TRANSISTORES MOSFETS FABRICADOS NA TECNOLOGIA DE SILÍCIO SOBRE ISOLANTE SOIMOSFET: A CAMINHO DO FUTURO

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1 TRASISTORES MOSETS ABRIADOS A TEOLOGIA DE SILÍIO SOBRE ISOLATE SOIMOSET: A AMIHO DO UTURO icor Sonnenberg * e Aparecido S. icole * Resumo ese rabalho serão apresenados conceios, esruuras e equações básicas dos disposiivos SOI MOSETs. omparações enre esa nova ecnologia e a convencional serão apresenadas para diferenes parâmeros eléricos. 1. Inrodução O ransisor de efeio de campo ipo Meal- Óido-Semiconduor (MOSET) foi concebido por Lilienfield em 196. o enano, a sua consrução só foi realizada em 1960 com o avanço da ecnologia de fabricação, principalmene, a melhoria da qualidade do óido de pora [1]. Desde enão, a ecnologia MOS em sido amplamene esudada. om o avanço da ecnologia de fabricação, as dimensões diminuíram para valores abaio de 1µm, permiindo uma maior inegração de disposiivos. o enano, o processo de fabricação do MOSET na ecnologia convencional (Bulk Technology) foi ficando cada vez mais compleo, surgindo efeios parasiários, ais como o irisor parasiário (Lach-up) para a ecnologia MOS, o efeio de perfuração MOS (Punchhrough), o aumeno na resisência série e a perfuração de junções rasas (Spikes) [,3]. om o objeivo de se eliminar ou minimizar eses efeios indesejáveis, foram desenvolvidas novas eapas de processo ou esruuras, ais como o dreno levemene dopado (Lighy Doped Drain - LDD), cavidades gêmeas e ecnologias alernaivas como o silício sobre sira (licon on Sapphire - SOS), que consise na fabricação dos disposiivos em uma camada de silício sobre uma camada de sira. A ecnologia silício sobre isolane (licon On Insulaor - SOI) uiliza óido de silício como isolane e é a sucessora da ecnologia SOS, endo como vanagens a facilidade de processameno e o baio cuso de fabricação da lâmina. O SOI MOSET apresena muias vanagens com relação ao ransisor na ecnologia MOS convencional, principalmene no caso do SOI MOSET de camada fina operando oalmene depleado (Thin ilm ully Depleed) ais como: oal supressão do efeio irisor parasiário, menor inclinação de sublimiar (aproimadamene 60 m/dec), maior mobilidade de poradores, maior inegração para circuios LSI, menores capaciâncias parasiárias, enre ouras [4-6]. Esas melhores caracerísicas com relação à ecnologia MOS convencional, permiem à ecnologia SOI aplicações em baia ensão e baia poência (Low Power - Low olage) [7].. Transisor SOI MOSET A ecnologia SOI consise na fabricação de disposiivos inegrados em uma fina camada de silício, isolada do subsrao de silício por meio de um isolane, como por eemplo o óido de silício. A figura 1 ilusra um ransisor nmoset modo inversão (enriquecimeno) na ecnologia MOS convencional e na SOI, onde o é a espessura do óido de pora do MOSET convencional, é a espessura do óido de pora do SOI MOSET, é a espessura da camada de silício, é a espessura do óido enerrado, D é a ensão aplicada ao dreno, G e B são as ensões aplicadas na pora e no subsrao de um MOSET convencional e e GB são as ensões aplicadas na pora e no subsrao (segunda pora) de um SOI MOSET. oa-se que o óido enerrado isola o disposiivo aivo do subsrao, resulando em vanagens, ais como: facilidade no processo de fabricação com relação ao isolameno enre disposiivos; aumeno na densidade de inegração em circuios MOS, devido à ausência das cavidades; diminuição das capaciâncias parasiárias; eliminação do efeio irisor parasiário Lach-up na ecnologia MOS [] enre ouras. o enano, há algumas desvanagens, ais como: alo cuso de fabricação da lâmina SOI; efeio da elevação abrupa de correne; efeio ransisor bipolar parasiário e a fore dependência da ensão de limiar de pora com a espessura e com a concenração de dopanes da camada de silício []..1. Processo de obenção da lâmina SOI Eisem diferenes méodos de obenção de lâminas SOI [8-13], sendo o processo SIMOX (Separaion by IMplaned OXygen) o mais uilizado e o que apresena maior mauridade. A formação do óido enerrado é conseguida aravés da implanação iônica de oigênio com ala dose e energia sobre o subsrao de silício, e após uma eapa de recozimeno à ala emperaura, formase o óido de silício enerrado. Sucessivas oidações e remoções do óido formado na superfície eposa define a espessura da camada de silício, sobre a qual serão consruídos os disposiivos, figura. Para se ober aproimadamene 100 nm de óido enerrado, é necessária uma implanação de 1, íons/cm de oigênio, com energia de 00 Ke e emperaura de 500. Após a eapa de implanação, a formação do óido enerrado ocorre aravés da eapa de recozimeno realizada à emperaura de 1300, durane 6 horas. * Professor Associado do urso de Maeriais, Processos e omponenes Elerônicos aculdade de Tecnologia de São Paulo (MPE ATE-SP) 14

2 one G (Pora) - D (Dreno) Óido de pora o a) P B (Subsrao) one (Pora) - D (Dreno) Primeira Inerface Segunda Inerface Terceira Inerface b) Óido de pora amada de silício - P Óido enerrado ] P GB (Subsrao) igura 1 - a) Perfil do ransisor nmoset convencional modo inversão. b) Perfil do ransisor SOI nmoset modo inversão. Implanação iônica de oigênio oncenração Oigênio implanado Recozimeno amada de silício Óido enerrado Subsrao de silício Subsrao de silício igura - Princípio de obenção da lâmina SOI aravés do processo SIMOX.. anagens e desvanagens ecnológicas da ecnologia SOI..1. Eliminação do efeio irisor parasiário (Lach-up) 15

3 Os circuios MOS convencionais possuem em sua esruura um irisor parasiário (PP), figura 3, que é consiuído por dois ransisores bipolares parasiários [14]. R sub e R cav são as resisências de subsrao e cavidade, respecivamene. O efeio irisor parasiário inicia-se quando uma das junções base-emissor de um dos ransisores bipolares é polarizada direamene. Desa forma, a correne de base origina uma correne de coleor vezes maior, onde é o faor de ganho do ransisor bipolar. Esa correne de coleor, por sua vez, consiuirá a correne de base do ouro ransisor, polarizando-o ambém. Ese efeio de realimenação de correne leva os ransisores bipolares a um esado de sauração (baia impedância), e se a correne não for limiada, o efeio irisor parasiário leva à desruição do circuio por efeio Joule. A esruura SOI-MOS é oalmene isena do efeio irisor parasiário, pois os ransisores SOI de canal ipo e ipo P esão isolados do subsrao, aravés do óido, não eisindo cavidades para a formação dos ransisores bipolares parasiários, como pode ser viso na figura 3b.... Redução das capaciâncias parasiárias Ouro efeio indesejável da ecnologia convencional é a presença da capaciância parasiária enre as junções de fone/dreno e o subsrao, figura 4a. Esa capaciância aumena com a dopagem do subsrao, e orna-se maior em disposiivos submicroméricos, onde a concenração de dopanes no subsrao é maior. Oura espécie de capaciância parasiária é a associada com a região passiva, localizada abaio do óido de campo, figura 4a. A redução das capaciâncias parasiárias, enre as junções de fone/dreno e subsrao, dá-se devido à presença do óido enerrado, figura 4b. Esas capaciâncias são direamene proporcionais à consane dielérica do maerial e inversamene proporcionais à espessura do óido enerrado. Sendo os disposiivos SOI fabricados sobre óido de silício (O ), figura 4b, o qual apresena consane dielérica rês vezes menor que a do silício ( o / 3) e espessura maior que a largura máima de depleção, iso resula numa redução significaiva desas capaciâncias parasiárias. A abela 1 apresena valores de capaciâncias parasiárias ípicas enconradas em disposiivos convencionais e SOI para um processo MOS com ecnologia de 1 µm de comprimeno de canal [14]...3. Eliminação do perigo da perfuração de junções rasas (Spikes) Um dos mais críicos problemas na ecnologia LSI (ircuios Inegrados em Escala Muio Ampla) é a mealização dos conaos das junções rasas de fone e dreno, pois após a deposição do alumínio e poserior sinerização, o silício difundi-se pelo alumínio deiando lacunas que serão ocupadas pelo alumínio, perfurando assim as junções rasas e aingindo o subsrao, figura 5a. a ecnologia SOI de camada fina, como as junções de fone e dreno esão isoladas pelo óido enerrado, mesmo que haja a perfuração da junção pelo alumínio, não haverá o conao com o subsrao, figura 5b. Enrada Saída P P P Rcav Rsub P PP avidade 3a) Subsrao P 16

4 Enrada Saída P P P Óido enerrado b) Subsrao P igura 3 - a) Seção ransversal de um circuio inversor MOS convencional ilusrando a formação do irisor parasiário PP. b) Esruura SOI-MOS, sem a presença do irisor parasiário. Junção Óido de campo Junção Óido enerrado Subsrao P a) Implane de campo P Subsrao P igura 4 - apaciâncias parasiárias de um ransisor MOSET fabricado segundo as ecnologias convencional (a) e SOI (b). b) Tabela 1: apaciâncias parasiárias ípicas enconradas em disposiivos MOS-SOI e MOS convencional. Tipo de apaciância [p/µm ] SOI onvencional Ganho (SOI onvencional) Pora 1,3 1,3 1 Junção/subsrao 0,05 0, a 0,35 4 a 7 Meal Meal Óido enerrado Subsrao - P a) Subsrao P igura 5 - Perfuração das junções pelo meal de conao num ransisor MOSET fabricado segundo ecnologias convencional (a) e SOI de camada fina (b). b) 17

5 ..4. Efeio de elevação abrupa de correne na sauração (Kink) O efeio de elevação de correne [15] caracerizase por uma elevação da curva I, quando ainge valores elevados, figura 6, devido à presença de uma região neura no subsrao. I Efeio igura 6 - Ilusração do efeio de elevação de correne em disposiivos SOI MOSET parcialmene depleados. uando a ensão do dreno for ala o suficiene para que os elérons no canal adquiram energia para criar pares elérons-lacunas aravés da ionização por impaco, os elérons gerados movem-se para o dreno ou para o canal, enquano as lacunas procuram a região de menor poencial, que no caso do ransisor MOS convencional é o erra, e no SOI parcialmene depleado é a região neura. As lacunas que se dirigem para a região neura do ransisor SOI MOS parcialmene depleado, começam a aumenar o valor do poencial nesa região, diminuindo a barreira de poencial enre a região de fone e subsrao P, o que pode causar a polarização direa da junção subsrao/fone. O aumeno do poencial na região neura (canal) provocará ambém uma diminuição na ensão de limiar, provocando um aumeno na correne do dreno como pode ser viso na figura 6. Ese ipo de comporameno não é observado em ransisores MOS convencionais à emperaura ambiene, devido à eisência do conao de subsrao, porém pode ser observado em baias emperauras, pois com o aumeno da resisência do subsrao, o produo desa com a correne de subsrao provoca uma polarização canal/fone equivalene. Os ransisores SOI MOS oalmene depleados não apresenam ese efeio, uma vez que não eise a região neura. Desa forma, oda lacuna gerada pelo processo de ionização por impaco dirige-se direamene para a fone..3. Modelagem básica lassificação dos disposiivos SOI MOSETs Dependendo da espessura da camada de silício e da concenração de dopanes na região de canal, pode-se definir rês ipos diferenes de disposiivos []: - Disposiivos de camada espessa (Thick-ilm). - Disposiivos de camada fina (Thin-ilm). - Disposiivos de camada de espessura média (Mediun Thickness), os quais podem apresenar caracerísicas de camada fina ou camada espessa, dependendo da polarização do subsrao GB, do nível de dopagem do canal e da emperaura. A figura 7 apresena os diagramas das faias de energia para disposiivos fabricados segundo as ecnologias convencional, SOI de camada espessa e SOI de camada fina. E, E e E são, respecivamene, os níveis de energia de condução, ermi e de valência. Em disposiivos fabricados com a ecnologia convencional, figura 7a, a região de depleção esende-se desde a inerface -O aé sua largura máima de depleção, represenada pela equação (1). dmá 4.. si (1) a onde é o poencial de ermi, dado pela equação (), e ni é a concenração inrínseca. K. T ln q a ni () Em disposiivos SOI de camada espessa, figura 7b, a espessura do filme de silício é maior que a somaória das duas larguras máimas de depleção, ou seja, > ( dmá1 dmá ). onseqüenemene, nunca eisirá ineração enre as duas regiões de depleção originadas na primeira e segunda inerfaces -O, e o silício enconra-se parcialmene depleado (PD - Parial Depleed). Pode-se perceber a eisência de uma região neura enre as duas larguras máimas de depleção. Se um conao ôhmico (erra) for ligado à esa região, o disposiivo SOI PD apresenará um comporameno elérico idênico ao disposiivo MOS convencional, caso conrário, ou seja, se esa região ficar fluuando elericamene, o disposiivo SOI PD se comporará como um MOS convencional, porém aparecerão ouros efeios parasiários al como o efeio da elevação de correne. Em disposiivos SOI de camada fina, figura 7c, a espessura da camada de silício é menor que a largura máima de depleção dmá1, ou seja, < dmá1. esa condição, a camada de silício é considerada oalmene depleada (D - ully Depleed), independenemene da ensão aplicada ao subsrao GB, quando a ensão aplicada à pora aingir a ensão de limiar h. 18

6 Óido de pora 1a Inerface a Inerface Óido enerrado Óido de pora Óido enerrado E E E E E E E E E dmá dmá 1 dmá d1 d a) b) c) igura 7 - Diagrama de faias de energia de disposiivos canal ipo segundo ecnologias convencional (a), SOI de camada espessa (b) e SOI de camada fina (c). Disposiivos SOI de camada de espessura média (Medium Thickness) são um caso inermediário enre disposiivos de camada espessa e camada fina, e são aqueles onde dmá1 < < ( dmá1 dmá ). Se houver ineração enre as duas zonas de depleção da primeira e segunda inerfaces, devido às condições de polarização de GB, o disposiivo apresenará o mesmo comporameno elérico do SOI de camada fina, caso conrário, ese apresenará caracerísicas do SOI de camada espessa..3.. Tensão de Limiar (h) Tensão de Limiar em MOSET A ensão de limiar h de um ransisor MOS convencional [16], modo enriquecimeno, pode ser epressa pela equação (3), onde os efeios das cargas de esados de inerface i não esão sendo considerados. o a. h dmá MS. (5) o o.3... Tensão de limiar em SOI MOSET (Modo Inversão) Para um ransisor SOI MOS de camada espessa, onde > ( dmá1 dmá ), como não há ineração enre as zonas de depleção, a ensão de limiar pode ser dada pela mesma equação do ransisor MOS convencional (5). o caso de disposiivos SOI MOSETs oalmene depleados, como eise ineração enre a primeira e segunda inerfaces, a ensão aplicada influenciará nas condições de polarização da segunda inerface, do mesmo modo que a ensão aplicada GB eará os esados de cargas da primeira inerface. As equações (6) e (7) correspondenes à e GB, respecivamene, mosram a inerdependência enre seus valores [, 16, 17]. h o MS. o (. ) γ BS. a. dmá o (3). si. a γ (4) o onde MS é a diferença de função rabalho enre o meal e o semiconduor, o é a carga efeiva no óido de pora, BS é a ensão aplicada enre subsrao e fone, γé a consane de efeio de corpo e é a permissividade do silício. Para polarização nula de subsrao, obém-se: GB. B1 1. S... inv SB 1. B 1. SB. S S (6) (7) 1

7 o1 B1 MS1 (8) o B MS (9) o (10) o (11) onde S e SB são os poenciais de superfície da primeira e segunda inerfaces, B1 a ensão de faia plana da primeira inerface induzida pela pora, B a ensão de faia plana da segunda inerface induzida pelo subsrao, a concenração de impurezas aceiadoras na camada de silício, a espessura da camada de silício, a capaciância do óido de pora por unidade de área, a capaciância do óido enerrado por unidade de área, o a permissividade do óido de silício, a espessura do óido de pora, a espessura do óido enerrado, inv1 a densidade de carga de inversão na primeira inerface, S a densidade de carga de acumulação ( S > 0) ou inversão ( S < 0) na segunda inerface, MS1 a diferença de função rabalho enre a pora e a camada de silício, MS a diferença de função rabalho enre o subsrao e a camada de silício, o1 a densidade de carga efeiva no óido de pora, o a densidade de carga efeiva no óido enerrado na segunda inerface. Dependendo de GB, a segunda inerface pode esar em acumulação, depleção ou inversão. onseqüenemene, obêm-se rês equações diferenes para a ensão de limiar a parir das equações (6) e (7). Admiindo-se a segunda inerface em acumulação, pode-se fazer a aproimação de que SB 0, e assumindo-se que a primeira inerface esá oalmene depleada e em início de inversão, êm-se que inv1 0 e S. f. Subsiuindo esas aproimações na equação (6), obém-se (1). h acc. o1 MS f (1) o caso da segunda inerface esar inverida e a primeira oalmene depleada e em início de inversão, pode-se fazer as seguines aproimações: inv1 0, S. f e SB. f, e subsiuindo em (6), obém-se (13).. h o1 inv MS1. (13) f. Esa é uma condição indesejável de operação, pois mesmo que < h inv, o disposiivo esará conduzindo pela segunda inerface, inuilizando sua aplicação em qualquer circuio, pois deseja-se que o conrole da correne seja feio sempre pela primeira inerface. Esando a segunda inerface depleada, SB pode variar de 0 a. f, dependendo do valor de GB. O valor de GB para o qual a segunda inerface esá acumulada, GB,acc, é obido pela equação (7) nas condições de S. f, SB 0 e S 0. Da mesma forma, o valor de GB para o qual a segunda inerface esá inverida, GB,inv, é dado pela mesma equação (7) nas condições de S. f, SB. f e S 0. ombinando-se as equações (6) e (7) na siuação de GB,acc < GB < GB,inv, a epressão da ensão de limiar da primeira inerface, esando a segunda inerface depleada, pode ser epressa por (14). h depl h acc. ( ) ( ) GB GB, acc (14) A epressão (14) mosra a dependência da ensão de limiar em função da ensão aplicada ao subsrao GB, uma vez que as duas inerfaces esão inerligadas pela região de depleção. Desa forma, pode-se deerminar uma espécie de consane de efeio de corpo γ SOI para o disposiivo SOI MOSET oalmene depleado derivando (14) em função de GB, obendo-se (15): dh d GB, depl Para >>. ( ). γ ( SOI ) e >>, obém-se: (15) γ SOI (16) Uma comparação enre as consanes de efeio de corpo do ransisor MOS convencional (4) e SOI MOS oalmene depleado (16) não pode ser feia direamene, pois apresenam unidades diferenes ( 1/ para o convencional e sem dimensão para o SOI oalmene depleado). onudo, percebe-se que o efeio de GB sobre a ensão de limiar em disposiivos SOI é muio menor que o efeio de BS 0

8 sobre a ensão de limiar do disposiivo convencional. A figura 8 ilusra o efeio de GB na ensão de limiar de um ransisor SOI MOS de camada fina. As diferenças que eisem enre o modelo e eperimenal, na condição da segunda inerface acumulada e segunda inerface inverida, vem do fao de se considerar, em primeira ordem, SB 0 e SB. f, respecivamene. Porém, na práica, o valor de SB pode eceder. f (segunda inerface inverida) ou ornar-se menor que 0 (segunda inerface acumulada), sendo esa variação limiada a uns poucos KT/q [] Tensão de limiar em SOI PMOSET (Modo Acumulação) A figura 9 mosra um ransisor SOI PMOSET que opera no modo acumulação []. uando o disposiivo esiver corado ( 0), a camada de silício esará oalmene depleada devido à presença de cargas posiivas na primeira inerface e ao valor negaivo da diferença enre a função rabalho do meal (silício poli ) e a camada de silício ipo P. Para que ese disposiivo conduza, há a necessidade de se aplicar uma ensão negaiva na pora para compensar o valor das cargas no óido e da diferença de função de rabalho. Ese comporameno dá origem à mais de uma ensão de limiar como descrio a seguir. h acc h h a inerface acumulada Modelo Eperimenal oalmene depleado (0 SB. f) h inv a inerface inverida GB GB igura 8 - ariação da ensão de limiar h em função da variação de GB []. poli P P P Óido enerrado Subsrao GB igura 9 - Perfil de um SOI PMOSET de camada fina modo acumulação. Define-se ensão de limiar de pora o valor que aplicado na pora faça com que a primeira inerface fique no limiar da acumulação ( S 0), equação (18). h ( 0) o1 if S acc1 B1 MS1 (18) esa condição, se a segunda inerface esiver em depleção ( d ), e se > d, há ambém a passagem de correne enre dreno e fone aravés do corpo (canal), na região neura. A ensão que aplicada na pora induz uma região de depleção proveniene da primeira inerface ( d1 ), de al forma que elimine a região neura ( d1 d ) é chamada de ensão de limiar de corpo induzida pela pora e pode ser calculada pela equação (19). 1

9 . d1 h body1 B1. d. d1 (19) d1 d (0). ( ) GB B (1) Analogamene, se for aplicada uma ensão fia na pora de al forma que a primeira inerface eseja em depleção ( d1 ) e sendo > d1, define-se a ensão de limiar de corpo induzida pela segunda inerface aquela que aplicada no subsrao induz uma região de depleção d de al forma que d d1. h body. d B. d1. d () d d1 (3). ( ) B1 (4) Define-se ambém ensão de limiar de subsrao aquela que aplicada ao subsrao deia a segunda inerface no limiar da acumulação ( SB 0). h acc B o MS ib ( 0) SB (5) A correne enre dreno e fone de um SOI PMOSET modo acumulação pode enão fluir pela primeira inerface (quando esa esiver em acumulação), pelo corpo (quando houver região neura) e pela segunda inerface (quando esa esiver em acumulação), dependendo da polarização de e GB. A obenção das ensões de limiar, nese caso, não pode ser realizada pelo méodo radicional da erapolação linear da curva I ( pequeno) na região de maior ransconduância, o qual é uilizado em MOSET convencional e ambém para SOI MOSET modo inversão. o caso do SOI PMOSET modo acumulação, o méodo da segunda derivada [18] é o indicado e as ensões de limiar induzidas pela pora h acc1, h body1 e h acc são os ponos de mínimo da curva I / orrene de dreno I orrene de dreno em MOSET As equações clássicas de correne do ransisor MOS convencional são represenadas pelas equações (6) e (7), nas condições de riodo e sauração, respecivamene [16]. ( ) I W. m µ n o h L G (6) m I ( h) W µ. m G n o (7) L m onde µ n é a mobilidade efeiva dos elérons na camada de inversão, W m e L m são a largura e o comprimeno de canal, respecivamene orrene de dreno em SOI MOSET (Modo Inversão) Para o ransisor SOI MOS de camada espessa, onde não há ineração enre as regiões de depleção da primeira e segunda inerfaces, as equações de correne são as mesmas uilizadas para o ransisor MOS convencional represenadas pelas equações (6) e (7). Da mesma forma, como viso para a ensão de limiar, a correne de dreno I, para os disposiivos SOI MOSETs de camada fina, apresenará diversas epressões, dependendo das condições de polarização do subsrao GB, e conseqüenemene do valor de SB. Tendo iso como base, as diferenes siuações podem ser definidas para a segunda inerface: acumulada, depleada e inverida []. A segunda inerface esará acumulada na siuação em que GB < GB,acc. esa siuação em-se que SB 0, S. f e S 0, e a epressão (8) para I pode ser definida. I, acc µ n. acc W m L m 1 ( h ) (8) A ensão de sauração do dreno, com a segunda inerface acumulada Dsa,acc, pode ser obida aravés da equação (8) na condição de δi /δ 0, obendo-se (9).

10 h acc Dsa, acc 1 (9) Subsiuindo-se (9) em (8), a equação da correne de sauração do dreno, com a segunda inerface acumulada, pode ser visa em (30). ( h ) 1 W µ n. I m Dsa, acc L acc m 1 (30) Admiindo-se a segunda inerface depleada, condição em que GB,acc < GB < GB,inv, a seguine equação da correne de dreno pode ser definida (31), onde h depl é dada pela equação (14). ( ) h depl W I. m, depl µ n L m. 1 ( ) (31) Aplicando-se δi /δ 0 em (31), a equação da ensão de sauração do dreno, com a segunda inerface depleada, pode ser definida por (3). Subsiuindo-se (3) em (31), obém-se a epressão da correne de sauração do dreno com a segunda inerface depleada (33). Dsa, depl 1 1 W I m Dsa, depl L m 1 h depl. ( ) µ n. ( h ) ( ) depl. (3) (33) polarização do subsrao, as condições de condução pelo canal são aleradas. Referências bibliográficas [1] Kahng, D. e Aalla, M.M. : licon-licon Dioide ield Induced Surface Device, IRE Solid Sae Devices Res. onf., arnegie Insiue of Technology, Pisburgg, Pa.,1960. [] olinge, J.P.: licon On Insulaor Technology: Maerials o LSI ; Kluwer Academic Publishers, segunda edição, [3] El-Mansy, Y. : IEEE Transacions on Elecron Devices, ol. 9, pag.567, 198. [4] Davis, J.R. : Anais do I ongresso da Sociedade Brasileira de Microelerônica, pag. 53, [5] Yoshimi, M. : IEE Elecronics Leers, ol. 4, pag.1078, [6] Auberon-erve, A.J. : Diges of symposium on LSI Tecnhnology, pag. 66, [7] Pelloie, J.L. : SOI for Low-Power Low-olage - Bulk versus SOI, Microelecronic Engineering, ol. 39, pag. 155, [8] Jasrzebski, L. e al. Growh process of silicon over O by D: Epiaial laeral overgrowh echnique. Journal of Elerochemichal Sociey, v. 130, p. 1571, [9] Sao, T. e al. omparison of hin-film ransisor and SOI echnologies. Ma. Res. Soc. Symposium Proceedings, ed. por H.W. Lam e M. J. Thompson, v. 33, p. 5, [10] a,. H.; Jew T. T. The poly-silicon insulaed-gae field-effec ransisor. IEEE Transacion on Elecron Devices. v. ED-13, p. 90, [11] esbi, L. e al. ormaion of silicon on insulaor srucures by implaed nirogen. Journal of Elerochemical Sociey, v. 13, p. 713, [1] esbi, L. e al. Microsrucure of silicon implaed wih high doses of nirogen and oygen. Journal of Elerochemical Sociey, v. 133, p. 1186, [13] Abe, T.; akano, M.; Ioh, T. Proceedings of he 4 h Inernaional Symposium on licon-on-insulaor Technology and Devices, ed. por D. Schmi, v. 90-6, p. 61, [14] Trouman, R.R. Lach-up in MOS echnology. kluwer Academic Publishers, [15] Elewa, T. e al. Performance and physical mechanisms in SIMOX MOS ransisors operaed a very low emperaure. IEEE Trans. Elecron Devices, v.37, n.4, Abril, [16] Sze, S.M. Physics of semiconducor devices. Wiley-Inerscience Publicaion, ª ed., ap.8, [17] Lim, H.K.; ossum, J.G. Threshold volage of hinfilm silicon-on-insulaor (SOI) MOSET's. IEEE Trans. Elecron Devices, v.30, n.10, p.144, Ouubro, [18] Terao, A. e al. IEEE Elecron Devices Leers, v. 1, p. 68, onclusão ese rabalho foram apresenadas algumas caracerísicas da ecnologia SOI, a qual apresena um série de vanagens, quando comparada à ecnologia convencional de fabricação de disposiivos MOSETs. oram apresenadas as equações básicas que modelam o comporameno dos ransisores SOI e como, dependendo da 3