados pela variação da corrente de base (na maioria das aplicações) 1 Os

Leia mais

CONHECIMENTOS ESPECÍFICOS

CONHECIMENTOS ESPECÍFICOS CONHECIMENTOS ESPECÍFICOS» CONTROLES E PROCESSOS INDUSTRIAIS (PERFIL 5) «21. Um transistor NMOS, para operar na região de saturação, deve obedecer às seguintes condições: I. A diferença entre a tensão

Leia mais

4.5 Amplificador Diferencial

4.5 Amplificador Diferencial 4.5 mplificador Diferencial mplificadores diferenciais são sensieis a diferença enre duas ensões de enrada; i1 i2 mp. Dif. i o1 i o2 o1 o2 /2 /2 mp. Dif. i o1 i o2 o1 o2 Sinal diferencial i ( o) d i (

Leia mais

UNIDADE 2. t=0. Fig. 2.1-Circuito Com Indutor Pré-Carregado

UNIDADE 2. t=0. Fig. 2.1-Circuito Com Indutor Pré-Carregado UNIDAD 2 CIRCUITOS BÁSICOS COM INTRRUPTORS 2.1 CIRCUITOS D PRIMIRA ORDM 2.1.1 Circuio com Induor PréCarregado em Série com Diodo Seja o circuio represenado na Fig. 2.1. D i =0 Fig. 2.1Circuio Com Induor

Leia mais

MÉTODO MARSHALL. Os corpos de prova deverão ter a seguinte composição em peso:

MÉTODO MARSHALL. Os corpos de prova deverão ter a seguinte composição em peso: TEXTO COMPLEMENTAR MÉTODO MARSHALL ROTINA DE EXECUÇÃO (PROCEDIMENTOS) Suponhamos que se deseje dosar um concreo asfálico com os seguines maeriais: 1. Pedra 2. Areia 3. Cimeno Porland 4. CAP 85 100 amos

Leia mais

CAPACITÂNCIA E INDUTÂNCIA

CAPACITÂNCIA E INDUTÂNCIA INTRODUÇÃO APAITÂNIA E INDUTÂNIA Dois elemenos passivos que armazenam energia:apaciores e Induores APAITORES Armazenam energia aravés do campo elérico (energia elerosáica) Modelo de elemeno de circuio

Leia mais

Microeletrônica. Germano Maioli Penello. http://www.lee.eng.uerj.br/~germano/microeletronica%20_%202015-1.html

Microeletrônica. Germano Maioli Penello. http://www.lee.eng.uerj.br/~germano/microeletronica%20_%202015-1.html Microeletrônica Germano Maioli Penello http://www.lee.eng.uerj.br/~germano/microeletronica%20_%202015-1.html Sala 5145 (sala 17 do laboratorio de engenharia elétrica) Aula 19 1 Pauta ÁQUILA ROSA FIGUEIREDO

Leia mais

Sistemas não-lineares de 2ª ordem Plano de Fase

Sistemas não-lineares de 2ª ordem Plano de Fase EA93 - Pro. Von Zuben Sisemas não-lineares de ª ordem Plano de Fase Inrodução o esudo de sisemas dinâmicos não-lineares de a ordem baseia-se principalmene na deerminação de rajeórias no plano de esados,

Leia mais

Lista de Exercícios n o.1. 1) O diodo do circuito da Fig. 1(a) se comporta segundo a característica linearizada por partes da Fig 1(b). I D (ma) Fig.

Lista de Exercícios n o.1. 1) O diodo do circuito da Fig. 1(a) se comporta segundo a característica linearizada por partes da Fig 1(b). I D (ma) Fig. Universidade Federal da Bahia EE isposiivos Semiconduores ENG C41 Lisa de Exercícios n o.1 1) O diodo do circuio da Fig. 1 se compora segundo a caracerísica linearizada por pares da Fig 1. R R (ma) 2R

Leia mais

MARCOS VELOSO CZERNORUCKI REPRESENTAÇÃO DE TRANSFORMADORES EM ESTUDOS DE TRANSITÓRIOS ELETROMAGNÉTICOS

MARCOS VELOSO CZERNORUCKI REPRESENTAÇÃO DE TRANSFORMADORES EM ESTUDOS DE TRANSITÓRIOS ELETROMAGNÉTICOS MARCOS VELOSO CZERNORUCKI REPRESENTAÇÃO DE TRANSFORMADORES EM ESTUDOS DE TRANSITÓRIOS ELETROMAGNÉTICOS Disseração apresenada à Escola Poliécnica da Universidade de São Paulo para obenção do íulo de Mesre

Leia mais

Equações Simultâneas. Aula 16. Gujarati, 2011 Capítulos 18 a 20 Wooldridge, 2011 Capítulo 16

Equações Simultâneas. Aula 16. Gujarati, 2011 Capítulos 18 a 20 Wooldridge, 2011 Capítulo 16 Equações Simulâneas Aula 16 Gujarai, 011 Capíulos 18 a 0 Wooldridge, 011 Capíulo 16 Inrodução Durane boa pare do desenvolvimeno dos coneúdos desa disciplina, nós nos preocupamos apenas com modelos de regressão

Leia mais

Universidade Federal do Rio Grande do Sul Escola de Engenharia de Porto Alegre Departamento de Engenharia Elétrica ANÁLISE DE CIRCUITOS II - ENG04031

Universidade Federal do Rio Grande do Sul Escola de Engenharia de Porto Alegre Departamento de Engenharia Elétrica ANÁLISE DE CIRCUITOS II - ENG04031 Universidade Federal do io Grande do Sul Escola de Engenharia de Poro Alegre Deparameno de Engenharia Elérica ANÁLISE DE CICUITOS II - ENG43 Aula 5 - Condições Iniciais e Finais de Carga e Descarga em

Leia mais

PUC ENGENHARIA. Pontifícia Universidade Católica de São Paulo - PUCSP

PUC ENGENHARIA. Pontifícia Universidade Católica de São Paulo - PUCSP PUC ENGENHARIA Pontifícia Universidade Católica de São Paulo - PUCSP Prof. Dr. Marcello Bellodi 2 a versão - 2005 ÍNDICE 1 a Experiência: "Amplificador Push-Pull Classe B"...01 2 a Experiência: "Curvas

Leia mais

APLICAÇÃO DE MODELAGEM NO CRESCIMENTO POPULACIONAL BRASILEIRO

APLICAÇÃO DE MODELAGEM NO CRESCIMENTO POPULACIONAL BRASILEIRO ALICAÇÃO DE MODELAGEM NO CRESCIMENTO OULACIONAL BRASILEIRO Adriano Luís Simonao (Faculdades Inegradas FAFIBE) Kenia Crisina Gallo (G- Faculdade de Ciências e Tecnologia de Birigüi/S) Resumo: Ese rabalho

Leia mais

Kcel Motores e Fios Ltda.

Kcel Motores e Fios Ltda. Í N D I C E 1. Fundamenos gerais... 5 1.1 Moores de correne conínua... 5 1.2 Moores de correne alernada... 5 Família de moores eléricos... 5 1.2.1 Moores de indução... 6 1.2.1.1 Moores de indução monofásicos...

Leia mais

Exemplo 4.1 (pag.245)

Exemplo 4.1 (pag.245) Exemplo 4.1 (pag.245) Considere um processo tecnológico com min =0,4 μm, t ox =8nm, μ n =450 cm 2 /V.s, e V t =0,7 V. a) Determine C ox e k n. b) Para um MOSFET com W/=8 μm/0,8 μm, determine os valores

Leia mais

TOMADA DE DECISÃO EM FUTUROS AGROPECUÁRIOS COM MODELOS DE PREVISÃO DE SÉRIES TEMPORAIS

TOMADA DE DECISÃO EM FUTUROS AGROPECUÁRIOS COM MODELOS DE PREVISÃO DE SÉRIES TEMPORAIS ARTIGO: TOMADA DE DECISÃO EM FUTUROS AGROPECUÁRIOS COM MODELOS DE PREVISÃO DE SÉRIES TEMPORAIS REVISTA: RAE-elerônica Revisa de Adminisração de Empresas FGV EASP/SP, v. 3, n. 1, Ar. 9, jan./jun. 2004 1

Leia mais

PGMicro MIC46. Projeto de Circuitos Integrados Analógicos MOS. = Osciladores =

PGMicro MIC46. Projeto de Circuitos Integrados Analógicos MOS. = Osciladores = PGMicro MIC46 Projeto de Circuitos Integrados Analógicos MOS = Osciladores = Prof. Dr. Hamilton Klimach hamilton.klimach@ufrgs.br UFRGS Escola de Engenharia Departamento de Eng. Elétrica Oscilador é um

Leia mais

Eletrônica Analógica

Eletrônica Analógica UNIVERSIDADE FEDERAL DO PARÁ FACULDADE DE ENGENHARIA DE COMPUTAÇÃO E TELECOMUNICAÇÕES Eletrônica Analógica Transistores de Efeito de Campo Professor Dr. Lamartine Vilar de Souza lvsouza@ufpa.br www.lvsouza.ufpa.br

Leia mais

IFBA MOSFET. CELET Coordenação do Curso Técnico em Eletrônica Professor: Edvaldo Moraes Ruas, EE. Vitória da Conquista - 2009

IFBA MOSFET. CELET Coordenação do Curso Técnico em Eletrônica Professor: Edvaldo Moraes Ruas, EE. Vitória da Conquista - 2009 IFBA MOSFET CELET Coordenação do Curso Técnico em Eletrônica Professor: Edvaldo Moraes Ruas, EE Vitória da Conquista - 2009 MOSFET s - introdução Semicondutor FET de óxido metálico, ou Mosfet (Metal Oxide

Leia mais

(Texto de apoio às aulas teóricas e manual de consulta nas aulas práticas)

(Texto de apoio às aulas teóricas e manual de consulta nas aulas práticas) Manual de Tecnologia CMOS (Texto de apoio às aulas teóricas e manual de consulta nas aulas práticas) Características e descrição do processo A tecnologia usada é CMOS 2.0 µm n-well, 1 camada de Poly, 2

Leia mais

Díodo Zener. Para funcionar com polarização inversa. Modelo mais simples assume r z =0. Electrónica 1

Díodo Zener. Para funcionar com polarização inversa. Modelo mais simples assume r z =0. Electrónica 1 Díodo Zener Para funcionar com polarização inversa. Modelo mais simples assume r z =0 exemplo como é que calcula I, I Z e I L? Díodo Zener Ef.Zener(V z 7V) Especificações: corrente

Leia mais

Amplificadores de potência de RF

Amplificadores de potência de RF Amplificadores de poência de RF Objeivo: Amplificar sinais de RF em níveis suficienes para a sua ransmissão (geralmene aravés de uma anena) com bom rendimeno energéico. R g P e RF P CC Amplificador de

Leia mais

1 TRANSMISSÃO EM BANDA BASE

1 TRANSMISSÃO EM BANDA BASE Página 1 1 TRNSMISSÃO EM BND BSE ransmissão de um sinal em banda base consise em enviar o sinal de forma digial aravés da linha, ou seja, enviar os bis conforme a necessidade, de acordo com um padrão digial,

Leia mais

Escola de Educação Profissional Senai Plínio Gilberto Kroeff CETEMP TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE PORTA ISOLADA - MOSFET

Escola de Educação Profissional Senai Plínio Gilberto Kroeff CETEMP TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE PORTA ISOLADA - MOSFET Escola de Educação Profissional Senai Plínio Gilberto Kroeff CETEMP TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE PORTA ISOLADA - MOSFET Os transistores de efeito de campo do tipo porta isolada (IGFET Isolated Gate

Leia mais

O Fluxo de Caixa Livre para a Empresa e o Fluxo de Caixa Livre para os Sócios

O Fluxo de Caixa Livre para a Empresa e o Fluxo de Caixa Livre para os Sócios O Fluxo de Caixa Livre para a Empresa e o Fluxo de Caixa Livre para os Sócios! Principais diferenças! Como uilizar! Vanagens e desvanagens Francisco Cavalcane (francisco@fcavalcane.com.br) Sócio-Direor

Leia mais

MicroElectrónica. Trabalho de Laboratório. Desenho de um Amplificador Operacional

MicroElectrónica. Trabalho de Laboratório. Desenho de um Amplificador Operacional MicroElectrónica Ano Lectivo 2004/2005 Trabalho de Laboratório Desenho de um Amplificador Operacional Marcelino Santos, F. Gonçalves, J. P. Teixeira Abril, 2005 1 1 Introdução Pretende-se com este trabalho

Leia mais

EXAME NACIONAL DO ENSINO SECUNDÁRIO VERSÃO 1

EXAME NACIONAL DO ENSINO SECUNDÁRIO VERSÃO 1 EXAME NACIONAL DO ENSINO SECUNDÁRIO 11.º ou 12.º Ano de Escolaridade (Decreo-Lei n.º 74/24, de 26 de Março) PROVA 715/16 Págs. Duração da prova: 12 minuos 27 1.ª FASE PROVA ESCRITA DE FÍSICA E QUÍMICA

Leia mais

AVALIAÇÃO DE MEDIÇÃO DA UMIDADE RELATIVA DO AR PELO MÉTODO DO PONTO DE ORVALHO USANDO MATERIAIS ACESSÍVEIS E SISTEMA DE CONTROLE CONVENCIONAL

AVALIAÇÃO DE MEDIÇÃO DA UMIDADE RELATIVA DO AR PELO MÉTODO DO PONTO DE ORVALHO USANDO MATERIAIS ACESSÍVEIS E SISTEMA DE CONTROLE CONVENCIONAL GUSTAVO NEVES MARGARIDO AVALIAÇÃO DE MEDIÇÃO DA UMIDADE RELATIVA DO AR PELO MÉTODO DO PONTO DE ORVALHO USANDO MATERIAIS ACESSÍVEIS E SISTEMA DE CONTROLE CONVENCIONAL Disseração apresenada ao Insiuo Federal

Leia mais

ELETRÔNICA DE POTÊNCIA II

ELETRÔNICA DE POTÊNCIA II EETRÔNIA DE POTÊNIA II AUA 2 ONEROR BUK (sep-down) Prof. Marcio Kimpara UFM - Universidade Federal de Mao Grosso do ul FAENG Faculdade de Engenharias, Arquieura e Urbanismo e Geografia Aula Anerior...

Leia mais

12 Integral Indefinida

12 Integral Indefinida Inegral Indefinida Em muios problemas, a derivada de uma função é conhecida e o objeivo é enconrar a própria função. Por eemplo, se a aa de crescimeno de uma deerminada população é conhecida, pode-se desejar

Leia mais

ANÁLISE DE TRANSIENTES COM ALTOS PERCENTUAIS DE TAMPONAMENTO DOS TUBOS DOS GERADORES DE VAPOR DE ANGRA 1

ANÁLISE DE TRANSIENTES COM ALTOS PERCENTUAIS DE TAMPONAMENTO DOS TUBOS DOS GERADORES DE VAPOR DE ANGRA 1 ANÁLISE DE TRANSIENTES COM ALTOS PERCENTUAIS DE TAMPONAMENTO DOS TUBOS DOS GERADORES DE VAPOR DE ANGRA 1 Márcio Poubel Lima *, Laercio Lucena Marins Jr *, Enio Anonio Vanni *, Márcio Dornellas Machado

Leia mais

Função definida por várias sentenças

Função definida por várias sentenças Ese caderno didáico em por objeivo o esudo de função definida por várias senenças. Nese maerial você erá disponível: Uma siuação que descreve várias senenças maemáicas que compõem a função. Diversas aividades

Leia mais

CAPÍTULO III TORÇÃO PROBLEMAS ESTATICAMENTE INDETERMINADOS TORÇÃO - PEÇAS DE SEÇÃO VAZADA DE PAREDES FINAS

CAPÍTULO III TORÇÃO PROBLEMAS ESTATICAMENTE INDETERMINADOS TORÇÃO - PEÇAS DE SEÇÃO VAZADA DE PAREDES FINAS APÍTULO III TORÇÃO PROBLEMAS ESTATIAMENTE INDETERMINADOS TORÇÃO - PEÇAS DE SEÇÃO VAZADA DE PAREDES FINAS A- TORÇÃO PROBLEMAS ESTATIAMENTE INDETERMINADOS Vimos aé aqui que para calcularmos as ensões em

Leia mais

= + 3. h t t. h t t. h t t. h t t MATEMÁTICA

= + 3. h t t. h t t. h t t. h t t MATEMÁTICA MAEMÁICA 01 Um ourives possui uma esfera de ouro maciça que vai ser fundida para ser dividida em 8 (oio) esferas menores e de igual amanho. Seu objeivo é acondicionar cada esfera obida em uma caixa cúbica.

Leia mais

Um estudo de Cinemática

Um estudo de Cinemática Um esudo de Cinemáica Meu objeivo é expor uma ciência muio nova que raa de um ema muio anigo. Talvez nada na naureza seja mais anigo que o movimeno... Galileu Galilei 1. Inrodução Nese exo focaremos nossa

Leia mais