ESTIMATIVA DE CAPACITÂNCIAS E POTÊNCIA EM CIRCUITOS CMOS

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1 ESTIMATIVA DE CAPACITÂNCIAS E POTÊNCIA EM CIRCUITOS CMOS Martins, João Batista 1 batista@inf.ufsm.br DELC/UFSM, Santa Maria, Brasil Reis, Ricardo reis@inf.ufrgs.br II/PPGC/UFRGS, Porto Alegre, Brasil RESUMO Este artigo apresenta um método de estimativa de capacitâncias e potência nos circuitos combinacionais CMOS, no nível de portas lógicas. O objetivo do método é fazer uma previsão do consumo de potência do circuito na fase do projeto lógico, o que permitirá a aplicação de técnicas de redução de potência ou até alteração do projeto antes da geração do seu leiaute. A potência dinâmica consumida por circuitos CMOS depende dos seguintes parâmetros: tensão de alimentação, freqüência de operação, capacitâncias parasitas e atividades de comutação em cada nó do circuito. A análise aqui desenvolvida, propõe que a potência seja dividida em duas componentes. A primeira componente está relacionada ao consumo de potência devido às capacitâncias intrínsecas dos transistores, que por sua vez estão relacionadas às dimensões dos transistores. Estas capacitâncias intrínsecas são concentradas nos nós externos das portas e manifestam-se em função das combinações dos vetores de entrada. A segunda componente está relacionada às interconexões entre as células do circuito. Nesta fase o consumo de potência é estimado em função do comprimento médio das interconexões. Este comprimento médio é estimado em função do número de transistores e fanout das redes que compõem o circuito. Na análise que trata das capacitâncias intrínsecas dos transistores os erros encontrados na estimativa da potência estão no máximo em torno de 11% quando comparados ao SPICE. Já na estimativa das interconexões a comparação feita entre capacitâncias de interconexões estimadas no nível lógico e capacitâncias de interconexões extraídas do leiaute apresentou erros menores que 10%. 1. INTRODUÇÃO A capacitância é um dos parâmetros responsáveis pelo consumo de potência dinâmica em circuitos CMOS. A extração de capacitâncias ao nível de leiaute fornece valores muito precisos, no entanto o tempo de processamento que os softwares de simulação levam para executar este tipo de tarefa é elevadíssimo para circuitos muito complexos. Isto pode onerar significativamente o projeto de um circuito integrado. A vantagem na estimativa de capacitâcia e potência no nível lógico está fundamentalmente no tempo de processamento, contrapondo a precisão dos resultados. O mais significativo, é que este tipo de análise permite uma rápida tomada de decisões ao nível de circuito lógico sobre consumo de potência sem a necessidade de ir até a síntese do leiaute. Este artigo possui duas partes: a primeira trata do consumo de potência de porta e a segunda trata do consumo de potência devido às interconexões. A potência dinâmica dissipada em um circuito CMOS no nível lógico é formada por duas componentes:?? potência de porta que considera apenas as dimensões dos transistores, como W (comprimento do canal), L (largura do canal), perímetro e área do dreno (pd e ad) e perímetro e área da fonte (ps e as). Neste tipo de potência as capacitâncias envolvidas são as intrínsecas dos próprios transistores, ou seja: capacitância gatedreno, capacitância gate-fonte, capacitância dreno-substrato e capacitância fonte-substrato;?? potência das interconexões que leva em consideração a fiação de roteamento entre as células do circuito. Dois tipos de capacitâncias parasitas são envolvidas nesta análise. A primeira é a capacitância de roteamento propriamente dita que surge entre os nós dos transistores e o terra. A segunda, é a capacitância de crosstalk entre fiações de roteamento. A nossa análise considera apenas capacitâncias de roteamento. Na análise aqui feita, a tensão de alimentação, freqüência de operação e atividades de comutações são valores pré-definidos. 1 Este trabalho foi desenvolvido no Programa de Pós Graduação em Computação da UFRGS

2 2. CONSUMO DE POTÊNCIA DE PORTA O consumo de potência devido às capacitâncias intrínsecas apresentado em [5], é rapidamente analisado neste capítulo para a porta inversora e a NAND de duas entradas Capacitância do INVERSOR CMOS O inversor CMOS (FIGURA 1) apresenta quatro nós externos: entrada do sinal (x), saída do sinal (y), alimentação (V dd ) e terra. saída). A influência deste nó interno sobre os demais nós externos normalmente não é analisada por outros modelos, mas é considerando em nosso trabalho. As capacitâncias equivalentes aos nós externos da porta, correspondem ao efeito da manifestação das capacitâncias intrínsecas dos transistores em função dos vetores de entrada. As capacitâncias dos nós internos dependem das combinações de vetores de entrada. No caso da NAND2, estas combinações serão iguais a: 00, 01, 10, 11. A FIGURA 2a ilustra uma porta NAND2 ao nível de transistores com suas respectivas capacitâncias intrínsecas e a FIGURA 2b a sua representação lógica equivalente e capacitâncias equivalentes. As capacitâncias intrínsecas foram definidas na seção 5.2 e dependem das dimensões físicas dos transistores e características da tecnologia do processo. As análises a seguir, consideram probabilidades de comutação nas entradas das portas lógicas iguais a 0,5. FIGURA 1 Capacitâncias Parasitas do Inversor CMOS (a) Representação ao nível de Transistores (b) Representação ao nível de Portas Lógicas Usando-se da análise de circuitos o Teorema de Thévenin, pode-se dizer que as capacitâncias equivalentes para a entrada do sinal x (C in x ) e saída y ( C out y ) são iguais a: (a) C inx CGSp? CGDp?? CGDn? (1) C outy CDBp? CGDp? CGDn? CDBn? (2) C GDp, C GSp e C DBp = capacitância gate-dreno, capacitância gate-fonte e capacitância dreno-substrato para o transistor pmos, respectivamente. C GDn, C GSn e C DBn = capacitância gate-dreno, capacitância gate-fonte e capacitância dreno-substrato para o transistor nmos, respectivamente Capacitâncias da porta lógica NAND2 No caso de uma porta lógica NAND de duas entradas (FIGURA 2), o número de nós aumenta para seis. Sendo eles: um ligado ao terra, um ligado à alimentação V dd, um nó interno entre os transistores NMOS e três externos (dois ligados à entrada e um à (b) FIGURA 2 Capacitâncias Parasitas da porta lógica NAND2 (a) Representação ao nível de Transistores (b) Representação ao nível lógico Capacitância equivalente referente à entrada A : C ina? C A? CGSp1? CGDp1 (3) 1 * CT C A? Ca 1? Ca2? 0.5( CGDn1? )? 0.5( CGDn1? 1) 1? CT (4) onde C T é igual a: C? C? C? C (5) T SBn1 DBn2 GDn2

3 Capacitância equivalente referente à entrada B : C inb? CB? CGSp2? CGDp2 (6) 2 * CT1 C B? Cb 1? Cb2? 0.5( CGDn 2? )? 0.5( CGDn2? 2 ) 2? CT1 (7) e C? C? C? C (8) T1 GSn1 SBn1 DBn2 Capacitância equivalente referente à saída da porta : C? C? C? C? C? C? C out GDn1 DBn1 GDp1 GDp2 DBp1 DBp2 3. CONSUMO DE POTÊNCIA DAS INTERCONEXÕES 3.1 Capacitâncias de Interconexões Capacitâncias de interconexões surgem quando é feita a conexão entre as diversas células de um circuito. As capacitâncias que surgem devido às interconexões [1] são (FIGURA 3): - Capacitância de overlap (C 23a, C 21a ) é a capacitância devido ao cruzamento entre dois condutores em planos diferentes; - Capacitância lateral (C 22l ) é capacitância que que surge entre dois condutores no mesmo plano; - Capacitância de Borda (Fringing) (C 23fr, C 21fr ) é a capacitância devido ao acoplamento entre dois condutores em diferentes planos (face inferior do metal em um nível superior e face lateral do metal num nível inferior). FIGURA 3 Capacitâncias das interconexões 3.2 Comprimento Médio das Interconexões Uma interconexão é um fio metálico que interliga uma ou vários células de um circuito. O número de interconexões de um circuito depende da maneira como as células são posicionadas na planta baixa e como é feito o roteamento. O roteamento depende da qualidade do algoritmo implementado [2]. O comprimento médio das interconexões de um circuito é igual à média do comprimento de todas as suas interconexões [3]. As interconexões de roteamento são responsáveis pelo surgimento de capacitâncias parasitas de roteamento. (9) Nesta seção será desenvolvido um método de estimativa do comprimento das interconexões que baseiase na relação entre comprimento de interconexão, fanout das redes (número de saídas de cada porta) e número de transistores. Esta relação é obtida pelo levantamento de dados extraídos de vários circuitos. Estes dados de comprimentos de interconexões são obtidos após a geração completa do leiaute do circuito. O TROPIC3 [4] é usado na geração do leiaute e serve como fonte de obtenção do comprimento das interconexões de cada rede em cada circuito analisado. Os circuitos usados como de fonte de dados foram escolhidos de uma série de benchmarks (MCNC 91) de diversos tamanhos e complexidades, conforme demonstrado na TABELA 1. Esta tabela fornece dados dos circuitos envolvidos na geração dos leiautes como número e tipo de portas lógicas e número de transistores. O número de transistores dos circuitos combinacionais analisados variam de 192 transistores (cmb_a) até 2690 transistores (C1908a). TABELA 1 Característica dos Circuitos usados no levantamento dos dados Nome Número Número Número Número Número Circuito Portas Transistores Inversores NAND NOR cmb_a parity_a pcler8_a frg1_a count_a comp_a xp C432a sym sym_3x bw C880a alu2_a C499a x4_a c C1908a As informações obtidas do levantamento de dados serão usadas na elaboração de uma tabela de referência (look-up-table), a qual será usada na estimativa do comprimento das interconexões. O processo completo de levantamento desta tabela consiste: - na geração automática do leiaute dos circuitos apresentados na TABELA 1, com tecnologia de fabricação igual a 0.25? m. Este leiautes foram otimizados para que tenham o menor comprimento médio das interconexões do circuito. O circuito gerado forma um bloco, cujas dimensões (largura x comprimento) deve ser o mais quadrado possível. Esta condição permite dizer que o circuito está otimizado. A TABELA 2 mostra dados referentes à geração do leiaute de cada circuito usado no

4 levantamento de dados, como por exemplo número de bandas, largura e comprimento de cada bloco lógico e semi-perímetro. - para cada leiaute gerado, a filtragem das redes com diferentes fanouts e os seus respectivos comprimentos médios de interconexão. As TABELAS 3 e 4 apresentam um resumo destes levantamentos; - plotagem de curvas que relacionam comprimento médio das interconexões em função do número de transistores do circuito para redes com diferentes fanouts; - geração de uma look up table (tabela de referência) a ser usada na estimativa do comprimento médio de cada rede dependente do seu fanout e do número total de transistores do circuito. TABELA 2 Comprimento médio (? m) das redes para fanouts iguais a 0, 1, 2 e 3 Nome Número de Fanout Comp. Fanout Comp. Fanout Comp. Fanout Comp. Circuito Transistores "0" Médio "1" Médio "2" Médio "3" Médio cmb_a , ,6 0 parity_a , , ,9 0 pcler8_a , ,1 1 47,2 6 65,3 frg1_a , ,9 0 count_a , , , ,7 comp_a , , ,9 4 54,4 5xp , , ,8 9 86,9 C432a , , ,1 2 87,2 9sym , ,6 9 56, ,4 9sym_3x , , , ,4 bw , , ,3 8 72,7 C880a , , , ,5 alu2_a , , ,5 C499a , , ,9 5 69,9 x4_a , ,1 7 60,4 2 72,8 c , ,3 0 C1908a , , , ,2 O comprimento médio das redes com fanout igual a zero corresponde à saída do circuito e depende da borda ou da maneira como são definidas as interfaces de posicionamento dos pinos de entrada e saída do circuito (norte, sul, leste, oeste) durante a geração do leiaute. Neste caso os valores do comprimento médio variam de 20? m a 40? m para circuitos que possuem até 1700 transistores e de 20? m a 80? m para circuitos que possuem de 1700 a 2700 transistores. O comprimento médio das redes com fanout igual a 1 abrangem todos os tipos de circuitos analisados, sendo seus valores variáveis de 30? m a 40? m, independente do número de transistores. Redes com fanout igual a 2 possuem maior influência no comprimento médio das interconexões. Neste caso observa-se que os valores de comprimento médio das interconexões para estas redes variam de 40? m a 80? m, dependendo do número total de transistores do circuito. Até 1700 transistores o comprimento médio é variável entre 40? m e 60? m. De 1701 a 2300 transistores esta variação fica entre 60? m e 80? m. Nas redes com fanout igual a 3, o comprimento médio das redes variam de 60? m a 120? m. TABELA 3 Comprimento médio (? m) das redes para fanouts iguais a 4, 5, 6 e >6 Nome Número de Fanout Comp. Fanout Comp. Fanout Comp. Fanout Comp. Circuito Transistores "4" Médio "5" Médio "6" Médio ">6" Médio cmb_a parity_a pcler8_a ,1 frg1_a count_a comp_a xp , ,8 0 C432a , ,3 9sym , , ,2 9sym_3x ,2 0 0 bw , ,3 C880a , ,4 alu2_a , , ,5 C499a , , ,6 x4_a , , ,2 c ,8 C1908a , , ,8 Pela TABELA 3, observa-se que redes com fanout igual a 4, possuem o comprimento médio das interconexões variáveis entre 80? m e 160? m, independente do número de transistores. Redes que possuem fanout igual a 5 possuem comprimentos variáveis entre 150? m e 250? m. O comprimento médio das redes que possuem fanout igual a 6 ou maior que 6 são difíceis de se estimar, e por consequência aumentam o comprimento médio das interconexões dos circuitos. Seus valores para os circuitos analisados podem variar entre 150? m e 600? m. Com estas informações é possível elaborar uma tabela de referência (TABELA 4), a qual relaciona comprimento médio das interconexões, fanout e número de transistores de cada rede do circuito. TABELA 4 Tabela de referência para estimativa do comprimento médio das redes Núm. Fan "0" Fan "1" Fan "2" Fan"3" Fan"4" Fan "5" Fan "6"Fan ">6" Trans. C.Med C.Med C.Med C.Med C.Med C.Med C.Med C.Med Com relação às entradas primárias dos circuitos, a estimativa de comprimento médio das interconexões é estabelecida em função da TABELA 5. TABELA 5 Tabela de referência para estimativa do comprimento médio das entradas Fanin Fanin Fanin Fanin Fanin Fanin Fanin Fanin Fanin Fanin Fanin "0" "1" "2" "3" "4" "5" "6" 6 à à à 21maior 21 Comp. Médio (microm) Nesta tabela, observa-se que à medida que o fanin das entradas aumenta, o comprimento médio das redes aumenta, no entanto não existe uma linearidade entre estas variáveis. 4. AVALIAÇÃO DO MÉTODO DE ESTIMATIVA DO COMPRIMENTO MÉDIO DAS INTERCONEXÕES O método proposto na seção anterior necessita ser validado. Os procedimentos adotados para esta validação

5 consistem no uso das TABELA 4 e 5 na estimativa do comprimento médio das interconexões do circuito e comparando estes resultados de comprimentos médios com os obtidos pela geração do leiaute. Os leiautes dos circuitos foram gerados pela ferramenta TROPIC. Os resultados desta verificação são apresentados na TABELA 6. Observa-se que os erros variam de 0,70% (comp_a) a 25,9% (x4_a). O erro apresentado pelo circuito x4_a é explicado pelo elevado número de redes com fanout maior que 5 (ver TABELAS 2 e 3), o que neste caso faz com que o comprimento médio das redes aumente consideravelmente. TABELA 6 Comprimento médio de circuitos benchmarks obtidos da extração elétrica versus estimativa lógica Nome Número Comp. Médio(?m) Comp. Médio(?m) Erro Circuito de Trans. obtido da extr. elét. obtido da est. lógica (%) cmb_a ,23 35,32 6,30 parity_a ,72 37,73 15,32 pcler8_a ,68 38,14 1,20 frg1_a ,05 35,48-1,50 count_a ,23 40,8-1,03 comp_a ,13 40,42 0,70 5xp ,37 41,38 10,7 C432a ,01 50,56-8,09 0 9sym ,97 45,13 10,1 9sym_3x ,44 58,11-19,70 bw ,04 49,09 8,90 C880a ,98 52,32-4,80 alu2_a ,94 68,51 14,29 C499a ,45 61,1 12,2 x4_a ,92 59,12 025,9 c ,80 60,15 2,20 C1908a ,90 73,61 15,1 5. CAPACITÂNCIAS DEVIDO ÀS INTERCONEXÕES O comprimento médio das interconexões estabelecido pelas TABELAS 4 e 5, possibilita juntamente com os dados da tecnologia, estimar as capacitâncias de interconexões. A fórmula do cálculo das capacitâncias de interconexões é definida como: C _ int er? CaME* LME * wirelength? 2*( CpME * wirelength) (10) C_inter = Capacitância da interconexão CaME= Capacitância por Unidade de Área LME = Largura do metal wirelength = Comprimento da fiação CpME = Capacitância por Unidade Linear Os valores de CaME, CpME e LME são fornecidos pela tecnologia de fabricação, enquanto que wirelength em cada nó (rede) do circuito é obtido das TABELA 4 e 5. A TABELA 7 abaixo, apresenta um comparação entre o somatório de capacitâncias extraídas na fase de pós leiaute com o somatório de capacitâncias estimadas no nível lógico. Observe que os erros variam de 2,2% a 25,9%, o que valida o método, por se tratar que o método aqui proposto é o de nível lógico. TABELA 7 Comparação das capacitâncias estimadas ao nível logico com capacitâncias extraídas do leiaute Nome Somatório das Somatório das Erro Potência Circuito Capac. Rot. Capac. Rot. (%) das Interconexões Ext. Elét. (ff) Est. Lógica(fF) (microw) comp_a 907,82 888,21 2,2 93,16 cmb_a 248,35 240,3 3,3 24,70 parity_a 288,64 363,52 25,9 41,41 frg1_a 831,29 775,6 7,1 83,33 count_a 911,15 848,63 7,3 64,59 C432a 1412, ,14 4,2 102,06 alu2_a 3087, ,26 3,1 237,02 pcler8_a 599,81 657,28 9,5 51,79 C1908a 4750, ,2 7,3 388,61 6. ESTIMATIVA DA POTÊNCIA MÉDIA TOTAL A potência média total é obtida pela composição da potência de porta e potência das interconexões. A TABELA 8 apresenta esta composição. Nesta simulação usou-se tensão de alimentação igual a 5V, frequência de operação igual a 20MHz e atividades de comutação das portas com atraso zero. Na estimativa das capacitâncias de porta, usou-se dimensões de transistores padrões obtidos pela média dos valores gerados pelo leiaute. A tecnologia de fabricação 0,25? m foi usada na geração do leiaute. TABELA 8 Estimativa da potência total de circuitos no nível lógico Nome Potência Potência Potência Circuito de Porta das Interconexões Total (microw) (microw) (microw) comp_a 183,18 93,16 276,34 cmb_a 37,27 24,70 61,97 parity_a 100,79 41,41 142,20 frg1_a 128,05 83,33 211,38 count_a 124,79 64,59 189,38 C432a 173,30 102,06 275,36 alu2_a 257,43 237,02 494,45 pcler8_a 86,09 51,79 137,88 C1908a 440,27 388,61 828,88 7. CONCLUSÕES Este artigo apresentou um método de estimativa de potência de porta e de interconexões no nível lógico. Para o nível de porta, foi desenvolvido um modelo de capacitâncias de porta que leva em consideração as combinações dos vetores de entrada. Para o nível de interconexões, as capacitâncias foram estimadas a partir

6 da estimativa do comprimento médio das interconexões também no nível lógico. As considerações e os modelos desenvolvidos basearam-se em considerações de que a tensão de alimentação, freqüência de operação e atividades de comutação são valores conhecidos e definidos. Além de que, o método é usado para circuitos combinacionais, com portas lógicas CMOS convencionais, do tipo INVERSOR, NAND e NOR. Os resultados apresentados através da simulação no nível de transistores validam os métodos, tanto na estimativa da capacitância de porta quanto das capacitâncias das interconexões. Os erros ocorridos são devidos a (ao): - aproximações feitas na modelagem das capacitâncias intrínsecas; - método de estimativa de capacitância a partir do comprimento médio das interconexões, visando o consumo de potência. BIBLIOGRAFIA [1] CHERN J. H. et al. Yang. Multilevel Metal Capacitances Models for CAD Design Synthesis Systems. IEEE Electron Devices Letters, [S.l : s.n], 13(1):32-34, Feb [2] SHERWANI, N. Algorithms for VLSI Physical Design Automation. USA: Kluwer Academic, [3] PEDRAM, M. e PREAS, B. Interconnection Length Estimation for Optimized Standard Cell Layouts, IEEE International Conference Computer-Aided Design. Proceedings 1989, p [4] MORAES, F. et al. A Virtual CMOS Library Approach for Fast Layout Synthesis. In: IFIP TC10 WG10.5 INTERNATIONAL CONFERENCE ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION, 10., VLSI, 1999, Lisboa. Proceedings... Bostom(USA): Kluwer Academic, 2000, p [5] MARTINS, J.B. et al. Capacitance and Power Modeling at Logic Level, International Conference on Chip Design Automation. Proceedings... Beijing (China):[s.n.], [6] MARTINS, J.B. et al. Power Estimation at Logic- Level Considering Interconnection Capacitance, XV International Conference on Microelectronics and Packaging, SBMicro Proceedings... Manaus (Brazil), 2000, p